Jilin-Sino-Microelectronics-JCS4N80VC-IPAK
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N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
JCS4N80C
封装
Package
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
4A
I
D
800 V
2.6
Ω
29.5nC
V
DSS
Rdson-ma
x
（
@Vgs=10V
）
Qg-typ
APPLIC
A
T
IONS
Switched mode power
suppliesy
用途
开关电源
电子镇流器
Electronic ballast
产品特性
低栅极电荷
FE
A
T
URES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 8.8pF )
Fast switching
低
C
rss
(
典型值
8.8pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
能力
RoHS
产品
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
印
记
封
装
有卤
–
条管
无卤
–
条管
有卤
–
编带
无卤
–
编带
Marking
Package
Halogen-Tube Halogen-Free-Tube
Halogen-Reel Halogen-Free
-Reel
JCS4N80VC-V-B
JCS4N80RC-R-B
JCS4N80FC-F-B
JCS4N80CC-C-B
JCS4N80BC-B-B
JCS4N80VC-V-BR
JCS4N80RC-R-BR
JCS4N80FC-F-BR
JCS4N80CC-C-BR
JCS4N80BC-B-BR
N/A
N/A
JCS4N80V IPAK
JCS4N80RC-R-A JCS4N80RC-R-AR
JCS4N80R DPAK
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS4N80F TO-220MF
JCS4N80C TO-220C
JCS4N80B TO-262
JCS4N80V IPAK-WS2
JCS4N80VC-V5-B JCS4N80VC-V5-BR
版本：
201809J
1/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(
T
c
=25
℃
)
数
值
单
位
Value
项
目
符 号
Parameter
Symbol
JCS4N80CC/
JCS4N80VC/
RC
JCS4N80FC
Unit
BC
最高漏极－源极直流电压
V
DSS
800
V
Drain-Source Voltage
I
D
4
A
A
连续漏极电流
T=25
℃
T=100
℃
Drain Current
-continuous
2.48
最大脉冲漏极电流
（注
1
）
Drain Current – pulse
（
note 1
）
I
DM
16
±30
470
4.0
13
A
V
最高栅源电压
V
GSS
E
AS
I
AR
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量
（注
2
）
Single Pulsed Avalanche
Energy
（
note 2
）
mJ
A
雪崩电流
（注
1
）
Avalanche Current
（
note 1
）
重复雪崩能量
（注
1
）
Repetitive Avalanche Energy
（
note 1
）
E
AR
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3
）
dv/dt
P
D
4.0
V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt
（
note 3
）
99.2
38.2
0.31
45.8
0.37
W
T
C
=25
℃
耗散功率
-Derate
Power Dissipation
above
0.79
W/
℃
25
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
T
e
mperature Range
T
J
，
T
STG
-55
～
+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead
T
e
mperature
for Soldering Purposes
*
漏极电流由最高结温限制
T
L
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：
201809J
2/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最小 典型
最 大单 位
Parameter
关态特性
Off
–
Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ
Max Units
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
800
–
–
–
–
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBV
DSS
/
Δ
I
D
=250
μ
A, referenced to
Breakdown Voltage
T
e
mperature
Coefficient
0.95
V/
℃
μA
T
J
25
℃
V
DS
=800V,V
GS
=0V,
T
C
=25
℃
–
–
–
–
5
零栅压下漏极漏电流
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
=640V, T
C
=125
℃
100
μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
–
–
–
–
100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
I
GSSR
-100 nA
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
V
GS(th)
R
DS(ON)
g
fs
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
2.0
–
4.0
V
Ω
Ω
Ω
S
Gate Threshold Voltage
V
GS
=10V ,
I
D
=2.0A
25
℃
0.5 1.9
2.6
0.6 3.3
4.5
0.8 4.9
6.5
V
GS
=10V ,
I
D
=2.0A
100
℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
=10V ,
I
D
=2.0A
150
℃
正向跨导
V
DS
= 50V, I
D
=2.0
A
（
note 4
）
–
3.8
–
–
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅极电阻
Rg
0.5
6.0
Ω
F=1.0MH
Z
open drain
Gate resistance
输入电容
C
iss
C
oss
C
rss
300 675 880
pF
40 78
100 pF
2.0 8.8 15
pF
Input capacitance
输出电容
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
版本：
201809J
3/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
T
o
tal Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
–
–
–
–
–
–
–
18 40
ns
48 100
ns
V
DD
=400V,I
D
=4A,R
G
=25Ω
（
note 4
，
5
）
t
d
(off)
t
f
39 80
38 80
29.5 45
ns
ns
V
DS
=640V ,
Q
g
nC
I
D
=4A
Q
gs
Q
gd
4.8 12.0
nC
12.8 30.0
nC
V
GS
=10V
（
note 4
，
5
）
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I
S
–
–
–
–
–
–
4
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I
SM
16
1.5
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=4A
反向恢复时间
t
rr
–
–
580 1500
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
V
GS
=0V, I
S
=4A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note
4)
Q
rr
3.8 9.0
μC
Reverse recovery charge
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
Max
项
目
符
号
单 位
JCS4N80CC/
BC
JCS4N80VC/
RC
Parameter
Symbol
Unit
JCS4N80FC
结到管壳的热阻
R
th(j-c)
R
th(j-A)
1.26
3.27
62.5
2.73
110
℃
/W
℃
/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
62.5
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
Notes:
1
：脉冲宽度由最高结温限制
1
：
Pulse width limited by maximum junction
2
：
L=55mH, I
AS
=4A, V
DD
=50
V
,
R
G
=25 Ω,
起始结温
T
J
=25
℃
temperature
2
：
L=55mH, I
AS
=4A, V
DD
=50
V
,
R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
4
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
,
起始结温
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
4
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25
℃
4
：脉冲测试：脉冲宽度
≤300μ
s,
占空比
≤2
％
5
：基本与工作温度无关
4
：
Pulse
T
e
st
：
Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2
％
5
：
Essentially independent of operating temperature
版本：
201809J
4/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
Gate Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
版本：
201809J
5/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
On-Resistance Variation
vs. Temperature
Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Maximum Safe Operating Area
Transient Thermal Response Curve
版本：
201809J
6/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单位
Unit
：
mm
版本：
201809J
7/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK-WS2
单位
Unit
：
mm
版本：
201809J
8/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位
Unit
：
mm
编带
REEL
版本：
201809J
9/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单位
Unit
：
mm
版本：
201809J
10/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单位
Unit
：
mm
版本：
201809J
11/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-262
单位
Unit
：
mm
版本：
201809J
12/13
N
沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
注意事项
NOTE
1.
吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
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agent , thus, for customers, when ordering ,
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2. We
strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
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在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please
do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
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T
e
l
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传真：
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：
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市场营销部
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邮编：
132013
T
e
l: 86-432-64675588
64675688
电话：
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
64678411-3098/3099
传真
: 86-432-64671533
Fax: 86-432-64671533
版本：
201809J
13/13
