Jilin-Sino-Microelectronics-JCS5N50FC-220MF
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N
沟道增强型场效应晶体管
R
N-CHANNEL MOSFET
JCS5N50C
封装
Package
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
5 A
I
D
500 V
1.45
Ω
14nC
V
DSS
Rdson
（
Vgs=10V
）
Qg
APPLIC
A
T
IONS
High frequency
switching mode
power supply
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
Electronic ballast
UPS
产品特性
低栅极电荷
FE
A
T
URES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 14pF )
Fast switching
低
C
rss
(
典型值
14pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
能力
RoHS
产品
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
印
记
封
装
有卤
–
条管
无卤
–
条管
有卤
–
编带
无卤
–
编带
Marking
Package
Halogen-Tube Halogen-Free-Tube
Halogen-Reel Halogen-Free
-Reel
JCS5N50VC-V-B
JCS5N50RC-R-B
JCS5N50CC-C-B
JCS5N50FC-F-B
JCS5N50VC-V-BR
JCS5N50RC-R-BR
JCS5N50CC-C-BR
JCS5N50FC-F-BR
N/A
N/A
JCS5N50VC IPAK
JCS5N50RC-R-A JCS5N50RC-R-AR
JCS5N50RC DPAK
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS5N50CC TO-220C
JCS5N50FC TO-220MF
版本：
201807F
1/13
R
JCS5N50C
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(
T
c
=25
℃
)
数
值
单
位
项
目
符 号
Value
Parameter
Symbol
JCS5N50VC/RC JCS5N50CC JCS5N50FC
Unit
最高漏极－源极直流电压
V
DSS
500
500
V
Drain-Source Voltage
I
D
5
5*
A
A
连续漏极电流
T=25
℃
T=100
℃
Drain Current
-continuous
3.16
3.16*
最大脉冲漏极电流
（注
1
）
Drain Current – pulse
（
note 1
）
I
DM
20
20*
A
V
最高栅源电压
V
GSS
E
AS
I
AR
±30
145.8
5
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量
（注
2
）
Single Pulsed Avalanche
Energy
（
note 2
）
mJ
A
雪崩电流
（注
1
）
Avalanche Current
（
note 1
）
重复雪崩能量
（注
1
）
Repetitive Avalanche Energy
（
note 1
）
E
AR
10.1
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3
）
dv/dt
4.5
V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt
（
note 3
）
P
D
91
101
41
W
T
C
=25
℃
-Derate
above
25
℃
耗散功率
Power Dissipation
0.73
0.81
0.33
W/
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
T
e
mperature Range
T
J
，
T
STG
-55
～
+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead
T
e
mperature
for Soldering Purposes
*
漏极电流由最高结温限制
T
L
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：
201807F
2/13
R
JCS5N50C
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最小 典型
最 大单 位
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ
Max Units
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
500
–
–
–
–
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBV
DSS
/
Δ
I
D
=250
μ
A, referenced to
Breakdown Voltage
T
e
mperature
Coefficient
0.5
V/
℃
μA
T
J
25
℃
V
DS
=500V,V
GS
=0V,
T
C
=25
℃
–
–
–
–
10
零栅压下漏极漏电流
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
=400V, T
C
=125
℃
100
μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
–
–
–
–
100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
I
GSSR
-100 nA
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
V
GS(th)
R
DS(ON)
g
fs
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
2.0
–
–
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
=10V ,
I
D
=2.5A
1.15 1.45
正向跨导
V
DS
= 40V, I
D
=2.5
A
（
note 4
）
–
5.5
–
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
V
DS
=25V,
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
C
iss
C
oss
C
rss
–
473 613
pF
53 102 pF
Input capacitance
输出电容
V
–
–
Output capacitance
反向传输电容
14
19
pF
Reverse transfer capacitance
版本：
201807F
3/13
R
JCS5N50C
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
T
o
tal Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
V
DD
=250V,I
D
=5A,R
G
=25Ω
（
note 4
，
5
）
–
–
–
–
45 60
26 34
ns
ns
t
d
(off)
t
f
133 170
ns
214 270
ns
V
DS
=400V ,
Q
g
11.5 14
20
2.9 3.5 5.1
nC
5.1 8.4
nC
nC
I
D
=5A
Q
gs
Q
gd
V
GS
=10V
（
note 4
，
5
）
6
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I
S
–
–
–
–
–
–
5
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I
SM
20
1.4
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=5A
反向恢复时间
t
rr
–
–
268
2.1
–
–
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
V
GS
=0V, I
S
=5A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note
4)
Q
rr
μC
Reverse recovery charge
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项
目
符
号
单 位
Max
JCS5N50VC/RC JCS5N50CC
JCS5N50FC
Parameter
Symbol
Unit
结到管壳的热阻
R
th(j-c)
R
th(j-A)
1.38
1.23
62.5
3.08
62.5
℃
/W
℃
/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
110
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1
：
Pulse width limited by maximum junction
1
：脉冲宽度由最高结温限制
temperature
2
：
L=10.5mH, I
AS
=5A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,
