InventChip-IV1Q12080T3

2022

年

7

月  

IV1Q12080T3

–

1200V 80m

Ω

SiC MOSFET  

封装示意图

:  

特点  

⚫

⚫

⚫

⚫

高压、低导通电阻  

高速、寄生电容小  

高工作结温  

快速恢复体二极管  

应用  

⚫

⚫

⚫

⚫

⚫

光伏逆变器  

UPS

电源  

TO247-3  

电机驱动  

高压

DC/DC

变换器  

开关电源  

丝印示意图

:  

1Q12080T3 = Specific Device Code  

YY  

= Year  

1Q12080T3  

YYWWZ  

XXXX  

WW  

Z

= Work Week  

= Assembly Location  

= Lot Traceability  

XXXX  

最大额定值

（

T

C

=25

°

C

，特殊说明除外）  

符号  

参数说明  

典型值  

单位  

测试条件  

备注  

V

DS  

漏源电压  

1200  

V

V

V

GS

=0V, I

D

=100

μ

A  

静态（

DC

）  

V

GSmax

(DC)  

最大直流栅源电压  

-5 to 22  

<1%

占空比，脉冲宽度  

<200ns  

V

GSmax

(Spike)  

最大尖峰栅源电压  

-10 to 25  

V

V

GSon  

V

GSoff  

推荐使用的开通栅源电压  

推荐使用的关断栅源电压  

20

±

0.5  

-3.5 to -2  

42  

V

V

A

V

GS

=20V, T

C

=25

°

C  

V

GS

=20V, T

C

=100

°

C  

根据器件安全工作区确定  

T

C

=25

°

C  

I

D  

最大漏源电流  

图

21  

31  

A

I

DM  

P

TOT  

T

stg  

T

J  

最大脉冲漏源电流  

最大耗散功率  

存储温度范围  

工作结温范围  

70  

A

图

24  

图

22  

300  

W

°

C  

°

C  

-55 to 175  

-55 to 175  

引线处波峰焊接，距外壳  

T

L  

焊接温度  

260  

°

C  

1.6

毫米，持续不超过

10

秒  

热阻特性  

符号  

参数说明  

典型值  

单位  

备注  

R

θ

(J-C)  

结到外壳的热阻  

0.5  

°C

/W  

图

23  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

电学特性

（

T

C

=25

°

C

，特殊说明除外）  

规范值  

符号  

参数说明  

单位  

测试条件  

备注  

最小  

典型  

最大  

100  

±

100  

5

I

DSS  

I

GSS  

关断时的漏极漏电流  

栅极漏电流  

5

μ

A  

nA  

V

V

DS

=1200V, V

GS

=0V  

V

DS

=0V, V

GS

=-5~20V  

V

GS

=V

DS

, I

D

=3.8mA  

V

GS

=V

DS

, I

D

=3.8mA  

@ T

C

=175

°

C  

1.8  

3.6  

2.7  

V

TH  

阈值电压  

图

8

，

9  

V

GS

=20V, I

D

=10A  

@T

J

=25

°

C  

80  

100  

m

Ω  

m

Ω  

图

4

，

5

，

6

，  

R

ON  

导通电阻  

7

V

GS

=20V, I

D

=10A  

@T

J

=175

°

C  

130  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

E

oss  

输入电容  

1680  

69  

pF  

pF  

pF  

μ

J  

输出电容  

图

16  

图

17  

V

DS

=800V, V

GS

=0V,  

f=1MH

Z

, V

AC

=25mV  

反向传输电容  

输出电容存储能量  

6.7  

27  

I

D

=20A, V

DD

=50V,  

L=2mH  

E

AS  

单脉冲雪崩能量  

0.75  

J

Q

g  

Q

gs  

Q

gd  

R

g  

栅极总电荷  

栅源电荷  

76  

29  

34  

4.2  

nC  

nC  

nC  

Ω

V

DS

=800V, I

D

=20A,  

V

GS

=-5 to 20V  

图

18  

栅漏电荷  

栅极输入电阻  

f=1MH

Z  

E

ON  

导通能量  

337  

μ

J  

μ

J  

V

DS

=800V, I

D

=20A,  

V

GS

=-3.5 to 20V,  

R

G(ext)

