Jilin-Sino-Microelectronics-JCS50N20WT

R

JCS50N20T  

JCS50N20T  

封装

Package  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

50A  

I

D

 

200 V  

V

DSS  

Rdson-max  

（@Vgs=10V）  

Qg-typ  

50m

Ω  

90nC  

APPLICATIONS  

用途  



High frequency switch  

mode power supplies  



Electronic lamp ballasts  

based on half bridge  



UPS  



高频开关电源  



电子镇流器  



UPS

电源  

产品特性  



低栅极电荷  



低

C

rss  

FE

A

T

URES  



Low gate charge  



Low C

rss  



开关速度快  



产品全部经过雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



Fast switching  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

订 货 型

号

Order codes  

印

记

封

装

有卤-条管  

Halogen-

Tube  

无卤-条管  

有卤-编带  

Halogen-

Reel  

N/A  

无卤-编带  

Marking  

Package  

Halogen-Free-

Tube  

JCS50N20WT-GE-BR  

Halogen-Free-

Reel  

JCS50N20WT-GE-B  

N/A  

N/A  

JCS50N20WT  

JCS50N20ABT  

TO-247  

TO-3PB  

JCS50N20ABT-GD-B JCS50N20ABT-GD-BR  

N/A  

版本：

201806E  

1/9  

R

JCS50N20T  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

 

(

T

c

=25

℃

)  

数

值

Value  

项

目

符

号

单 位  

Parameter  

Symbol  

Unit  

JCS50N20WT/ABT  

最高漏极－源极直流电压  

V

DSS  

200  

V

Drain-Source Voltage  

50  

31  

A

A

连续漏极电流  

I

D

T=25

℃  

T=100

℃  

Drain Current

 

-continuous  

最大脉冲漏极电流

(

注

1)  

I

DM  

200  

±30  

A

V

Drain Current – pulse

（

note 1

）  

最高栅源电压  

V

GSS  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量

(

注

2)  

Single Pulsed Avalanche Energy  

（

note 2

）  

E

AS  

1000  

50  

mJ  

A

雪崩电流

(

注

1)  

I

AR  

Avalanche Current

（

note 1

）  

重复雪崩能量

（注

1

）  

Repetitive Avalanche Energy

（

note E

AR  

1

）  

27.7  

mJ  

二极管反向恢复最大电压变化速率

(

注  

3)  

dv/dt  

5.4  

V/ns  

Peak Diode Recovery dv/dt

（

note 3

）  

P

D  

277  

W

耗散功率  

T

C

=25

℃  

-Derate  

above 25

℃  

Power Dissipation  

2.22  

W/

℃  

最高结温及存储温度  

Operating and Storage

T

e

mperature

 

T

J

，

T

STG  

-55

～

+150  

℃

℃

Range  

引线最高焊接温度  

Maximum Lead

T

e

mperature for  

Soldering Purposes  

T

L  

300  

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201806E  

2/9  

R

JCS50N20T  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

Parameter  

关态特性

Off –Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS  

I

D

=250

μ

A, V

GS

=0V  

200  

–

–

–

–

V

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

Δ

BVDSS/Δ  

ID=250μA, referenced to  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

0.22  

TJ  

25

℃  

V

DS

=200V,V

GS

=0V,T

C

=25

℃  

V

DS

=160V, T

C

=125

℃  

–

–

–

–

1

μA  

μA  

零栅压下漏极漏电流  

I

DSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

10  

正向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

forward  

I

GSSF  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=30V  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=-30V  

–

–

–

–

100 nA  

-100 nA  

反向栅极体漏电流  

Gate-body leakage current,  

reverse  

I

GSSR  

通态特性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)  

R

DS(ON)  

g

fs  

V

DS

= V

GS

, I

D

=250μA  

V

GS

=10V ,

 

I

D

=25A  

2

–

–

4

V

Gate Threshold Voltage  

静态导通电阻  

Static Drain-Source  

On-Resistance  

42 50

 

mΩ  

正向跨导  

V

DS

= 40V,

 

I

D

=25A  

27  

–

S

Forward Transconductance  

动态特性

Dynamic Characteristics  

输入电容  

（

note 4

）  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

–

–

–

3250 4225

 

pF  

672 863

 

pF  

Input capacitance  

输出电容  

V

DS

=25V,  

V

GS

=0V,  

f=1.0MH

Z  

Output capacitance  

反向传输电容  

70  

91  

pF  

Reverse transfer capacitance  

版本：

201806E  

3/9  

R

JCS50N20T  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

开关特性

Switching Characteristics  

延迟时间

Turn-On delay time  

上升时间

Turn-On rise time  

延迟时间

Turn-Off delay time  

下降时间

Turn-Off Fall time  

栅极电荷总量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电荷

Gate-Source charge  

栅－漏电荷

Gate-Drain charge  

t

d

(on)  

t

r  

V

DD

=100V,I

D

=50A,R

G

=25Ω  

V

GS

=10V  

–

–

–

–

–

–

–

82 112

 

ns  

501 655

 

ns  

237 309

 

ns  

202 263

 

ns  

90 110

 

nC  

（

note 4

，

5

）  

t

d

(off)  

t

f  

V

DS

=160V ,  

Q

g  

I

D

=50A  

Q

gs  

Q

gd  

26  

33  

–

–

nC  

nC  

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain  

-Source Diode Forward Current  

正向最大脉冲电流  

I

S  

–

–

–

–

–

–

50  

200  

1.5  

A

A

V

Maximum Pulsed Drain-Source  

Diode Forward Current  

正向压降  

I

SM  

Drain-Source Diode Forward  

Voltage  

V

SD  

V

GS

=0

V

,  

I

S

=50A  

反向恢复时间  

t

rr  

–

–

175  

–

–

ns  

Reverse recovery time  

反向恢复电荷  

V

GS

=0

V

, I

S

=50A  

dI

F

/dt=100A/

μ

s (note

 

