Infineon-Technologies-T1800N42TOF-PR
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
4200V
I
TAVM
1800A (T
C
=85°C)
41000A
0,85V
I
TSM
v
T0
r
T
0,4
mΩ
R
thJC
7,8K/kW
40…65
kN
111mm
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
75mm
26mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hohe Einschaltfähigkeit di/dt
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Mehrzweck Gate-Anschluss
High surge current capability
High di/dt capability
Hermeticaly sealed ceramic package
Multi use gate connector
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mitteldivnungssanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mitteldivnungsumrichter
Medium Voltage Softstarter
Rectifier for Drives Applications
Medium voltage converters
Crowbar applications
Kurzschliesser Applikationen
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..8
9..17
8
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
18..19
20..21
22..23
24..27
28..31
QR class
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 1/11
Technische Information /
technical information
enndaten
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
V
DRM
,V
RRM
T
vj
= 0°C… T
vj max
T
C
= 85 °C
4200 V
2820 A
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrdivnung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
I
TRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TAVM
1800 A
2170 A
2490 A
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 55 °C
average on-state current
I
TSM
I²t
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
tbd
41000 A
tbd
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
10³ A²s
8405
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1,6 A,
di
G
/dt = 1,6 A/µs
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
max.
max.
max.
1,65 V
0,85 V
0,4 m
Ω
Durchlaßdivnung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2000A
v
T
Schleusendivnung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
400A
i
F
4000A
T
vj
= T
vj max
max.
A
B
C
D
0,892407
0,000272
-0,031311
0,010084
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
300 mA
Zündstrom
gate trigger current
Zünddivnung
max.
2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
max.
max.
10 mA
5 mA
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
max.
max.
0,25 V
300 mA
1,5 A
Nicht zündende Steuerdivnung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK
≥ 10 Ω
i
GM
= 1,6 A, di
G
/dt = 1,6 A/µs,
t
g
= 20 µs
I
L
Einraststrom
latching current
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
300 mA
2 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1,6 A,
di
G
/dt = 1,6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication:
revision:
2012-11-15
3.1
prepared by:
HR
approved by:
JP
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
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Technische Information /
technical information
M
e
c
h
a
n
ische Eigens
c
h
a
f
t
e
n /
M
e
c
h
a
n
ical charc
t
e
r
istics
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
900
t
q
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
=100V
Q
r
max.
max.
8
mAs
A
Rückstromspitze
I
RM
240
T
vj
= T
vj max
peak reverse recovery current
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 100V
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
max.
8,5 K/kW
7,8 K/kW
14,6 K/kW
16,9 K/kW
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max.
max.
max.
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
2,5 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
5,0
K/kW
125 °C
T
vj max
T
c op
T
stg
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
–
40…+125
°C
–
40…+150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
40…65 kN
Anpresskraft
clamping force
mm
mm
mm
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode /Cathode
A 2,8×0,5
Ø 1,5
A 4,8×0,5
G
typ.
1200 G
Gewicht
weight
25 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 3/11
Technische Information /
technical information
M
a
ßbild
/ Outli
n
e
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
1
: Anode/anode
2
: Kathode/cathode
4
: Gate
4 5
1
2
5
: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 4/11
Technische Information /
technical information
W
ärm
e
w
iders
t
a
nd / T
h
e
r
m
a
l r
e
s
i
s
t
a
n
ce
c
haracteris
t
i
c
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
/
Pos. n
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
3,38
1,0914
6,68
1,54
5,1
2,8
1,23
0,39
0,03
beidseitig
two-sided
0,2068
4,34
0,0152
1,3
0,00392
1,9
0,000055
0,371
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
anodenseitig
anode-sided
0,347
8,02
0,135
3,02
0,00951
0,728
0,00341
0,00182
0,032
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
kathodenseitig
cathode-sided
1,11
0,135
0,0215
0,000035
n
max
-t
n
R
thn
1 e
Analytische Funktion / analytical function:
Z
thJC
n=1
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 5/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 6/11
Technische Information /
technical information
Zündriemen / Trigger characteristic
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zündbereichen für V
D
= 12 V /
gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a – 20 W/10ms
b – 40 W/1ms
c – 60 W/0,5ms
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 7/11
Technische Information /
technical information
Sperrver
z
ögerungsladu
n
g /
R
e
covered Charge
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
=T
vjmax
, v
R
= 100 V, V
RM
< 0,8 V
RRM
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 8/11
Technische Information /
technical information
Rüc
k
s
tro
m
s
p
i
t
ze /
P
ea krecovered charge
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
Rückstromspitze / peak reverse recovery current I
RM
= f(-di/dt)
T
vj
=T
vjmax
, v
R
= 100 V, V
RM
< 0,8 V
RRM
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
Seite/page: 9/11
Technische Information /
technical information
ITOVM
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse
bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
T(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsdivnung V
RM
Typical dependency of maximum overload on-state current I
T(OV)M
as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
RM
I
T(OV)M
= f (pulses, V
RM
) ; T
vj
= T
vjmax
Revision: 3.1
Date of Publication: 2012-11-15
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1800N
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– die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
– den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
– die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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– to perform joint Risk and Quality Assessments;
– the conclusion of Quality Agreements;
– to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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Date of Publication: 2012-11-15
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