Infineon-Technologies-FS50R06KE3
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
EconoPACK™3ꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ
EconoPACK™3ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
T
vj
= 25°C
V
CES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Collector-emitterꢀvoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 80°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
50
70
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
100
190
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
V
GES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
4,9
5,8
0,50
0,0
3,10
0,095
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,023
0,023
0,023
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,015
0,018
0,02
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,18
0,20
0,205
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,055
0,06
0,06
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
0,30
0,34
0,43
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4200 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 25°C
1,30
1,60
1,70
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
8 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs,
T
vj
= 150°C
350
250
A
A
I
SC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,20
ꢀ
0,80 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
100
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
330
300
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
69,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
76,0
80,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
1,90
3,40
3,95
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
0,60
0,95
1,10
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,30
ꢀ
1,20 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
C
= 25°C
ꢀ
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
ꢀ
3375
t.b.d.
t.b.d.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
ꢀ
B-Wert
B-value
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al
2
O
3
10,0
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ
ꢀ
ꢀ
mm
ꢀ
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,5
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 225
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
R
thCH
L
sCE
ꢀ
ꢀ
0,02
19
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
R
CC’+EE’
ꢀ
2,50
m
Ω
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
3,00
ꢀ
ꢀ
–
125 °C
6,00 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
Gewicht
Weight
ꢀ
G
180
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
100
100
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ8.2ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ8.2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
100
3,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
E
off
, T
vj
= 150°C
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
100
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
4,0
1
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τ
i
[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0
10
20
30
40
R
G
[
Ω
]
50
60
70
80
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ8.2ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
110
100
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ8.2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
2,0
1,6
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
100
I
F
[A]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
Z
thJC
: Diode
R
typ
1
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,072 0,396 0,384 0,348
τ
i
[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03
revision:ꢀ2.0
8