起始结
温
T
J
=25
℃
2
：
L=10.5mH, I
AS
=5A, V
DD
=50
V
,
R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
5
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
,
起始结温
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
5
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25
℃
4
：脉冲测试：脉冲宽度
≤300μ
s,
占空比
≤2
％
5
：基本与工作温度无关
4
：
Pulse
T
e
st
：
Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2
％
5
：
Essentially independent of operating temperature
版本：
201807F
4/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
V
GS
15V
Top
10
10
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
150
℃
1
25
℃
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
1
0.1
2
4
6
8
10
1
10
V
G S
[V]
V
D S
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
10
2.2
V
GS
=10V
150
℃
25
℃
2.0
1.8
1.6
1.4
1
Notes:
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
Note
：
=
T
25
℃
j
1.2
1.0
V
GS
=20V
0.1
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
D
[A]
V
S D
[V]
Gate Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
1.2×10
3
9.0×10
2
6.0×10
2
12
10
8
C =C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
V
DS
=400V
V
DS
=250V
iss
C =C
gd
rss
V
DS
=100V
6
4
3.0×10
2
2
0.0
0
-1
10
10
0
10
1
0
10
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
V
DS
Drain-Source Voltage [V]
版本：
201807F
5/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
Notes:
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250μA
Notes:
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.5A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T [
℃
]
T
[
℃
]
j
j
Maximum Safe Operating Area
For JCS5N50VC/RC/CC
Maximum Safe Operating Area
For JCS5N50FC
Operation in This Area
is Limited by R
DS(ON)
Operation in This Area
is Limited by R
DS(ON)
10
1
10
0
10μs
10μs
10
1
100μs
100μs
1ms
1ms
10ms
10
0
10ms
100ms
Note:
1 T
C
=25
2 T
J
=150
3 Single Pulse
Note:
1 T
C
=25
2 T
J
=150
100ms
℃
℃
DC
-1
DC
℃
℃
10
3 Single Pulse
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
Gate Threshold Voltage
vs. Case Temperature
Avalanche Energy
vs. Channel Temperature
175
150
125
100
75
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPERATURE
T
c
℃
]
CHANNEL TEMPERATURE
T
c
℃
]
[
[
版本：
201807F
6/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
Case Temperature [
℃
]
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50VC/RC
1
D=0.5
0.2
0.1
Notes:
1 Z
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
(t)=1.38
℃
/
W M
a x
0.05
0.02
0.01
0.1
θ JC
1 2
(t)
P
D
M
t
t
0.01
1
2
single pulse
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50CC
1
D=0.5
0.2
0.1
Notes:
1 Z
(t)=1.23
℃
/
W M
a x
0.05
0.02
0.01
0.1
θ JC
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
1 2
(t)
P
D
M
t
t
0.01
1
2
single pulse
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
版本：
201807F
7/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50FC
D=0.5
1
0.2
0.1
Notes:
1 Z
0.05
(t)=3.08
℃
/
W M
a x
θ JC
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
1 2
0.02
0.01
0.1
(t)
P
D
M
t
t
1
2
single pulse
0.01
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
版本：
201807F
8/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
9/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位
Unit
：
mm
编带
REEL
版本：
201807F
10/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
11/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
12/13
R
JCS5N50C
注意事项
NOTE
1.
吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
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Sino-microelectronics co., Ltd sales its
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2.
购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We
strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.
在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please
do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.
本说明书如有版本变更不另外告知
4. Jilin
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T
e
l
：
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总机：
86-432-64678411
传真：
86-432-64665812
Fax
：
86-432-64665812
MARKET DEPARTMENT
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市场营销部
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99
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Post Code: 132013
邮编：
132013
T
e
l: 86-432-64675588
64675688
电话：
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
64678411-3098/3099
传真
: 86-432-64671533
Fax: 86-432-64671533
版本：
201807F
13/13