=2.0

Ω,  

E

OFF  

t

d(on)  

t

r  

关断能量  

44  

22  

17  

17  

12  

导通延迟时间  

上升时间  

图

19

，

20  

ns  

L=290

μ

H  

t

d(off)  

t

f  

关断延迟时间  

下降时间  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

体二极管特性

（

T

C

=25

°

C

，特殊说明除外）  

规范值  

符号  

参数说明  

单位  

测试条件  

备注  

最小  

典型  

最大  

4.7  

V

V

I

SD

=10A, V

GS

=0V  

I

SD

=10A, V

GS

=0V,  

T

J

=175

°

C  

图

10

，

11

，  

V

SD  

正向电压  

12  

4.2  

V

GS

=0V, I

SD

=20A,  

V

R

=800V,  

t

rr  

反向恢复时间  

40  

57  

ns  

nC  

A

Q

rr  

I

RRM  

反向恢复电荷  

di/dt=1100A/us,  

R

G(ext)

=11.0

Ω  

反向恢复峰值电流  

4.7  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

典型特征曲线  

图

. 1

 

输出曲线

@ T

J

=-55

°

C  

图

. 2

 

输出曲线

@ T

J

=25

°

C  

图

. 3

 

输出曲线

@ T

J

=175

°

C  

图

. 4 Ron

和温度关系曲线  

图

. 5

 

归一化的

Ron

和温度关系曲线  

图

. 6

 

各温度下的

Ron

和

I

DS

关系曲线  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

图

. 8

 

各温度下的传输特性曲线  

图

. 7

 

各

V

GS

下的

Ron

和温度关系曲线  

图

. 9

 

阈值电压随温度变化曲线  

图

. 10

 

体二极管导通曲线

@ T

J

=-55

°

C  

图

. 12

 

体二极管导通曲线

@ T

J

=175

°

C  

图

. 11

 

体二极管导通曲线

@ T

J

=25

°

C  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

图

. 14

 

第三象限曲线

@ T

J

=25

°

C  

图

. 13

 

第三象限曲线

@ T

J

=-55

°

C  

图

. 15

 

第三象限曲线

@ T

J

=175

°

C  

图

. 16

 

各电容和

V

DS

关系曲线  

图

. 17

 

输出电容存储能量曲线  

图

. 18

 

栅电荷特征曲线  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

图

. 20

 

开关时间和栅极电阻

R

G(ext)

关系曲线  

图

. 19

 

开关能量和栅极电阻

R

G(ext)

关系曲线  

图

. 21

 

漏端电流和温度关系曲线  

图

. 22

 

最大功耗降额和温度关系曲线  

图

. 24

 

安全工作区示意图  

图

. 23

 

热阻曲线  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

封装尺寸  

Dimensions In Millimeters  

SYMBOL  

MIN.  

4.83  

2.29  

1.50  

1.07  

1.07  

1.91  

1.91  

2.87  

2.87  

0.55  

0.55  

20.80  

16.25  

0.51  

15.70  

13.10  

3.68  

MAX.  

5.21  

2.55  

2.49  

1.33  

1.28  

2.41  

2.34  

3.38  

3.18  

0.69  

0.65  

21.10  

17.65  

1.35  

16.13  

14.16  

5.49  

A

A1  

A2  

b

b1  

b2  

b3  

b4  

b5  

c

c1  

D

D1  

D2  

E

E1  

E2  

e

5.44 BSC  

L

19.80  

3.95  

3.50  

7.00  

5.39  

6.04  

20.32  

4.40  

3.70  

7.40  

6.20  

6.30  

L1  

φ

P  

φ

P1  

Q

S

说明：  

1.

封装标准参考：

: JEDEC TO247, Variation AD  

2.

以上单位为：毫米  

3.

需要开槽，槽口可为圆形或方形  

4.

尺寸

D

和

E

不包括摸具溢料  

5.

如有变更，不另行通知  

版本

1.2  

2022

年

7

月  

说明  

欲了解更多的产品及公司信息，请联系

IVCT

公司办公人员或登录公司网站。  

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版本

1.2