Jilin-Sino-Microelectronics-JCS4N65FB
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N
沟
道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
JCS4N6
5
B
封装
Package
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
4.0 A
6
5
0 V
2.
5
Ω
13.3nC
I
D
V
DSS
Rdso
n
（@Vgs=10V）
Qg
APPLICATIONS
用途
z
High efficiency switch
mode power supplies
z
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z
UPS
z
高频开关电源
z
电子镇流器
z
UPS
电源
产品特性
z
低栅极电荷
FEATURES
z
Low gate charge
z
Low C
rss
(typical 9pF )
z
Fast switching
z
低
C
rss
(
典型
值
9pF)
z
开关速度快
z
产品全部经过雪崩测试
z
高
抗
dv/dt
能力
z
RoHS
产品
z
100% avalanche tested
z
Improved dv/dt capability
z
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
无卤素
包
装
器件重量
Device
Weight
订 货 型 号
印
记
封
装
Halogen
Order codes
Marking
Package
Free
NO
NO
NO
条管
Tube
NO
条管
Tube
Packaging
条管
Tube
0.35 g(typ)
JCS4N6
5
VB-O-V-N-B JCS4N6
5
VB
JCS4N6
5
RB-O-R-N-B JCS4N6
5
RB
IPAK
否
否
否
条管
Tube
0.30 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
D
PAK
JCS4N6
5
CB-O-C-N-B JCS4N6
5
C
B T
O-220C
JCS4N6
5
FB-O-F-N-B JCS4N6
5
FB
T
O-220MF
否
版本：
2010
11
A
1/12
R
JCS4N6
5
B
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(
T
c
=25
℃
)
数 值
单
位
Uni
t
项
目
符 号
Value
Parameter
Symbol
JCS4N6
5
VB/RB
J
CS4N6
5
CB JCS4N6
5
FB
6
5
0
最高漏极－源极直流电压
V
DSS
V
A
A
Drain-Source Voltage
I
D
4.0
2.5
4.0*
2.5*
连续漏极电流
T=25
℃
T=100
℃
Drain Current
-continuous
最大脉冲漏极电流
（
注
1
）
Drain Current – pulse
（
note 1
）
I
DM
16
16*
A
V
最高栅源电压
V
GSS
±30
240
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量
（
注
2
）
Single Pulsed Avalanche
Energy
E
AS
mJ
note 2
）
雪崩电流
（
注
1
）
Avalanche Current
（
note 1
）
I
AR
4.0
A
重复雪崩能量
（
注
1
）
Repetitive Avalanche Current
（
note 1
）
E
AR
10.0
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（
注
3
）
V/n
s
dv/dt
5.5
Peak Diode Recovery
dv/dt
（
note 3
）
P
D
51
100
33
W
T
C
=25
℃
-Derate
above
25
℃
耗散功率
W/
Power Dissipation
0.39
0.80
0.26
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
T
e
mperature Range
T
J
，
T
STG
-55
～
+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead
T
e
mperature
for Soldering Purposes
*
漏极电流由最高结温限制
T
L
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：
2010
11
A
2/12
R
JCS4N6
5
B
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
测试条件
最小 典
型
最大单
位
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ
Max Units
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
6
5
0
–
–
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Δ
BV
DSS
/
Δ
I
D
=250
μ
A, referenced to
Breakdown Voltage
T
e
mperature
Coefficient
–
0.65 –
V/
℃
T
J
25
℃
V
DS
=6
5
0V,V
GS
=0V,
T
C
=25
℃
零栅压下漏极漏电流
–
–
–
–
10
μ
A
10
0
μ
A
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
=
50
0V,
T
C
=125
℃
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
–
–
–
100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
– -100 nA
通态特
性
On-Characteristics
阈值电压
V
GS(th)
R
DS(ON)
g
fs
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
2.0
–
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
=10V ,
I
D
=2A
–
–
1.
8
2.
