Infineon-Technologies-FZ1200R33HE3

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FZ1200R33HE3

IHM-BꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode

IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode

CES

= 3300V

C nom

= 1200A / I

CRM

= 2400A

PotentielleꢀAnwendungen

• Chopper-Anwendungen

• Mitteldivnungsantriebe

• Motorantriebe

PotentialꢀApplications

• Chopperꢀapplications

• Mediumꢀvoltageꢀconverters

• Motorꢀdrives

• Traktionsumrichter

• USV-Systeme

• Tractionꢀdrives

• UPSꢀsystems

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• GroßeꢀDC-Festigkeit

ElectricalꢀFeatures

• HighꢀDCꢀstability

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• NiedrigesꢀV

CEsat

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• LowꢀV

CEsat

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• T

vjꢀop

ꢀ=ꢀ150°C

• Unbeatableꢀrobustness

• T

vjꢀop

ꢀ=ꢀ150°C

• V

CEsat

ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V

CEsat

ꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

•

AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

•

AlSiC base plate for increased thermal cycling

Lastwechselfestigkeit

capability

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀGehäuse

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀhousing

• IsolierteꢀBodenplatte

• Isolatedꢀbaseꢀplate

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.3

www.infineon.com

2019-07-24

FZ1200R33HE3

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrdivnung

Collector-emitterꢀvoltage

= -40°C

= 150°C

3300

CES

CDC

CRM

GES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

= 95°C, T

vj max

= 150°C

= 1 ms

1200

2400

+/-20

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzendivnung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

= 1200 A

= 15 V

= 25°C

= 125°C

= 150°C

2,70 3,20

3,15 3,60

3,30

CE sat

Gate-Schwellendivnung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

= 54,0 mA, V

= V

, T

= 25°C

= -15 / 15 V, V

= 1800 V

= 25°C

GEth

5,20 5,80 6,40

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

32,0

0,44

210

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

Gint

ies

res

CES

GES

d on

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1000 kHz, T

= 25°C, V

= 25 V, V

= 0 V

f = 1000 kHz, T

= 25°C, V

= 25 V, V

= 0 V

= 3300 V, V

= 0 V, T

= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

4,50

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

= 0 V, V

= 20 V, T

= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

= 1200 A, V

= 1800 V

= -15 / 15 V

Gon

= 0,62

Ω

, C

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

0,35

0,38

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

= 1200 A, V

= 1800 V

= -15 / 15 V

Gon

= 0,62

Ω

, C

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

0,35

0,38

µs

d off

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

= 1200 A, V

= 1800 V

= -15 / 15 V

Goff

= 2,4

Ω

, C

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

3,00

3,20

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

= 1200 A, V

= 1800 V

= -15 / 15 V

Goff

= 2,4

Ω

, C

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

0,30

0,35

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

= 1200 A, V

= 1800 V, L

= 85 nH

di/dt = 4300 A/µs (T

= 150°C)

= -15 / 15 V, R

Gon

= 0,62

Ω

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

1400

1950

2200

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

= 1200 A, V

= 1800 V, L

= 85 nH

du/dt = 2100 V/µs (T

= 150°C)

= -15 / 15 V, R

Goff

= 2,4

Ω

= 220 nF

= 25°C

= 125°C

= 150°C

1350

1800

1950

off

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

≤

15 V, V

= 2500 V

CEmax

= V

CES

-L

sCE

·di/dt

≤

10 µs,

= 150°C

4800

10,0

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

thJC

thCH

vj op

9,55 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

K/kW

Paste

ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ

grease

ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

FZ1200R33HE3

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

= -40°C

= 150°C

3300

RRM

FRM

I²t

RQM

on min

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

1200

2400

PeriodischerꢀSpitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

= 1 ms

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

= 0 V, t

= 10 ms, T

= 125°C

= 0 V, t

= 10 ms, T

= 150°C

330

310

kA²s

Spitzenverlustleistung

Maximumꢀpowerꢀdissipation

= 150°C

1800

10,0

ꢀ

µs

Mindesteinschaltdauer

Minimumꢀturn-onꢀtime

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassdivnung

Forwardꢀvoltage

= 1200 A, V

= 0 V

= 1200 A, V

= 0 V

= 1200 A, V

= 0 V

= 25°C

= 125°C

= 150°C

3,25 3,95

2,90 3,35

2,80

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

= 1200 A, – di

/dt = 4300 A/µs (T

=150°C) T

= 25°C

= 1800 V

= -15 V

1250

1400

1450

= 125°C

= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

= 1200 A, – di

/dt = 4300 A/µs (T

=150°C) T

= 25°C

= 1800 V

= -15 V

550

1100

1300

µC

= 125°C

= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

= 1200 A, – di

/dt = 4300 A/µs (T

=150°C) T

= 25°C

550

1250

1500

= 1800 V

= -15 V

= 125°C

= 150°C

rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

thJC

thCH

vj op

17,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

11,5

_{Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)}

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

FZ1200R33HE3

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfdivnung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

