Jilin-Sino-Microelectronics-JCS2N60V

N

沟道增强型场效应晶体管  

R

N-CHANNEL MOSFET  

JCS2N60  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

封装

Package  

2.0 A  

600 V  

I

D  

V

DSS  

Rdson-max  

（

Vgs=10V

）  

Qg  

5

Ω

 

15.3 nC  

APPLICATIONS  

用途  



High frequency switching  

mode power supply  



Electronic ballast  



UPS  



高频开关电源  



电子镇流器  



UPS

电源  

产品特性  



低栅极电荷  

FE

A

T

URES  



Low gate charge  



低

C

rss

(

典型值

7.6pF)  

B

B



Low C

rss

(typical 7.6pF )  

B

B



开关速度快  



Fast switching  



产品全部经过雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

订 货 型 号

 

Order codes  

印

记

封

装

有卤

–

条管  

无卤

–

条管  

有卤

–

编带  

无卤

–

编带  

Halogen-Free-

Reel  

Marking  

Package  

Halogen-

T

u

be  

Halogen-Free-

Tube  

Halogen-

Reel  

JCS2N60R -R-B  

JCS2N60V -V-B  

JCS2N60C -C-B  

JCS2N60F -F-B  

JCS2N60R -R-BR

 

JCS2N60R-R-A JCS2N60R-R-AR

 

JCS2N60R DPAK  

JCS2N60V -V-BR  

JCS2N60C -C -BR  

JCS2N60F -F -BR  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

JCS2N60V IPAK  

JCS2N60C TO-220C  

JCS2N60F TO-220MF  

版本：

201806C  

1/12  

R

JCS2N60  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

 

(

T

c

=25

℃

)  

数

值

Value  

项

目

符

号

单

位

Parameter  

最高漏极－源极直流电  

压

Symbol  

Unit  

JCS2N60V/R  

JCS2N60C  

JCS2N60F  

V

DSS  

B

B

600  

V

Drain-Source Voltage  

连续漏极电流  

I

D  

T=25

℃  

T=100

℃  

B

1.9  

1.1  

2.0  

1.3  

2.0*  

1.3*  

A

A

Drain  

B

Current-continuous  

最大脉冲漏极电流

（注

1

）  

Drain Current

–

pulse  

（

note 1

）  

I

DM  

B

B

6.0  

6.0*  

A

V

最高栅源电压  

V

GSS  

B

B

±30  

120  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量

（注

2

）  

Single Pulsed  

E

AS  

B

B

mJ  

Avalanche  

Energy

（

note 2

）  

雪崩电流

（注

1

）  

Avalanche Current(note

 

I

AR  

B

B

2.0  

5.4  

A

1)  

重复雪崩能量

（注

1

）  

Repetitive Avalanche  

Energy

（

note 1

）  

二极管反向恢复最大电  

压变化速率

（注

3

）  

Peak Diode Recovery  

Dv/dt

（

note 3

）  

E

AR  

B

B

mJ  

dv/dt  

5.5  

V/ns  

P

D  

B

44  

54  

23  

W

B

T

C  

B

B

=25

℃  

耗散功率  

-Derate  

above  

25

℃  

Power Dissipation  

0.35  

0.43  

0.18  

W/

℃  

最高结温及存储温度  

Operating and Storage  

T

e

mperature Range  

引线最高焊接温度  

Maximum Lead  

T

B

B

B

B

-55

～

+150  

℃

℃

T

L  

B

B

300  

T

e

mperature for  

Soldering Purposes  

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201806C  

2/12  

R

JCS2N60  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符

号

测试条件  

最大 典

型

最大单

 

