Jilin-Sino-Microelectronics-JCS10N65FC

R

JCS10N65FC  

JCS10N65FC  

封装

Package  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

10 A  

I

D  

650 V  

1.0

Ω

 

V

DSS  

Rdson-max  

（@Vgs=10V）  

Qg-Typ  

54 nC  

APPLICATIONS  

用途  

z

High efficiency switch  

mode power supplies  

z

Electronic lamp ballasts  

based on half bridge  

z

高频开关电源  

z

电子镇流器  

z

LED

电源  

z

LED power supplies  

产品特性  

z

低栅极电荷  

FEATURES  

z

Low gate charge  

z

Low C

rss

(typical 18pF )  

z

Fast switching  

z

低

C

rss

(

典型

值

18pF)  

z

开关速度快  

z

产品全部经过雪崩测试  

z

高

抗

dv/dt

能力  

z

RoHS

产品  

z

100% avalanche tested  

z

Improved dv/dt capability  

z

RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

无卤素  

Halogen  

Free  

器件重量  

订 货 型 号  

印

记

封

装

包

装

Device  

Order codes  

Marking  

Package  

Packaging  

Weight  

JCS10N65FC-O-F-N-B  

JCS10N65F TO-220MF  

否

NO  

NO  

条管

Tube 2.20

 

g(typ)  

条管

Tube 2.00

 

g(typ)  

JCS10N65FC-O-F2-N-B JCS10N65F TO-220MF-K2

否  

版本：

201510D  

1/10  

R

JCS10N65FC  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

 

(

T

c

=25

℃

)  

数 值  

单

位

项

目

符 号  

Value  

Parameter  

Symbol  

Unit  

JCS10N65FC  

最高漏极－源极直流电压  

V

DSS  

650  

V

Drain-Source Voltage  

I

D  

10*  

A

A

连续漏极电流  

T=25

℃  

T=100

℃  

Drain Current  

-continuous  

6.0*  

最大脉冲漏极电流

（

注

1

）  

I

DM  

40*  

±30  

1000  

10  

A

V

Drain Current – pulse

（

note 1

）  

最高栅源电压  

V

GSS  

E

AS  

I

AR  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量

（

注

2

）  

mJ  

A

Single Pulsed Avalanche Energy

（

note 2

）  

雪崩电流

（

注

1

）  

Avalanche Current

（

note 1

）  

重复雪崩能量

（

注

1

）  

E

AR  

dv/dt  

15.6  

5.0  

mJ  

V/ns  

W

Repetitive Avalanche Current

（

note 1

）  

二极管反向恢复最大电压变化速率

（

注

3

）  

Peak Diode Recovery dv/dt

（

note 3

）  

P

D  

40  

T

C

=25

℃  

-Derate  

above  

25

℃  

耗散功率  

Power Dissipation  

0.32  

W/

℃  

℃

最高结温及存储温度  

Operating and Storage

T

e

mperature  

Range  

T

J

，

T

STG  

-55

～

+150  

引线最高焊接温度  

Maximum Lead

T

e

mperature for Soldering

 

T

L  

Purposes  

300  

℃

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201510D  

2/10  

R

JCS10N65FC  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符 号  

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

Parameter  

关态特性

Off –Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS  

I

D

=250

μ

A, V

GS

=0V  

650  

–

–

–

–

V

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

I

D

=250

μ

A, referenced to  

25

℃  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

Δ

BV

DSS

/

Δ

T

J  

0.65  

V/

℃  

V

DS

=650V,V

GS

=0V,  

–

–

–

–

10  

μ

A  

零栅压下漏极漏电流  

T

C

=25

℃  

I

DSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

V

DS

=520V,  

T

C

=125

℃  

100

μ

A  

正向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

forward  

I

GSSF  

V

DS

=0V, V

GS

=30V  

V

DS

=0V, V

GS

=-30V  

–

–

–

–

100 nA  

反向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

reverse  

I

GSSR  

-100 nA  

通态特

性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)  

R

DS(ON)  

g

fs  

V

DS

= V

GS

, I

D

=250

μ

A  

V

GS

=10V ,

 

I

D

=5.0A  

2.0  

–

4.0  

V

Ω

S

Gate Threshold Voltage  

静态导通电阻  

Static Drain-Source  

On-Resistance  

–

–

0.73 1.0  

正向跨导  

V

DS

= 40V, I

D

=5.0

A

（

note 4

）  

5.7  

–

Forward Transconductance  

动态特

性

Dynamic Characteristics  

输入电容  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

–

–

–

1270 1660

 

pF  

150 133

 

pF  

Input capacitance  

输出电容  

V

DS

=25V,  

V

Output capacitance  

反向传输电容  

f=1.0MH

Z  

18  

25  

pF  

Reverse transfer capacitance  

版本：

201510D  

3/10  

R

JCS10N65FC  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

开关特

性

Switching Characteristics  

延迟时

间

Turn-On delay time  

上升时

间

Turn-On rise time  

延迟时

间

Turn-Off delay time  

下降时

间

Turn-Off Fall time  

栅极电荷总

量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电

荷

Gate-Source charge  

栅－漏电

荷

Gate-Drain charge  

t

d

(on)  

