Jilin-Sino-Microelectronics-JCS4N60FC

N

沟道增强型场效应晶体管  

R

N-CHANNEL MOSFET  

JCS4N60C  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

封装

Package  

4.0 A  

600 V  

2.0

Ω

 

2.5

Ω  

17.5nC  

I

D  

V

DSS  

Typ  

Rdson  

（

Vgs=10V

）  

Qg-typ  

Max  

APPLICATIONS  

用途  



High frequency switching  

mode power supply  



Electronic ballast  



LED power supply  



高频开关电源  



电子镇流器  



LED

电源  

产品特性  



低栅极电荷  

FE

A

T

URES  



Low gate charge  



Low C

rss

(typical 3.06pF )  



Fast switching  



低

C

rss

(

典型值

3.06pF)  



开关速度快  



产品全部经过雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

订 货 型 号

 

Order codes  

印

记

封

装

有卤

–

条管  

Halogen-Tube  

JCS4N60VC-V-B  

JCS4N60VC-V2-B  

JCS4N60CC-C-B  

JCS4N60FC-F-B  

JCS4N60FC-F2-B  

JCS4N60RC-R-B  

JCS4N60BC-B-B  

无卤

–

条管  

有卤

–

编带  

有卤

–

条管  

Marking  

Package  

Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Tube  

JCS4N60VC-V-BR  

JCS4N60VC-V2-BR  

JCS4N60CC-C-BR  

JCS4N60FC-F-BR  

JCS4N60FC-F2-BR  

JCS4N60RC-R-BR  

JCS4N60BC-B-BR  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

N/A  

JCS4N60V IPAK  

N/A  

JCS4N60V IPAK-S2  

JCS4N60C TO-220C  

JCS4N60F TO-220MF  

JCS4N60F TO-220MF-K2  

N/A  

N/A  

N/A  

JCS4N60RC-R-A  

N/A  

JCS4N60RC-R-AR JCS4N60R DPAK  

N/A  

JCS4N60B TO-262  

版本：

201807N  

1/14  

R

JCS4N60C  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

 

(

T

c

=25

℃

)  

数

值

项

目

符

号

Value  

单位  

Parameter  

Symbol  

JCS4N60VC/  

RC  

JCS4N60  

CC/BC  

JCS4N60  

FC  

JCS4N60  

FC-K2  

Unit  

最高漏极－源极直流电压  

V

DSS  

600  

V

Drain-Source Voltage  

I

D  

4.0  

2.5  

A

A

连续漏极电流  

T=25

℃  

T=100

℃  

Drain Current

 

-continuous  

最大脉冲漏极电流（注

1

）  

Drain Current – pulse

（

note 1

）  

最高栅源电压  

I

DM  

16  

16*  

A

V

V

GSS  

±30  

416  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量（注

2

）  

Single Pulsed Avalanche  

Energy

（

note 2

）  

E

AS  

mJ  

雪崩电流（注

1

）  

I

AR  

4.0  

A

Avalanche Current

 

（

note 1

）  

重复雪崩能量（注

1

）  

Repetitive Avalanche Current  

（

note 1

）  

E

AR  

11.0  

mJ  

二极管反向恢复最大电压变化  

速率（注

3

）  

dv/dt  

5.5  

V/ns  

Peak Diode Recovery

 

dv/dt  

（

note 3

）  

P

D  

159.2  

1.274  

179.6  

1.436  

40.8  

28.4  

W

耗散功率  

T

C

=25

℃  

Derate  

above 25

℃  

Power Dissipation  

0.326  

0.227  

W/

℃  

最高结温及存储温度  

Operating and Storage  

T

e

mperature Range  

T

J

，

T

STG  

-55

～

+150  

℃

℃

引线最高焊接温度  

Maximum Lead

T

e

mperature  

for Soldering Purposes  

T

L  

300  

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201807N  

2/14  

R

JCS4N60C  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

Parameter  

关态特性

Off

–

Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS  

I

D

=250

μ

A, V

GS

=0V  

600  

–

–

–

–

V

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

ΔBV

DSS

/

Δ

I

D

=250

μ

A, referenced to  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

0.6  

V/

℃  

μA  

T

J  

25

℃  

V

DS

=600V,V

GS

=0V,  

T

C

=25

℃  

–

–

–

–

10  

零栅压下漏极漏电流  

I

DSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

V

DS

=480V, T

C

=125

℃  

100

μA  

正向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

forward  

I

GSSF  

V

DS

=0V, V

GS

=30V  

V

DS

=0V, V

GS

=-30V  

–

–

–

–

100 nA  

反向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

reverse  

I

GSSR  

-100 nA  

通态特性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)  

R

DS(ON)  

g

fs  

V

DS

= V

GS

, I

D

=250

μ

A  

2.0  

–

4.0  

V

Ω

Ω

Ω

S

Gate Threshold Voltage  

V

GS

=10V ,

 

I

D

=2.0A  

25

℃  

–

–

–

–

2.0 2.5  

3.5 4.1  

5.2 5.8  

V

GS

=10V ,

 

I

D

=2.0A  

100

℃  

静态导通电阻  

Static Drain-Source  

On-Resistance  

V

GS

=10V ,

 