位  

Parameter  

关态特性

Off

–

Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS  

B

B

I

D  

B

B

=250

μ

A, V

GS  

B

B

=0V  

600  

–

–

–

–

V

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

ΔBV

DSS  

B

B

/

Δ  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

I

D  

B

B

=1mA, referenced to 25

℃  

0.65  

V/

℃  

T

J  

B

B

V

DS  

T

C

=25

℃  

V

D

S

=480V, T

C

=125

℃  

B

B

=600V,V

G

S

=0V,  

B

B

–

–

–

–

10

μA  

100

μA  

零栅压下漏极漏电流  

B

B

I

DSS  

B

B

Zero Gate Voltage Drain Current  

B

B

B

B

正向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

forward  

I

GSSF  

B

B

V

DS  

B

B

=0V,

V

GS  

B

B

=30V  

–

–

–

–

100 nA  

-100 nA  

反向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

reverse  

I

GSSR  

B

B

V

DS  

B

B

=0V,

V

GS  

B

B

=-30V  

通态特性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)  

B

B

V

DS  

B

B

= V

GS  

B

B

, I

D  

B

B

=250

μ

A  

2.0  

–

4.0  

V

Ω

S

Gate Threshold Voltage  

静态导通电阻  

Static Drain-Source  

On-Resistance  

R

DS(ON)  

B

B

V

GS  

B

B

=10V ,

 

I

D  

B

B

=1A  

–

–

3.8 5.0  

正向跨导  

V

DS  

B

B

= 40V , I

D  

B

B

=1.0A

（

note  

2.05  

–

–

g

fs  

B

B

Forward Transconductance  

4

）  

动态特性

Dynamic Characteristics  

栅极电阻  

Rg  

0.8  

4.5  

Ω

F=1.0MH

Z

open drain  

Gate resistance  

输入电容  

V

DS  

V

GS  

f=1.0MH

Z  

B

B

=25V,  

C

iss  

B

B

180 380 490

 

pF  

16 35 46

 

pF  

3.0 7.6 9.9

 

pF  

Input capacitance  

B

B

=0V,  

B

B

输出电容  

C

oss  

B

B

Output capacitance  

反向传输电容  

C

rss  

B

B

Reverse transfer capacitance  

版本：

201806C  

3/12  

R

JCS2N60  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

开关特性

Switching Characteristics  

延迟时间

Turn-On delay time  

上升时间

Turn-On rise time  

延迟时间

Turn-Off delay time  

下降时间

Turn-Off Fall time  

栅极电荷总量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电荷

Gate-Source charge  

栅－漏电荷

Gate-Drain charge  

t

d  

t

r  

t

d  

t

f  

B

B

(on)  

V

DD  

B

B

=300V,I

D  

B

B

=2.0A,R

G  

B

B

=25Ω  

–

–

–

–

–

–

–

16 40  

ns  

（

note 4

，

5

）  

B

B

50 110

 

ns  

B

B

(off)  

40 90  

40 90  

ns  

ns  

B

B

V

DS  

I

D

=2.0A  

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

B

B

=480V ,  

Q

g  

B

B

15.3 19

 

nC  

1.8 5.0

 

nC  

7.2 16.0

 

nC  

B

B

Q

gs  

B

B

B

B

Q

gd  

B

B

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

I

S  

B

B

–

–

–

–

–

–

2.0  

6.0  

1.4  

A

A

V

Maximum Continuous Drain  

-Source Diode Forward Current  

正向最大脉冲电流  

Maximum Pulsed Drain-Source  

Diode Forward Current  

正向压降  

I

SM  

B

B

Drain-Source Diode Forward  

Voltage  

V

SD  

B

B

V

GS  

B

B

=0V,  

I

S

=2.0A  

B

B

反向恢复时间  

t

rr  

B

B

–

–

250 600

 

ns  

Reverse recovery time  

反向恢复电荷  

V

GS  

B

B

=0V,

I

S  

B

B

=2.0A  

dI

F

/dt=100A/

μ

s (note

 

4)  

B

B

Q

rr  

B

B

B

B  

1.31 4.0

 

μC  

Reverse recovery charge  

热特性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大  

Max  

项

目

符

号

单 位  

Parameter  

Symbol  

Unit  

JCS2N60V/  

R

JCS2N60C JCS2N60F  

结到管壳的热阻  

R

th(j-c)  

R

th(j-A)  

