Infineon-Technologies-T830N14TOF
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T830N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400
1600 V
1800 V
T
vj
= -40°C… T
vj max
T
vj
= -40°C… T
vj ma
V
DRM
,V
RRM
Per
io
d
i
s
c
h
e
V
o
rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrdivnung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrdivnung
V
DSM
x
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrdivnung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C… T
vj max
V
RSM
1500 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
I
TRMSM
I
TAVM
844 A
T
C
= 85
°C
1220 A
1920 A
Dauergrenzstrom
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
TAVM
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMS
14500 A
12500 A
T
vj
= 25
°C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
1051 10³
A²s
781 10³
A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25
°C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
120 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassdivnung
on-state voltage
max.
max.
1,94 V
1,20 V
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3000 A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 750 A
v
T
0,85 V
Schleusendivnung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
0,35 m
Ω
200 A
≤
i
T
≤
4100 A
A=
1,173E+00
B=
C=
D=
1,489E-04
-9,456E-02
1,966E-02
v
T
=
A
+
B i
T
+
C l
n
(i
T
+
1)
+
D
i
T
Zündstrom
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
I
GT
max.
250 mA
gate trigger current
Zünddivnung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
V
GT
I
GD
max.
1,5 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerdivnung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
I
H
max.
0,2 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
I
L
max. 1500
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
80 mA
4 µs
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication:
2010-09-02
prepared by:
revision:
3.2
approved by:
M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T830N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
R
thJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,030 °C/W
0,029 °C/W
0,051 °C/W
0,050 °C/W
0,071 °C/W
0,070 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
R
thCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40…+125 °C
-40…+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
9…18 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8×0,5
mm
Ø 1,5
mm
A 4,8×0,5
mm
Gewicht
weight
G
typ.
160
g
Kriechstrecke
creepage distance
5
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
1
: Anode / Anode
2
: Kathode / Cathode
4
: Gate
4 5
1
2
5
: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T830N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
–
–
–
–
–
–
7
–
–
–
–
–
–
[°C/W]
0
,
0
0
1
0
8
6
0
,
0
4
0
9
Cooling
R
thn
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W] 0,00100
0,00018
R
thn
[°C/W] 0,00080
0,00018
0,00144
0,00166
0,00160
0,00166
0,00140
0,00151
0,00180
0,00937
0,00180
0,00937
0,00230
0,00887
0,0159
0,7960
0,0366
1,0990
0,05580
0,01341
beidseitig
two-sided
0,00018
0,094
0,0090
0,1504
0,0097
0,2110
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
n
max
-t
τ
n
=
−
Z
thJC
R
thn
1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t
)
a – Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b – Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c – Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T830N
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆
Z
th
Θ
rec
/
∆
Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 180°
Θ
= 120°
Θ
= 90°
Θ
= 60°
Θ
= 30°
∆
Z
th
Θ
rec
0,00375
0,00662
0,00907
0,01320
0,02225
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆
Z
th
Θ
sin
0,00112
0,00394
0,00094
0,00385
0,00122
0,00208
0,00706
0,00194
0,00676
0,00220
0,00349
0,00977
0,00346
0,00924
0,00366
0,00610
0,01438
0,00629
0,01341
0,00635
0,01221
0,02463
0,01309
0,02250
0,01272
[°C/W]
∆
Z
th
Θ
rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆
Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆
Z
th
Θ
rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆
Z
th
Θ
sin
[°C/W]
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆
Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆
Z
th
Θ
sin
5000
4000
3000
2000
1000
T
vj
= T
vj max
0
0
,
8
1
1,2
1,4
1
,
6
v
T
[V]
1,8
2
2,2
2
,
4
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
1800
1600
180°
120°
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0°
1
8
0
°
90°
0
60°
θ
= 30°
0
200
400
600
T
A
V
[A]
800
1000
1200
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
90°
60°
120°
800
180°
60
θ
= 30°
40
20
0
200
400
600
I
TAV
[A]
1000
1200
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
2500
DC
2000
0°
1
8
0°
0
180°
120°
1500
1000
500
0
90°
60°
θ
= 30°
0
200
400
600
800
TAV
[A]
1000
1200
1400
1600
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
140
120
100
80
0°
1
8
0
°
0
60
90°
120°
180°
60°
DC
θ
= 30°
40
20
0
200
400
600
800
I
TAV
[
A
]
1000
1200
1400
1600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
100
10
1
d
c
b
a
0,1
10
i
G
[mA]
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zündbereichen für V
D
= 12 V
Gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a – 40W / 10ms
b – 80W / 1ms
c – 100W / 0,5ms
d – 150W / 0,1ms
10000
1000
100
i
TM
=
2000A
500A
50A
20A
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current i
TM
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
14
12
10
8
0-50V
6
0,33 V
R
R
M
4
0,67 VRRM
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
An
z
ahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal ha
l
f waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
T(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsdivnung V
RM
Typical dependency of maximum overload on-state current I
T(OV)M
as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
RM
I
T(OV)M
= f (pulses, V
RM
) ; T
vj
= T
vjmax
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T830N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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