Infineon-Technologies-T2810N16TOF-VT
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2810N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Per
io
d
i
s
c
h
e
V
o
rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrdivnung
1600
1800
2000 V
2200 V
T
vj
= -40 °C… T
vj max
V
DRM
,V
RRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrdivnung
1600
1800
2000 V
2200 V
T
vj
= -40 °C… T
vj max
V
DSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1700
1900
2100 V
2300 V
Rückwärts-Stossspitzensperrdivnung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25 °C… T
vj max
V
RSM
5800 A
2810 A
4070 A
6390 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMSM
I
TAVM
T
C
= 85 °C
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
TAVM
I
TRMS
58000 A
50000 A
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
16820 10³
A²s
12500 10³
A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
200 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassdivnung
on-state voltage
max.
max.
2,13 V
1,25 V
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 11 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3 kA
v
T
0,90 V
Schleusendivnung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
0,112 m
Ω
700 A
≤
i
T
≤
14100 A
A=
9,473E-01
B=
C=
D=
6,789E-05
-4,228E-02
7,908E-03
v
T
=
A
+
B i
T
+
C l
n
(i
T
+
1)
+
D
i
T
Zündstrom
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
300 mA
gate trigger current
Zünddivnung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerdivnung
gate non-trigger voltage
max.
2,5 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
I
L
max. 1500
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
250 mA
4 µs
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication:
2010-07-19
prepared by:
revision:
3.1
approved by:
M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2010-07-19, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2810N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
300 µs
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
R
thJC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
max. 0,0085
°C/W
max. 0,0078
°C/W
max. 0,0152
°C/W
max. 0,0146
°C/W
max. 0,0183
°C/W
max. 0,0169
°C/W
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
R
thCH
0,0025
0,0050
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40…+125 °C
-40…+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
42…95 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8×0,5
mm
Ø 1,5
mm
A 4,8×0,5
mm
Gewicht
weight
G
typ.
1200 g
Kriechstrecke
25 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
1
: Anode / Anode
2
: Kathode / Cathode
4
: Gate
4 5
1
2
5
: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2810N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
–
–
–
–
–
–
[°C/W]
0
,
0
0
1
0
0
3
4
Cooling
R
thn
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W] 0,00001
0,00001
R
thn
[°C/W] 0,00003
0,00004
0,00039
0,00392
0,00037
0,00182
0,00073
0,00341
0,00123
0,01520
0,00190
0,00951
0,00302
0,02150
0,0028
0,2068
0,0013
0,1350
0,00802
0,13500
0,00338
1,09140
0,00434
0,34700
0,0051
–
beidseitig
two-sided
0,00006
–
0,00668
anodenseitig
anode-sided
1,54000
τ
n
[s]
–
–
kathodenseitig
cathode-sided
1,1100
τ
n
[s]
n
max
-t
τ
n
=
−
Z
thJC
R
thn
1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,018
0,016
0,014
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
c
a
b
0,001
0
,
0
1
0
,
1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t
)
a – Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b – Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c – Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2810N
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆
Z
th
Θ
rec
/
∆
Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 180°
Θ
= 120°
Θ
= 90°
Θ
= 60°
Θ
= 30°
∆
Z
th
Θ
rec
0,00084
0,00130
0,00161
0,00201
0,00259
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆
Z
th
Θ
sin
0,00069
0,00143
0,00112
0,00170
0,00144
0,00093
0,00228
0,00154
0,00261
0,00191
0,00120
0,00288
0,00208
0,00322
0,00246
0,00156
0,00371
0,00289
0,00399
0,00321
0,00208
0,00492
0,00425
0,00506
0,00430
[°C/W]
∆
Z
th
Θ
rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆
Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆
Z
th
Θ
rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆
Z
th
Θ
sin
[°C/W]
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆
Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆
Z
th
Θ
sin
16000
14000
12000
10000
8000
T
vj
= T
vj max
6000
4000
2000
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2
,
2
2,4
2
,
6
v
T
[V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
8000
7000
180°
120°
90°
0°
1
8
0
°
6000
0
60°
θ
= 30°
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
500
1000
1500
2000
T
A
V
[A]
2500
3000
3500
4000
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
40
20
0
500
1000
1500
2000
T
A
V
[A]
2500
3000
3500
4000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
IFBIP D AEC / 2010-07-19, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
10000
9000
DC
8000
0°
180°
0
180°
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
120°
90°
60°
θ
= 30°
0
1000
2000
3000
4000
T
A
V
[A]
5000
6000
7000
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
140
120
100
80
0°
1
8
0
°
0
60
θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
DC
40
20
0
1000
2000
3000
4000
TAV
[A]
5000
6000
7000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
a
0,1
10
i
G
[mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zündbereichen für V
D
= 12 V
Gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a – 20W / 10ms
b – 40W / 1ms
c – 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
i
TM
= 4000A
2000A
1000A
500A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current i
TM
IFBIP D AEC / 2010-07-19, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
60
50
40
30
20
10
0
0-50V
0,33 V
R
R
M
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
An
z
ahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal ha
l
f waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
T(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsdivnung V
RM
Typical dependency of maximum overload on-state current I
T(OV)M
as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
RM
I
T(OV)M
= f (pulses, V
RM
) ; T
vj
= T
vjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2810N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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