2.87  

110  

2.32  

62.5  

5.50  

62.5  

℃

/W  

℃

/W  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

注释：  

Notes:  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

1

：

Pulse width limited by maximum junction  

2

：

L=55mH, I

AS  

温

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

2

A,di/dt ≤

300A/

μs,VDD≤BV

DSS  

T

J

=25

℃  

B

B

=2.0A, V

DD  

B

B

=50

V

,

R

G

=25 Ω,

起始结  

B

B

temperature  

B

B

2

：

L=55mH, I

AS  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

2

A,di/dt ≤

300A/

μs,VDD≤BV

DSS  

T

J

=25

℃  

B

B

=2.0A, V

DD  

B

B

=50

V

,

R

G

=25 Ω,Starting  

B

B

B

B

B

B

,

起始结温  

B

B

B

B

B

B

B

B

, Starting  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μ

s,

占空比

≤2

％  

5

：基本与工作温度无关  

B

B

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2

％  

版本：

201806C  

4/12  

R

JCS2N60  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transfer Characteristics  

On-Region Characteristics  

10  

V

GS  

15V  

10V  

8V  

Top  

7V  

6.5V  

6V  

5.5V  

150

℃

 

Bottom 5V  

1

1

Notes

：

 

1. 250μs pulse test  

2. T

C

=25

℃  

Notes

：

 

25

℃  

1.250μs pulse test  

2.V

DS

=40V  

0.1  

0.1  

1

10  

2

4

6

8

10  

V

DS

[V]  

V

GS

[V]  

On-Resistance Variation vs.  

Body Diode Forward Voltage Variation  

vs. Source Current and Temperature  

Drain Current and Gate Voltage  

7 . 5  

7 . 0  

6 . 5  

V

GS

= 1 0 V  

6 . 0  

1

25

℃

 

5 . 5  

V

GS

= 2 0 V  

5 . 0  

150

℃  

Notes

：  

1. 250μs pulse test  

2. V

GS

=0V  

4 . 5  

N o t

e

：

T

j

= 2

5

℃  

4 . 0  

0.1  

0.4  

0 . 5  

1 . 0  

1 . 5  

2 . 0  

2 . 5  

3 . 0  

3 . 5  

0.5  

0.6  

0.7  

0.8  

0.9  

1.0  

1.1  

1.2  

1.3  

I

D

[ A ]  

V

S D

 

[V]  

Capacitance Characteristics  

Gate Charge Characteristics  

12  

10  

8

V

DS

=480V  

V

DS

=300V  

V

DS

=120V  

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10  

12  

14  

16  

18  

Q

g

Toltal Gate Charge [nC]  

版本：

201806C  

5/12  

R

JCS2N60  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Breakdown Voltage Variation  

vs. Temperature  

On-Resistance Variation  

vs. Temperature  

3 . 0  

2 . 5  

2 . 0  

1 . 5  

1 . 0  

0 . 5  

0 . 0  

1.2  

1.1  

1.0  

0.9  

0.8  

Notes

：

 

N o t

e

：

s  

1. V

GS

=0V  

2. I

D

=250μA  

1 .

 

V= 1 0 V  

GS  

2 .

D

=

I

1 . 0 A  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

– 7 5  

– 5 0  

– 2 5  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

j

[

℃

]  

T

j

[

℃

]  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS2N60F  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS2N60V/R/C  

Maximum Drain Current  

vs. Case Temperature  

2.0  

1.8  

1.6  

1.4  

1.2  

1.0  

0.8  

0.6  

0.4  

0.2  

0.0  

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

C

Case Temperature [

℃

]  

版本：

201806C  

6/12  

R

JCS2N60  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS2N60V/R  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS2N60C  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS2N60F  

版本：

201806C  

7/12  

R

JCS2N60  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

IPAK  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806C  

8/12  

R

JCS2N60  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

DPAK  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806C  

9/12  

R

JCS2N60  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220C  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806C  

10/12  

R

JCS2N60  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806C  

11/12  

R

JCS2N60  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to cont

act us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l: 86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411  

646784  

Fax: 86-432-64671533  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201806C  

12/12