4)  

Q

rr  

1.23  

μC  

Reverse recovery charge  

热特

性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大

Max  

项

目

符

号

单 位  

Parameter  

Symbol  

Unit  

℃

/W  

℃

/W  

JCS50N20WT/ABT  

0.45  

结到管壳的热阻  

R

th(j-c)  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

R

th(j-A)  

62.5  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

Notes:  

注释：  

1

：

Pulse width limited by maximum junction  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

2

：

L=0.8mH, I

AS

=50A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,

起始  

结温

T

J

=25

℃  

temperature  

2

：

L=0.8mH, I

AS

=50A V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,Starting  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV

DSS

,

起始结温  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV

DSS

, Starting  

T

J

=25

℃  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2

％  

5

：基本与工作温度无关  

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2

％  

5

：

Essentially independent of operating temperature  

版本：

201806E  

4/9  

R

JCS50N20T  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transfer Characteristics  

On-Region Characteristics  

100  

10  

1

V

GS  

Top  

15V  

10V  

9V  

100  

10  

8V  

7V  

6.5V  

6V  

5.5V  

Bottom 5V  

150℃  

1

25

℃  

Notes:  

Notes:  

0.1  

0.01  

1. 250μs pulse test  

1.250μs pulse test  

2.V

DS

=40V  

2. T

C

=25  

℃

0.1  

2

4

6

8

10  

0.1  

1

10  

V

GS

[V]  

V

D S

 

[V]  

On-Resistance Variation vs.  

Drain Current and Gate Voltage  

Body Diode Forward Voltage Variation  

vs. Source Current and Temperature  

0.15  

10  

0.10  

25

℃

 

1

V

GS

=10V  

0.05  

Notes:  

150

℃  

1. 250μs pulse test  

2. V

GS

=0V  

Note:T

j

=25

℃

 

V

GS

=20V  

0.1  

0.2  

0

20  

40  

60  

80  

100  

120  

0.3  

0.4  

0.5  

0.6  

0.7  

0.8  

0.9  

1.0  

1.1  

I

D

[A]  

V

S D

 

[V]  

Capacitance Characteristics  

Gate Charge Characteristics  

12  

10  

8

3

7×10  

C

=

C +C (C =shorted)  

V

DS

=40V  

iss  

gs  

gd ds  

3

C

=

C

 

+C  

gd  

6×10  

oss  

ds  

V

DS

=100V  

C

=

C  

rss  

gd  

3

C

5×10  

iss  

3

4×10  

6

V

DS

=160V  

3

3×10  

4

3

2×10  

C

oss  

2

3

1×10  

C

rss  

Notes:  

I

D

=50A  

90  

0

0

10

0  

10

1  

0

10  

20  

30  

40  

50  

60  

70  

80  

100  

V

DS

D

rain-Sourc

e

V

oltag

e

[

V]  

Q

g

Toltal Gate Charge [nC]  

版本：

201806E  

5/9  

R

JCS50N20T  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

On-Resistance Variation  

vs. Temperature  

Breakdown Voltage Variation  

vs. Temperature  

1.2  

1.1  

1.0  

0.9  

0.8  

4.0  

3.5  

3.0  

2.5  

2.0  

1.5  

1.0  

0.5  

0.0  

Notes:  

Notes:  

1. V

GS

=0V  

2. I

D

=250μA  

1. V

GS

=10V  

2. I

D

=25A  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

j

[

℃

]  

T

j

[

℃

]  

Maximum Safe Operating Area  

Maximum Drain Current  

vs. Case Temperature  

50  

40  

30  

20  

10  

0

Operatio

n

i

n

T

hi

s

A

rea  

i

s

L

i

m

i

te

d

b

y

R  

DS(ON)  

2

10  

10μs  

100μs  

1ms  

1

10  

10ms  

0

10  

100ms  

Note:  

1

T

C

=

25

℃

 

DC  

2T

=

150

℃  

J

3

S

i

ngl

e

P

ulse  

-1  

10  

0

1

10  

2

10  

25  

50  

75  

100  

125  

150  

10  

T

C

C

as

e

T

emperatur

e

[

℃

]  

V

D

S

D

rain-Sourc

e

V

oltag

e

[

V]  

Transient Thermal Response Curve  

1

D = 0 .

 

5  

0 . 2  

0 .

 

1  

N o t

 

e s :  

0 .

 

1  

1

2

3

Z

( t ) = 0 . 4 5

℃

/ W

 

M a

 

x  

θ

J C  

D u t

 

y F

 

a c t o r ,

 

D = t

 

/ t  

0 .

 

0 5  

1

2

T

– T

 

= P  

c

*

Z

( t )  

J M  

D M  

θ

J C  

0 .

 

0 2  

0 . 0 1  

P

D

M

0 .

 

0 1  

t

1

s

i

n g le

 

p u ls e  

t

2

1 E – 5  

1 E –

 

4  

1 E – 3  

0 .

 

0 1  

0 .

 

1  

1

1 0  

t

1

S q u a r e

 

W a

 

v e

 

P u

l

s e

 

D u r

 

a t

 

io n

 

[ s e c ]  

版本：

201806E  

6/9  

R

JCS50N20T  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

单位

Unit

：

mm  

TO-247  

版本：

201806E  

7/9  

R

JCS50N20T  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-3PB  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806E  

8/9  

R

JCS50N20T  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to contact us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

网址：

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

：

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l: 86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411  

64678411  

Fax: 86-432-64671533  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201806E  

9/9