InventChip-IV1Q12050T4
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2021
年
9
月
IV1Q12050T4
–
1200V 50m
Ω
SiC MOSFET
封装
:
特点
:
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
开尔文连接驱动
应用
:
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
光伏逆变器
UPS
电源
电机驱动
产品代码
封装形式
高压
DC/DC
变换器
开关电源
IV1Q12050T4
TO247-4
最大额定值
（
T
C
=25
°
C
，特殊说明除外）
符号
参数说明
典型值
单位
测试条件
备注
V
DS
漏源电压
1200
V
V
V
GS
=0V, I
D
=100
μ
A
静态（
DC
）
V
GSmax
(DC)
最大直流栅源电压
-5 to 22
<1%
占空比，脉冲宽度
<200ns
V
GSmax
(Spike)
最大尖峰栅源电压
-10 to 25
V
V
GSon
V
GSoff
推荐使用的开通栅源电压
推荐使用的关断栅源电压
20
±
0.5
-3.5 to -2
58
V
V
A
V
GS
=20V, T
C
=25
°
C
V
GS
=20V, T
C
=100
°
C
根据器件安全工作区确定
T
C
=25
°
C
I
D
最大漏源电流
图
21
43
A
I
DM
P
TOT
T
stg
T
J
最大脉冲漏源电流
最大耗散功率
存储温度范围
工作结温范围
145
A
图
24
图
22
344
W
°
C
°
C
-55 to 175
-55 to 175
引线处波峰焊接，距外壳
T
L
焊接温度
260
°
C
1.6
毫米，持续不超过
10
秒
热阻特性
符号
参数说明
典型值
单位
备注
R
θ
(J-C)
结到外壳的热阻
0.436
°C
/W
图
23
版本
1.1
2021
年
9
月
电学特性
（
T
C
=25
°
C
，特殊说明除外）
规范值
符号
参数说明
单位
测试条件
备注
最小
典型
最大
100
±
100
5
I
DSS
I
GSS
关断时的漏极漏电流
栅极漏电流
5
μ
A
nA
V
V
DS
=1200V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=-5~20V
V
GS
=V
DS
, I
D
=6mA
V
GS
=V
DS
, I
D
=6mA
@ T
C
=175
°
C
1.8
3.2
2.2
V
TH
阈值电压
图
8
，
9
V
GS
=20V, I
D
=20A
@T
J
=25
°
C
50
80
65
m
Ω
m
Ω
图
4
，
5
，
6
，
R
ON
导通电阻
7
V
GS
=20V, I
D
=20A
@T
J
=175
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
E
oss
Q
g
输入电容
2750
106
5.2
43
pF
pF
pF
μ
J
输出电容
图
16
图
17
图
18
V
DS
=800V, V
GS
=0V,
f=1MH
Z
, V
AC
=25mV
反向传输电容
输出电容存储能量
栅极总电荷
栅源电荷
120
25
nC
nC
nC
Ω
V
DS
=800V, I
D
=20A,
V
GS
=-5 to 20V
Q
gs
Q
gd
R
g
栅漏电荷
48
栅极输入电阻
2.8
f=1MH
Z
E
ON
导通能量
455.4
μ
J
μ
J
V
DS
=800V, I
D
=30A,
V
GS
=-2 to 20V,
R
G(ext)
=3.3
Ω,
E
OFF
t
d(on)
t
r
关断能量
213.6
8.9
导通延迟时间
上升时间
图
19
，
20
28.9
25.6
17.2
ns
L=450
μ
H
t
d(off)
t
f
关断延迟时间
下降时间
版本
1.1
2021
年
9
月
体二极管特性
（
T
C
=25
°
C
，特殊说明除外）
规范值
符号
参数说明
单位
测试条件
备注
最小
典型
最大
4.9
V
V
I
SD
=20A, V
GS
=0V
I
SD
=20A, V
GS
=0V,
T
J
=175
°
C
图
10
，
11
，
V
SD
正向电压
12
4.4
V
GS
=-2V/+20V,
I
SD
=30A, V
R
=800V,
di/dt=1200A/us,
R
G(ext)
=20
Ω
t
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
20
ns
Q
rr
143.9
nC
I
RRM
反向恢复峰值电流
13
A
L=450
μ
H
版本
1.1
2021
年
9
月
典型特征曲线：
图
. 1
输出曲线
@ T
J
=-55
°
C
图
. 2
输出曲线
@ T
J
=25
°
C
图
. 3
输出曲线
@ T
J
=175
°
C
图
. 4 Ron
和温度关系曲线
图
6
各温度下的
Ron
和
I
DS
关系曲线
图
. 5
归一化的
Ron
和温度关系曲线
版本
1.1
2021
年
9
月
图
. 7
各
V
GS
下的
Ron
和温度关系曲线
图
. 8
各温度下的传输特性曲线
图
. 10
体二极管导通曲线
@ T
J
=-55
°
C
图
. 9
阈值电压随温度变化曲线
图
. 11
体二极管导通曲线
@ T
J
=25
°
C
图
. 12
体二极管导通曲线
@ T
J
=175
°
C
版本
1.1
2021
年
9
月
图
. 14
第三象限曲线
@ T
J
=25
°
C
图
. 13
第三象限曲线
@ T
J
=-55
°
C
图
. 15
第三象限曲线
@ T
J
=175
°
C
图
. 16
各电容和
V
DS
关系曲线
图
. 18
栅电荷特征曲线
图
. 17
输出电容存储能量曲线
版本
1.1
2021
年
9
月
图
. 20
开关时间和栅极电阻
R
G(ext)
关系曲线
图
. 19
开关能量和栅极电阻
R
G(ext)
关系曲线
图
. 21
漏端电流和温度关系曲线
图
. 22
最大功耗降额和温度关系曲线
图
. 23
热阻曲线
图
. 24
安全工作区示意图
版本
1.1
2021
年
9
月
封装尺寸：
说明：
1.
封装标准参考：
: JEDEC TO247, Variation AD
2.
以上单位为：毫米
3.
需要开槽，槽口可为圆形
4.
尺寸
D
和
E
不包括摸具溢料
版本
1.1
2021
年
9
月
说明：
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版本
1.1
