Jilin-Sino-Microelectronics-JCS5N50RC-DPAK
| Part # | Jilin-Sino-Microelectronics-JCS5N50RC-DPAK |
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N
沟道增强型场效应晶体管
R
N-CHANNEL MOSFET
JCS5N50C
封装
Package
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
5 A
I
D
500 V
1.45
Ω
14nC
V
DSS
Rdson
（
Vgs=10V
）
Qg
APPLIC
A
T
IONS
High frequency
switching mode
power supply
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
Electronic ballast
UPS
产品特性
低栅极电荷
FE
A
T
URES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 14pF )
Fast switching
低
C
rss
(
典型值
14pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
能力
RoHS
产品
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
印
记
封
装
有卤
–
条管
无卤
–
条管
有卤
–
编带
无卤
–
编带
Marking
Package
Halogen-Tube Halogen-Free-Tube
Halogen-Reel Halogen-Free
-Reel
JCS5N50VC-V-B
JCS5N50RC-R-B
JCS5N50CC-C-B
JCS5N50FC-F-B
JCS5N50VC-V-BR
JCS5N50RC-R-BR
JCS5N50CC-C-BR
JCS5N50FC-F-BR
N/A
N/A
JCS5N50VC IPAK
JCS5N50RC-R-A JCS5N50RC-R-AR
JCS5N50RC DPAK
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS5N50CC TO-220C
JCS5N50FC TO-220MF
版本：
201807F
1/13
R
JCS5N50C
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(
T
c
=25
℃
)
数
值
单
位
项
目
符 号
Value
Parameter
Symbol
JCS5N50VC/RC JCS5N50CC JCS5N50FC
Unit
最高漏极－源极直流电压
V
DSS
500
500
V
Drain-Source Voltage
I
D
5
5*
A
A
连续漏极电流
T=25
℃
T=100
℃
Drain Current
-continuous
3.16
3.16*
最大脉冲漏极电流
（注
1
）
Drain Current – pulse
（
note 1
）
I
DM
20
20*
A
V
最高栅源电压
V
GSS
E
AS
I
AR
±30
145.8
5
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量
（注
2
）
Single Pulsed Avalanche
Energy
（
note 2
）
mJ
A
雪崩电流
（注
1
）
Avalanche Current
（
note 1
）
重复雪崩能量
（注
1
）
Repetitive Avalanche Energy
（
note 1
）
E
AR
10.1
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3
）
dv/dt
4.5
V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt
（
note 3
）
P
D
91
101
41
W
T
C
=25
℃
-Derate
above
25
℃
耗散功率
Power Dissipation
0.73
0.81
0.33
W/
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
T
e
mperature Range
T
J
，
T
STG
-55
～
+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead
T
e
mperature
for Soldering Purposes
*
漏极电流由最高结温限制
T
L
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：
201807F
2/13
R
JCS5N50C
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最小 典型
最 大单 位
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ
Max Units
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
500
–
–
–
–
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBV
DSS
/
Δ
I
D
=250
μ
A, referenced to
Breakdown Voltage
T
e
mperature
Coefficient
0.5
V/
℃
μA
T
J
25
℃
V
DS
=500V,V
GS
=0V,
T
C
=25
℃
–
–
–
–
10
零栅压下漏极漏电流
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
=400V, T
C
=125
℃
100
μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
–
–
–
–
100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
I
GSSR
-100 nA
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
V
GS(th)
R
DS(ON)
g
fs
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
2.0
–
–
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
=10V ,
I
D
=2.5A
1.15 1.45
正向跨导
V
DS
= 40V, I
D
=2.5
A
（
note 4
）
–
5.5
–
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
V
DS
=25V,
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
C
iss
C
oss
C
rss
–
473 613
pF
53 102 pF
Input capacitance
输出电容
V
–
–
Output capacitance
反向传输电容
14
19
pF
Reverse transfer capacitance
版本：
201807F
3/13
R
JCS5N50C
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
T
o
tal Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
V
DD
=250V,I
D
=5A,R
G
=25Ω
（
note 4
，
5
）
–
–
–
–
45 60
26 34
ns
ns
t
d
(off)
t
f
133 170
ns
214 270
ns
V
DS
=400V ,
Q
g
11.5 14
20
2.9 3.5 5.1
nC
5.1 8.4
nC
nC
I
D
=5A
Q
gs
Q
gd
V
GS
=10V
（
note 4
，
5
）
6
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I
S
–
–
–
–
–
–
5
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I
SM
20
1.4
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=5A
反向恢复时间
t
rr
–
–
268
2.1
–
–
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
V
GS
=0V, I
S
=5A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note
4)
Q
rr
μC
Reverse recovery charge
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项
目
符
号
单 位
Max
JCS5N50VC/RC JCS5N50CC
JCS5N50FC
Parameter
Symbol
Unit
结到管壳的热阻
R
th(j-c)
R
th(j-A)
1.38
1.23
62.5
3.08
62.5
℃
/W
℃
/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
110
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1
：
Pulse width limited by maximum junction
1
：脉冲宽度由最高结温限制
temperature
2
：
L=10.5mH, I
AS
=5A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,
