Infineon-Technologies-FS3L25R12W2H3-B11
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
EasyPACKꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/
NTC
EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 25A / I
CRM
= 50A
TypischeꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• 3-level-applications
• Solarꢀapplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3
ElectricalꢀFeatures
• HighꢀspeedꢀIGBTꢀH3
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
• Al
2
O
3
ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• KompaktesꢀDesign
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
•
Robuste Montage durch integrierte
•
Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
25
40
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
50
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
175
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
2,05 2,40
2,50
2,60
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 0,85 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,25 5,80 6,35
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,13
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
1,45
0,075
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,055
0,055
0,055
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,185
0,23
0,24
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,025
0,05
0,055
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1050 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
0,67
1,00
1,05
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 25 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 20
Ω
T
vj
= 25°C
0,60
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
80
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,750 0,850 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,700
K/W
°C
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
15
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
40,0
34,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,15
1,75
1,75
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
36,0
38,0
38,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
1,05
2,10
2,40
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
0,40
0,66
0,70
mJ
mJ
mJ
V
R
= 350 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
1,30 1,45 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
1,05
K/W
°C
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
15
25
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
60
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
150
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,20 1,45
1,25
1,25
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
4,95 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,30
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
1,65
0,051
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,01
0,012
0,013
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,34
0,38
0,39
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,045
0,07
0,075
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
0,19
0,26
0,28
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 15 A, V
CE
= 350 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 15
Ω
T
vj
= 25°C
0,47
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
8 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs,
T
vj
= 150°C
210
150
A
A
I
SC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
0,900 1,00 K/W
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thCH
0,850
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
T
vj op
-40
150
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
25
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
40,0
50,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,65 2,15
1,60
1,55
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 25 A, – di
F
/dt = 1050 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 350 V
13,0
15,0
16,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 25 A, – di
F
/dt = 1050 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 350 V
0,85
1,45
1,60
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 25 A, – di
F
/dt = 1050 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
0,15
0,26
0,30
mJ
mJ
mJ
V
R
= 350 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
1,95 2,15 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
1,35
K/W
°C
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
C
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ
kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
T
stg
F
25
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
80
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
–
Gewicht
Weight
G
39
g
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
50
50
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ20ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ20ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
50
4,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
3,5
E
off
, T
vj
= 150°C
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
8,0
10
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
Z
thJH
: IGBT
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
1
i:
r
i
[K/W]: 0,084
0,195 0,586 0,585
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
1
2
3
4
0,1
0
20 40 60 80
100 120 140 160 180 200
R
G
[
Ω
]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ20ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
60
30
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ15ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ15ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
1,0
1,0
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
0,9
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
5
10
15
I
F
[A]
20
25
30
0
15 30 45 60 75 90
105 120 135 150
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
30,0
27,5
25,0
22,5
20,0
17,5
15,0
12,5
10,0
7,5
10
Z
thJH
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1
5,0
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,312
0,512 0,904 0,622
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
2,5
0,1
0,001
0,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00
V
CE
[V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
30
30
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
25
20
15
10
5
25
20
15
10
5
0
0
5
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
6
7
8
9
10
11
V
GE
[V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ15ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ15ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ15ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
1,2
2,00
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
1,75
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
1,0
1,50
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,25
1,00
0,75
0,50
0,25
0,00
0
5
10
15
I
C
[A]
20
25
30
0
15 30 45 60 75 90
105 120 135 150
R
G
[
Ω
]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ15ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
10
40
Z
thJH
: IGBT
I
C
, Modul
I
C
, Chip
35
30
25
20
15
10
5
1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,142
0,309 0,719 0,58
τ
i
[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
[V]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ20ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
50
0,40
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
45
T
vj
= 150°C
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
F
[V]
I
F
[A]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
I
F
ꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ350ꢀV
0,35
10
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
Z
thJH
: Diode
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
1
i:
1
2
0,7
3
4
r
i
[K/W]: 0,3
τ
i
[s]:
1,39 0,91
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0
20 40 60 80
100 120 140 160 180 200
R
G
[
Ω
]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
R
typ
10000
1000
100
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
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VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-10-01
revision:ꢀV2.0
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14