RMS, f = 50 Hz, Q

≤

10 pC

= 25°C, 100 fit

ISOL

CE D

ꢀ

6,0

2,6

ꢀ

Teilentladungs-Aussetzdivnung

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage

Kollektor-Emitter-Gleichsperrdivnung

DCꢀstability

2100

ꢀ

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

AlSiC

32,2

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

19,1

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 600

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

sCE

6,0

Ω

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

CC’+EE’

0,12

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

stg

-40

150

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

4,25

5,75 Nm

2,1 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,8

8,0

–

Gewicht

Weight

1200

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

FZ1200R33HE3

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

ꢀ=ꢀfꢀ(V

)

ꢀ=ꢀfꢀ(V

)

ꢀ=ꢀ15ꢀV

ꢀ=ꢀ150°C

2400

= 25°C

= 125°C

= 150°C

= 20V

= 15V

= 12V

= 10V

= 9V

= 8V

2000

1600

1200

800

400

2000

1600

1200

800

400

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

ꢀ=ꢀfꢀ(V

)

ꢀ=ꢀfꢀ(I

),ꢀE

off

ꢀ=ꢀfꢀ(I

)

ꢀ=ꢀ20ꢀV

ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR

Gon

ꢀ=ꢀ0.62ꢀ

Ω

,ꢀR

Goff

ꢀ=ꢀ2.4ꢀ

Ω

,ꢀV

ꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀC

ꢀ=ꢀ220

2400

8000

= 25°C

= 125°C

= 150°C

, T

= 150°C

, T

= 125°C

off

, T

= 150°C

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

off

, T

= 125°C

2000

1600

1200

800

400

800

1200

[A]

1600

2000

2400

Vꢀ3.3

[V]

Datasheet

2019-07-24

FZ1200R33HE3

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

ꢀ=ꢀfꢀ(R

),ꢀE

off

ꢀ=ꢀfꢀ(R

)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

thJC

ꢀ=ꢀfꢀ(t)

ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI

ꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀV

ꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀC

ꢀ=ꢀ220ꢀnF

12000

100

, T

= 150°C

, T

= 125°C

off

, T

= 150°C

off

, T

= 125°C

thJC

: IGBT

10000

8000

6000

4000

2000

[K/kW]: 1,3

[s]:

5,03 1,898

1,303

0,003 0,042 0,256 4,984

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

[

Ω

]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

ꢀ=ꢀfꢀ(V

)

ꢀ=ꢀfꢀ(V

)

ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR

Goff

ꢀ=ꢀ2.4ꢀ

Ω

,ꢀT

ꢀ=ꢀ150°C,ꢀC

ꢀ=ꢀ220ꢀnF

3000

2400

, Modul

, Chip

= 150°C

= 125°C

= 25°C

2000

1600

1200

800

400

2400

1800

1200

600

500

1000 1500 2000 2500 3000 3500

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5

[V]

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

FZ1200R33HE3

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(I

)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(R

)

Gon

ꢀ=ꢀ0.62ꢀ

Ω

,ꢀV

ꢀ=ꢀ1800ꢀV

ꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀV

ꢀ=ꢀ1800ꢀV

2400

rec

, T

= 150°C

rec

, T

= 125°C

rec

, T

= 150°C

rec

, T

= 125°C

2000

1600

1200

800

400

2000

1600

1200

800

400

800

1200

[A]

1600

2000

2400

[

Ω

]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

thJC

ꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)

ꢀ=ꢀf(V

)

ꢀ=ꢀ150°C

100

3000

thJC

: Diode

, Modul

2400

1800

1200

600

[K/kW]: 3,162 8,208 3,651 1,977

[s]:

0,002 0,036 0,252 5,587

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

500

1000 1500 2000 2500 3000 3500

[V]

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

FZ1200R33HE3

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Datasheet

Vꢀ3.3

2019-07-24

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2019-07-24

AllꢀRightsꢀReserved.

Publishedꢀby

InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?

Email:ꢀerratum@infineon.com

ꢀ

WICHTIGERꢀHINWEIS

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem

ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu

Personenverletzungenꢀführen.

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

WARNINGS

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.

Infineon-Technologies-FZ1200R33HE3

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