I

D

=2.0A  

150

℃  

正向跨导  

V

DS

= 40V , I

D

=2.0A  

（

note 4

）  

1.8  

–

–

Forward Transconductance  

动态特性

Dynamic Characteristics  

栅极电阻  

Rg  

0.8  

5.5  

Ω

F=1.0MH

Z

open drain  

Gate resistance  

输入电容  

V

DS

=25V,  

V

GS

=0V,  

f=1.0MH

Z  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

–

–

–

642.1 860

 

pF  

70.82 100

 

pF  

Input capacitance  

输出电容  

Output capacitance  

反向传输电容  

3.06 15  

pF  

Reverse transfer capacitance  

版本：

201807N  

3/14  

R

JCS4N60C  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

开关特性

Switching Characteristics  

延迟时间

Turn-On delay time  

上升时间

Turn-On rise time  

延迟时间

Turn-Off delay time  

下降时间

Turn-Off Fall time  

栅极电荷总量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电荷

Gate-Source charge  

栅－漏电荷

Gate-Drain charge  

t

d

(on)  

t

r  

V

DD

=300V,I

D

=4.0A,R

G

=25Ω  

（

note 4

，

5

）  

–

–

–

–

–

–

–

9.6 20  

23.6 50  

38.8 80  

26.4 70  

17.5 25  

ns  

ns  

t

d

(off)  

t

f  

ns  

ns  

V

DS

=480V ,  

Q

g  

nC  

nC  

nC  

I

D

=4.0A  

Q

gs  

Q

gd  

4.3  

8

9

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

4.66  

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain  

-Source Diode Forward Current  

正向最大脉冲电流  

I

S  

–

–

–

–

–

–

4

A

A

V

Maximum Pulsed Drain-Source  

Diode Forward Current  

正向压降  

I

SM  

16  

1.4  

Drain-Source Diode Forward  

Voltage  

V

SD  

V

GS

=0V,  

I

S

=4.0A  

反向恢复时间  

t

rr  

–

–

380.7 900  

1.555 4.0  

ns  

Reverse recovery time  

反向恢复电荷  

V

GS

=0V, I

S

=4.0A  

dI

F

/dt=100A/

μ

s (note

 

4)  

Q

rr  

μC  

Reverse recovery charge  

热特性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大

Max  

项

目

符

号

单位  

JCS4N60 JCS4N60FC

 

JCS4N60FC  

Parameter  

Symbo

l

JCS4N60  

Unit  

℃

/W  

℃

/W  

VC/RC  

CC/BC  

(TO-220MF

）

(TO-22MF-K2)  

结到管壳的热阻  

R

th(j-c)  

R

th(j-A)  

0.785  

79.89  

0.696  

3.063  

44.42  

4.407  

46.87  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

59.34  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

Notes:  

注释：  

1

：

Pulse width limited by maximum junction  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

temperature  

2

：

L=48mH, I

AS

=4.0A, V

DD

=50V, R

G

=25 Ω,

起始结  

温

T

J

=25

℃  

2

：

L=48mH, I

AS

=4.0A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,Starting  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

4

.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV

DSS

,

起始结温  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤

4

.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV

DSS

, Starting  

T

J

=25

℃  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2

％  

5

：基本与工作温度无关  

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2

％  

5

：

Essentially independent of operating temperature  

版本：

201807N  

4/14  

R

JCS4N60C  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transfer Characteristics  

On-Region Characteristics  

10  

V

GS  

15V  

10V  

8V  

10  

Top  

7V  

6.5V  

6V  

150

℃

 

5.5V  

Bottom 5V  

1

25

℃  

Notes

：

 

1

Notes

：

 

1.250μs pulse test  

2.V

DS

=40V  

1. 250μs pulse test  

2. T

C

=25

℃  

0.1  

2

4

6

8

10  

10  

V

GS

[V]  

V

DS

[V]  

On-Resistance Variation vs.  

Drain Current and Gate Voltage  

Body Diode Forward Voltage Variation  

vs. Source Current and Temperature  

3.2  

10  

3.0  

2.8  

2.6  

2.4  

2.2  

2.0  

1.8  

V

GS

=10V  

V

GS

=20V  

25

℃

 

1

150

℃  

Notes

：  

1. 250μs pulse test  

Note

：

T

j

=25

℃  

2. V

GS

=0V  

0.1  

0.4  

0

1

2

3

4

5

6

0.5  

0.6  

0.7  

0.8  

0.9  

1.0  

1.1  

1.2  

1.3  

I

D

[A]  

V

SD

[V]  

Gate Charge Characteristics  

Capacitance Characteristics  

版本：

201807N  

5/14  

R

JCS4N60C  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Breakdown Voltage Variation  

vs. Temperature  

On-Resistance Variation  

vs. Temperature  

1.15  

3.0  

2.5  

2.0  

1.5  

1.0  

0.5  

0.0  

1.10  

1.05  

1.00  

0.95  

0.90  

Notes

：

 

1. V

GS

=0V  

2. I

D

=250μA  

Notes

：

 

1. V

GS

=10V  

2. I

D

=2.0A  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

j

[

℃

]  

T

j

[

℃

]  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS4N60VC/RC  

Maximum Safe Operating Area  

For JC

F

S

o

4

r

N

J

6

C

0

F

S

C

4

N

(

T

6

O

0

–

F

220MF)  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS4N60FC(TO-220MF-K2)  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS4N60CC/BC  

版本：

201807N  

6/14  

R

JCS4N60C  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Maximum Drain Current  

vs. Case Temperature  

Avalanche Energy  

vs. Temperature  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS4N60VC/RC  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS4N60CC/BC  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS4N60FC(TO-220MF)  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS4N60FC(TO-220MF-K2)  

版本：

201807N  

7/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

IPAK  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201807N  

8/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

DPAK  

单位

Unit

：

mm  

编带

REEL  

版本：

201807N  

9/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220C  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201807N  

10/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201807N  

11/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF-K2  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201807N  

12/14  

R

JCS4N60C  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-262  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201807N  

13/14  

R

JCS4N60C  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to contact us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l: 86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411  

64678411  

Fax: 86-432-64671533  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201807N  

14/14