起始结
温
T
J
=25
℃
2
：
L=10.5mH, I
AS
=5A, V
DD
=50
V
,
R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
5
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
,
起始结温
T
J
=25
℃
3
：
I
SD
≤
5
A,di/dt ≤
200A/
μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25
℃
4
：脉冲测试：脉冲宽度
≤300μ
s,
占空比
≤2
％
5
：基本与工作温度无关
4
：
Pulse
T
e
st
：
Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2
％
5
：
Essentially independent of operating temperature
版本：
201807F
4/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
V
GS
15V
Top
10
10
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
150
℃
1
25
℃
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
1
0.1
2
4
6
8
10
1
10
V
G S
[V]
V
D S
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
10
2.2
V
GS
=10V
150
℃
25
℃
2.0
1.8
1.6
1.4
1
Notes:
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
Note
：
=
T
25
℃
j
1.2
1.0
V
GS
=20V
0.1
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
D
[A]
V
S D
[V]
Gate Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
1.2×10
3
9.0×10
2
6.0×10
2
12
10
8
C =C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
V
DS
=400V
V
DS
=250V
iss
C =C
gd
rss
V
DS
=100V
6
4
3.0×10
2
2
0.0
0
-1
10
10
0
10
1
0
10
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
V
DS
Drain-Source Voltage [V]
版本：
201807F
5/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
Notes:
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250μA
Notes:
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.5A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T [
℃
]
T
[
℃
]
j
j
Maximum Safe Operating Area
For JCS5N50VC/RC/CC
Maximum Safe Operating Area
For JCS5N50FC
Operation in This Area
is Limited by R
DS(ON)
Operation in This Area
is Limited by R
DS(ON)
10
1
10
0
10μs
10μs
10
1
100μs
100μs
1ms
1ms
10ms
10
0
10ms
100ms
Note:
1 T
C
=25
2 T
J
=150
3 Single Pulse
Note:
1 T
C
=25
2 T
J
=150
100ms
℃
℃
DC
-1
DC
℃
℃
10
3 Single Pulse
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
Gate Threshold Voltage
vs. Case Temperature
Avalanche Energy
vs. Channel Temperature
175
150
125
100
75
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPERATURE
T
c
℃
]
CHANNEL TEMPERATURE
T
c
℃
]
[
[
版本：
201807F
6/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
Case Temperature [
℃
]
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50VC/RC
1
D=0.5
0.2
0.1
Notes:
1 Z
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
(t)=1.38
℃
/
W M
a x
0.05
0.02
0.01
0.1
θ JC
1 2
(t)
P
D
M
t
t
0.01
1
2
single pulse
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50CC
1
D=0.5
0.2
0.1
Notes:
1 Z
(t)=1.23
℃
/
W M
a x
0.05
0.02
0.01
0.1
θ JC
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
1 2
(t)
P
D
M
t
t
0.01
1
2
single pulse
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
版本：
201807F
7/13
R
JCS5N50C
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS5N50FC
D=0.5
1
0.2
0.1
Notes:
1 Z
0.05
(t)=3.08
℃
/
W M
a x
θ JC
2
D
uty Factor, D=t
/t
3 T
-T =P
* Z
JM c
DM
θ JC
1 2
0.02
0.01
0.1
(t)
P
D
M
t
t
1
2
single pulse
0.01
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
1
Square Wave Pulse Duration [sec]
版本：
201807F
8/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
9/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位
Unit
：
mm
编带
REEL
版本：
201807F
10/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
11/13
R
JCS5N50C
外形尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单位
Unit
：
mm
版本：
201807F
12/13
R
JCS5N50C
注意事项
NOTE
1.
吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
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购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We
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carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.
在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please
do not exceed the absolute
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designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.
本说明书如有版本变更不另外告知
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T
e
l
：
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总机：
86-432-64678411
传真：
86-432-64665812
Fax
：
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MARKET DEPARTMENT
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市场营销部
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邮编：
132013
T
e
l: 86-432-64675588
64675688
电话：
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
64678411-3098/3099
传真
: 86-432-64671533
Fax: 86-432-64671533
版本：
201807F
13/13
