Infineon-Technologies-T570N65TOF
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
6500 V
I
TAVM
540 A (T
C
=85°C)
10500 A
1,35 V
I
TSM
V
T0
r
T
1,4
mΩ
R
thJC
21 K/kW
13…23
kN
76 mm
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
50 mm
26 mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hohe Einschaltfähigkeit di/dt
High surge current capability
High di/dt turn on capability
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mitteldivnungssanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mitteldivnungsumrichter
Medium Voltage Softstarter
Rectifier for Drives Applications
Medium voltage converters
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
V
DRM
,V
RRM
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrdivnung
T
vj
= 25°C… T
vj max
6500 V
850 A
repetitive peak forward off-state and re
E
ver
s
l
e
e
v
k
olt
a
t
g
r
e
ische Eigenschaften
I
TRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 85 °C
I
TAVM
540 A
660 A
760 A
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 55 °C
average on-state current
I
TSM
I²t
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
10500 A
9400 A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
551,25 10³
A²s
441,8 10³
A²s
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
f = 50 Hz, i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
max.
max.
max.
2,75 V
1,35 V
1,4 m
Ω
Durchlaßdivnung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000A
T
vj
= T
vj max
v
T
Schleusendivnung
threshold voltage
V
(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
100A
i
T
2700A
T
vj
= T
vj max
max.
A
B
C
D
-0,3296
0,001724
0,4376
v
T
A
B
i
T
C
Ln(i
T
1)
D
i
T
-0,05275
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
max.
350 mA
Zündstrom
gate trigger current
2,5 V
Zünddivnung
gate trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Nicht zündende Steuerdivnung
gate non-trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK
≥ 10 Ω
I
L
Einraststrom
i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs, t
g
= 20 µs
latching current
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
400 mA
2,5 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 60747-6
t
gd
Zündverzug
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication:
2014-06-18
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TM
approved by:
JP
revision:
2.3
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
1000
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
Thermische Eigenschaften
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
Mechanische Eigenschaften
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
Q
r
max.
max.
6,2 mAs
i
TM
= 2 I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 3000V, V
RM
≤ 0,8V
RRM
R=83
Ω
; C=0,44µF
Rückstromspitze
T
vj
= T
vj max
I
RM
190
A
peak reverse recovery current
i
TM
= 2 I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 3000V, V
RM
≤ 0,8V
RRM
R=83
Ω
; C=0,44µF
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
max.
23,0 K/kW
21,0 K/kW
37,5 K/kW
48,0 K/kW
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max.
max.
max.
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
5,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
10,0
K/kW
T
vj max
T
c op
T
stg
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
–
40…+125
°C
–
40…+150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
13
…2
3 kN
Anpresskraft
clamping force
DIN 46244
Gate
Ø 1,5×3,2
mm
A 2,8×0,5
mm
A 4,8×0,5
mm
Steueranschlüsse
control terminals
Kathode /Cathode
G
typ.
550 g
Gewicht
weight
20 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
Maßbild
Ø 75 -1.2
Ø 50±0,1
2
1
Ø 73,5 -2
Ø 3.5 x 3.5
both sides
5 Connector
4.8 x 0.5
4 Connector
2.8 x 0.5
4 Connector Ø
1.5
based on
AMP60598
Creepage distance: 20mm
Clearance distance: 15mm
overall height based
on contact pressure
1
: Anode/anode
2
: Kathode/cathode
4 5
1
2
4
: Gate
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 4/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
/
R,t
–
Werte
R
Pos. n
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
R,T-Werte
8,45
1,134
21,8
6,66
33,3
7,83
7,03
0,23
5,6
2,1
2,29
1,13
beidseitig
two-sided
0,0065
6,23
0,00456
2,6
0,00189
1,27
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
anodenseitig
anode-sided
0,57
4,6
0,126
6,23
0,00843
2,6
0,00201
1,27
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
kathodenseitig
cathode-sided
0,57
0,126
0,00843
0,00201
n
max
-t
n
Analytische Funktion / analytical function:
Z
thJC
R
thn
1 e
n=1
60
50
40
30
20
10
0
c
i
a
i
b
i
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
3000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
typ.
max.
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
6
v
T
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
Date of Publication: 2014-06-18
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
10
Durchlassverluste
b
a
1
0,1
10
100
1000
10000
i
G
[mA]
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zündbereichen für V
D
= 12 V /
gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a – 20 W/10ms
b – 40 W/1ms
Date of Publication: 2014-06-18
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Seite/page: 7/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
12
10
8
Tc beidseitig
6
4
2
0
0
5
10
15
-di/dt [A/µs]
20
25
30
35
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
=T
vjmax
, v
R
=3000V, V
RM
≤
0,8 V
RRM
R=83
Ω
; C=0,44µF
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 8/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
Ta bei Sinus
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current I
RM
= f(-di/dt)
T
vj
=T
vjmax
, v
R
=3000V, V
RM
≤
0,8 V
RRM
R=83
Ω
; C=0,44µF
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
Seite/page: 9/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
T(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsdivnung V
RM
Typical dependency of maximum overload on-state current I
T(OV)M
as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
RM
I
T(OV)M
= f (pulses, V
RM
) ; T
vj
= T
vjmax
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T570N
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Revision: 2.3
Seite/page: 11/11