t

r  

V

DD

=325V,I

D

=10A,R

G

=25

Ω  

（

note 4

，

5

）  

–

–

–

–

–

–

–

30.7 39  

75.5 97  

ns  

ns  

t

d

(off)  

t

f  

85 108

 

ns  

54.4

71  

ns  

nC  

nC  

nC  

V

DS

=520V ,  

Q

g  

54 75  

I

D

=10A  

Q

gs  

Q

gd  

7.5  

–

–

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

21.4  

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain  

-Source Diode Forward Current  

正向最大脉冲电流  

I

S  

–

–

–

–

–

10  

40  

–

A

A

V

Maximum Pulsed Drain-Source  

Diode Forward Current  

正向压降  

I

SM  

Drain-Source Diode Forward  

Voltage  

V

SD  

V

GS

=0V,  

I

S

=10A  

1.30  

反向恢复时间  

t

rr  

–

–

453  

2.9  

–

–

ns  

Reverse recovery time  

反向恢复电荷  

V

GS

=0V, I

S

=10A  

dI

F

/dt=100A/

μ

s  

(note 4)  

Q

rr  

μ

C  

Reverse recovery charge  

热特

性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大  

Max  

项

目

符 号  

单 位  

Parameter  

Symbol  

Unit  

JCS10N65FC  

结到管壳的热阻  

R

th(j-c)  

R

th(j-A)  

3.1  

56  

℃

/W  

℃

/W  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

Notes:  

注释：  

1

：

Pulse width limited by maximum junction  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

2

：

L=18mH, I

AS

=10A, V

DD

=50

V

, R

G

=25

Ω

,

起始  

结

温

T

J

=25

℃  

temperature  

2

：

L=18mH, I

AS

=10A, V

DD

=50

V

, R

G

=25

Ω

,Starting  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

10A,di/dt

≤

300A/

μ

s,VDD

≤

BV

DSS

,

起始结温  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

10A,di/dt

≤

300A/

μ

s,VDD

≤

BV

DSS

, Starting  

T

J

=25

℃  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

μ

s,

占空比

≤

2

％  

5

：基本与工作温度无关  

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width

≤

300

μ

s,Duty Cycle

≤

2

％  

5

：

Essentially independent of operating temperature  

版本：

201510D  

4/10  

R

JCS10N65FC  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transfer Characteristics  

On-Region Characteristics  

V

GS  

Top  

15V  

10V  

9V  

8V  

10  

7V  

6.5V  

6V  

10  

5.5V  

Bottom 5V  

150  

℃

25  

℃

1

Notes:  

1. 250

μ

s pulse test  

2. T

C

=25  

Notes:  

1.250

μ

s pulse test  

2.V

DS

=40V  

1

℃

0.1  

2

4

6

8

10  

1

10  

V

GS

[V]  

V

DS

[V]  

On-Resistance Variation vs.  

Drain Current and Gate Voltage  

Body Diode Forward Voltage Variation  

vs. Source Current and Temperature  

10  

25  

℃

150  

℃

1

Notes:  

1. 250

μ

s pulse test  

2. V

GS

=0V  

0.1  

0.2  

0.3  

0.4  

0.5  

0.6  

0.7  

0.8  

0.9  

1.0  

1.1  

1.2  

1.3  

V

SD

[V]  

Gate Charge Characteristics  

Capacitance Characteristics  

Ciss  

Coss  

Crss  

版本：

201510D  

5/10  

R

JCS10N65FC  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

On-Resistance Variation  

vs. Temperature  

Breakdown Voltage Variation  

vs. Temperature  

1.2  

1.1  

1.0  

0.9  

0.8  

4.0  

3.5  

3.0  

2.5  

2.0  

1.5  

1.0  

0.5  

0.0  

Notes:  

1. V

GS

=0V  

2. I

D

=250

μ

A  

Notes:  

1. V

GS

=

10V  

2. I

D

=4.75A  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

j

[

℃

]  

T

j

[

℃

]  

Maximum Drain Current  

vs. Case Temperature  

Maximum Safe Operating Area  

TO-220MF  

10  

8

6

4

2

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

C

C

ase Temperature [

℃

]  

Avalanche Energy  

vs. Temperature  

版本：

201510D  

6/10  

R

JCS10N65FC  

Transient Thermal Response Curve  

TO-220MF  

版本：

201510D  

7/10  

R

JCS10N65FC  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF  

单

位

Unit

：

mm  

版本：

201510D  

8/10  

R

JCS10N65FC  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF-K2  

单

位

Unit

：

mm  

版本：

201510D  

9/10  

R

JCS10N65FC  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to contact us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳

街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

网址：

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

：

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳

街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l:  

86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411-3098/3099  

Fax: 86-432-64671533  

64678411-3098/3099  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201510D  

10/10