5
正向跨导
4.7
–
Forward Transconductance
V
DS
= 40V , I
D
=2A
（
note 4
）
动态特
性
Dynamic Characteristics
输入电容
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
C
iss
–
–
–
490 642
pF
95 124
pF
Input capacitance
输出电容
C
oss
C
rss
Output capacitance
反向传输电容
9
12 pF
Reverse transfer capacitance
版本：
2010
11
A
3/12
R
JCS4N6
5
B
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特
性
Switching Characteristics
延迟时
间
Turn-On delay time
上升时
间
Turn-On rise time
延迟时
间
Turn-Off delay time
下降时
间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总
量
T
o
tal Gate Charge
栅－源电
荷
Gate-Source charge
栅－漏电
荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
V
DD
=300V,I
D
=4A,R
G
=25
Ω
（
note 4
，
5
）
–
–
–
–
–
–
–
16 42
ns
49 111
ns
46 102
ns
37 84
ns
13.3 19
nC
t
d
(off)
t
f
V
DS
=480V ,
I
D
=4A
GS
=10V
（
note 4
，
5
）
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.6
4.9
–
–
nC
nC
V
漏－源二极管特性及最大额定
值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I
S
–
–
–
–
–
4
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I
SM
16
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=4.0A
–
1.4
–
反向恢复时间
t
rr
–
–
330
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
V
GS
=0V, I
S
=4.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
Q
rr
2.67 –
μ
C
Reverse recovery charge
热特
性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
Max
项
目
符 号
单位
Parameter
Symbol
Unit
JCS4N6
5
VB
JCS4N6
5
CB JCS4N6
5
FB
/RB
结到管壳的热阻
R
th(j-c)
R
th(j-A)
2.50
83
1.25
62.5
3.79
62.5
℃
/W
℃
/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1
：
Pulse width limited by maximum junction
1
：脉冲宽度由最高结温限制
2
：
L=25mH, I
AS
=4.0A, V
DD
=50
V
, R
G
=25
Ω
,
起始结
温
T
J
=25
℃
temperature
2
：
L=25mH, I
AS
=4.0A, V
DD
=50
V
, R
G
=25
Ω
,Starting
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
4.0A,di/dt
≤
200A/
μ
s,VDD
≤
BV
DSS
,
起始结温
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
4.0A,di/dt
≤
200A/
μ
s,VDD
≤
BV
DSS
, Starting
T
J
=25
℃
4
：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μ
s,
占空比
≤
2
％
5
：基本与工作温度无关
4
：
Pulse
T
e
st
：
Pulse Width
≤
300
μ
s,Duty Cycle
≤
2
％
5
：
Essentially independent of operating temperature
版本：
2010
11
A
4/12
R
JCS4N6
5
B
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
10
V
GS
15V
10V
8V
10
Top
7V
6.5V
6V
150
℃
5.5V
Bottom 5V
1
25
℃
Notes
：
1.250
μ
s pulse test
2.V
DS
=40V
1
Notes
：
1. 250
μ
s pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
2
4
6
8
10
10
V
GS
[V]
V
DS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V
GS
=10V
25
℃
1
150
℃
Notes
：
1. 250
μ
s
p
ulse test
2. V
G
S
=
0V
Note
：
T
j
=25
℃
V
GS
=20V
0.1
0.4
0
1
2
3
4
5
6
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
I
D
[A]
V
S
D
[V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
2
12
8.0×10
C
=
C +C (C =shorted)
iss
gs
gd ds
V
DS
=480V
V
DS
=300V
C
=
C
+C
gd
10
8
oss
ds
C
=
C
2
rss
gd
6.0×10
V
DS
=120V
2
6
4.0×10
4
2
2.0×10
2
0.0
0
-1
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
10
V
D
S
D
rain-Source Voltage [V]
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：
2010
11
A
5/12
R
JCS4N6
5
B
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.15
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.10
1.05
1.00
0.95
Notes
：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250
μ
A
Notes
：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.0A
0.90
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
j
[
℃
]
T
j
[
℃
]
Maximum Safe Operating Area
Maximum Safe Operating Area
For JCS4N6
5
(V/R/C)B
For JCS4N6
5
FB
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
版本：
2010
11
A
6/12
R
JCS4N6
5
B
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS4N6
5
(V/R)B
Transient Thermal Response Curve
For JCS4N6
5
CB
Transient Thermal Response Curve
For JCS4N6
5
FB
版本：
2010
11
A
7/12
R
JCS4N6
5
B
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单
位
Unit
：
mm
版本：
2010
11
A
8/12
R
JCS4N6
5
B
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单
位
Unit
：
mm
版本：
2010
11
A
9/12
R
JCS4N6
5
B
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单
位
Unit
：
mm
版本：
2010
11
A
10/12
R
JCS4N6
5
B
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单
位
Unit
：
mm
版本：
2010
11
A
11/12
R
JCS4N6
5
B
注意事项
NOTE
1.
吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
1. Jilin
Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2.
购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We
strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.
在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please
do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.
本说明书如有版本变更不另外告知
4. Jilin
Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
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联系方式
吉林华微电子股份有限公司
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
公司地址：吉林省吉林市深圳
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99
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Post Code: 132013
邮编：
132013
T
e
l
：
86-432-64678411
总机：
86-432-64678411
传真：
86-432-64665812
Fax
：
86-432-64665812
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
市场营销部
地址：吉林省吉林市深圳
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99
号
Post Code: 132013
邮编：
132013
T
e
l:
86-432-64675588
64675688
电话：
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
64678411-3098/3099
传真
: 86-432-64671533
版本：
2010
11
A
12/12
