Infineon-Technologies-T730N42TOF-VT
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Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
T730N
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
3600
3800
4000 V
4200 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrdivnung
T
vj
= -40 °C… T
vj max
V
DRM
,V
RRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
3600
3800
4000 V
4200 V
Vorwärts-Stossspitzensperrdivnung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40 °C… T
vj max
V
DSM
3700
3900
4100 V
4300 V
Rückwärts-Stossspitzensperrdivnung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25 °C… T
vj max
V
RSM
1150
A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
C
= 85 °C
T
C
= 85 °C
I
TRMSM
I
TAVM
730 A
1100 A
1730 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
TAVM
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMS
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
17600 A
15800 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
1550 10³
A²s
1250 10³
A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
80 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassdivnung
on-state voltage
max.
max.
3,4 V
1,73 V
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3,5 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 750 A
v
T
max
1,20 V
Schleusendivnung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
max
0,57 m
Ω
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
100
A ≤ i
T
≤
1500 A
A=
1,237E-01
on-state characteristic
B=
C=
D=
8,521E-04
2,933E-01
-3,533E-02
v
T
A
B
i
T
C
ln(i
T
1)
D
i
T
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
300 mA
Zünddivnung
gate trigger voltage
max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerdivnung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
max.
0,3 V
Haltestrom
max.
300 mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V, R
GK
≥ 10 Ω
I
L
max. 2500
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
200 mA
3,5 µs
Zündverzug
DIN IEC 60747-6
gate controlled delay time
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
HS
date of publication:
2013-05-21
prepared by:
revision:
3.1
approved by:
ML
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 1/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
T730N
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
400 µs
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
R
thJC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
max.
max.
max.
max.
max.
max.
21,5 K
/kW
20,0 K/kW
37,5 K/kW
36,0 K/kW
46,5 K/kW
45,0 K/kW
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCH
3,5
7,0
max.
max.
K/kW
K/kW
120 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40…+120 °C
-40…+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
18…43 kN
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8×0,5
mm
Ø 1,5
mm
A 4,8×0,5
mm
Gewicht
weight
G
typ.
600 g
Kriechstrecke
creepage distance
20 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
vibration resistance
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 2/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
T730N
Phase Control Thyristor
1
: Anode / Anode
2
: Kathode / Cathode
4
: Gate
4 5
1
2
5
: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 3/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T730N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Kühlung /
Pos. n
1
2
3
4
5
6
0
1
0
1
0
1
7
0
1
0
1
0
1
Cooling
R
thn
[K/kW]
1,9
73,0
1,9
6,7
1,8
7,2
0,204
6,1
4,1
0,062
4,1
0,1
beidseitig
two-sided
0,0008
0,1
n
[s]
R
thn
[K/kW]
23,8
6,5
anodenseitig
anode-sided
73,0
1,9
0,162
6,5
0,062
4,1
0,0008
0,1
n
[s]
R
thn
[K/kW]
32,4
6,8
kathodenseitig
cathode-sided
73,0
0,185
0,062
0,0008
n
[s]
n
max
-t
n
R
thn
1 e
Z
thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
c
a
b
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t
)
a – Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b – Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c – Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 4/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T730N
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
Δ
Z
th Θ
sin
/
Δ
Z
th Θ
rec
Δ
Z
th
Θ
sin180°
Δ
Z
th
Θ
rec 180°
Δ
Z
th
Θ
rec 120°
Δ
Z
th
Θ
rec 90°
Δ
Z
th
Θ
rec 60°
Δ
Z
th
Θ
rec 30°
Kühlung / Cooling
[K/kW]
[K/kW]
0,625
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
beidseitig
two-sided
0,497
0,509
0,502
0,906
0,921
0,912
1,103
1,121
1,109
1,395
1,415
1,403
1,950
1,975
1,963
anodenseitig
anode-sided
0,637
0,630
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
Z
th
Θ
sin
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
Z
th
Θ
rec
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 5/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T730N
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 6/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
T730N
Phase Control Thyristor
100
10
c
b
a
1
0,1
10
i
G
[mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zündbereichen für V
D
= 12 V
Gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a – 20W / 10ms
b – 40W / 1ms
c – 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
i
TM
=
2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current i
TM
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 7/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T730N
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
T(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsdivnung V
RM
Typical dependency of maximum overload on-state current I
T(OV)M
as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
RM
I
T(OV)M
= f (pulses, V
RM
) ; T
vj
= T
vjmax
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 8/9
Revision: 3.1
Technische
Information /
N
Netz-Thyristor
T730N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
Date of publication: 2013-05-21
Seite/page 9/9
Revision: 3.1
