Jilin-Sino-Microelectronics-JCS640F

N

沟道增强型场效应晶体管  

N- CHANNEL MOSFET  

R

JCS640  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

封装

Package  

ID  

18.0A  

200 V  

VDSS  

Rdson-max  

（@Vgs=10V）  

Qg-typ  

0.18Ω  

47nC  

APPLIC

A

T

IONS  



High efficiency switch  

mode power supplies  



Electronic lamp ballasts  

based on half bridge  



UPS  

用途  



高频开关电源  



电子镇流器  



UPS

电源  

产品特性  



低栅极电荷  

FEATURES  



Low gate charge  



Low C

rss

(typical 48pF )  



Fast switching  



低

C

rss

(

典型值

48pF)  



开关速度快  



产品全部经过雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

订 货 型

号

Order codes  

印

记

封

装

有卤-条管  

无卤-条管  

Halogen-Free-

Tube  

JCS640S-S-BR  

JCS640C-C-BR  

JCS640F-F-BR  

有卤-编带  

Halogen-

Reel  

JCS640S-S-A  

N/A  

无卤-编带  

Halogen-Free-

Reel  

JCS640S-S-AR  

N/A  

Marking  

Package  

Halogen-

Tube  

JCS640S-S-B  

JCS640C-C-B  

JCS640F-F-B  

JCS640S  

JCS640C  

JCS640F  

TO-263  

TO-220C  

TO-220MF  

N/A  

N/A  

版本：

201806G  

1/11  

R

JCS640  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

(

T

c

=25

℃

)  

数

值

Value  

JCS640C  

项

目

符

号

单 位  

Parameter  

最高漏极－源极直流电压  

Drain-Source Voltage  

Symbol  

Unit  

JCS640S  

JCS640F  

V

DSS  

200  

V

I

D  

T=25

℃  

18.0  

11.4  

18.0*  

11.4*  

A

A

连续漏极电流  

Drain Current -continuous  

T=100

℃  

最大脉冲漏极电流（注

1

）  

I

DM  

72  

72*  

A

V

Drain Current -pulse

 

（

note 1

）  

最高栅源电压  

V

GSS  

E

AS  

±30  

421  

18  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量（注

2

）  

mJ  

A

Single Pulsed Avalanche Energy

（

note 2

）  

雪崩电流（注

1

）  

I

AR  

Avalanche Current

 

（

note 1

）  

重复雪崩能量（注

1

）  

E

AR  

dv/dt  

14  

4.4  

mJ  

V/ns  

Repetitive Avalanche Current

 

（

note 1

）  

二极管反向恢复最大电压变化速率（注

3

）  

Peak Diode Recovery dv/dt

 

（

note 3

）  

5.5  

P

D  

140  

44  

W

T

C

=25

℃  

-Derate  

above  

25

℃  

耗散功率  

Power Dissipation  

1.12  

0.35  

W/

℃

 

最高结温及存储温度  

Operating and Storage

T

e

mperature  

Range  

T

J

，

T

STG  

-55

～

+150  

℃

℃

引线最高焊接温度  

Maximum Lead

T

e

mperature for Soldering

 

T

L  

Purposes  

300  

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201806G  

2/11  

R

JCS640  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTIC  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典

型

最

 

大单 位  

Parameter  

关态特性

Off –Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS

I

D

=250μA, V

GS

=0V  

200  

–

–

–

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

V

ΔBV

DSS

I

D

=250μA, referenced to  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

0.2  

–

–

V/

℃

 

/ΔT

J  

25

℃  

V

DS

=200V, V

GS

=0V, T

C

=25

℃  

V

DS

=160V, T

C

=125

℃  

–

–

1

零栅压下漏极漏电流  

μA  

I

DSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

–

–

10 μA  

正向栅极体漏电流  

I

GSSF  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=30V  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=-30V  

–

–

100 nA  

Gate-body leakage current, forward  

反向栅极体漏电流  

–

I

GSSR  

-100 nA  

Gate-body leakage current, reverse  

通态特性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)

V

DS

= V

GS

, I

D

=250μA  

R

DS(ON)

V

GS

=10V , I

D

=9.0A  

g

fs  

2.0  

–

4.0  

V

Ω

S

Gate Threshold Voltage  

静态导通电阻  

0.15 0.18  

–

–

Static Drain-Source On-Resistance  

正向跨导  

13.5  

–

Forward Transconductance  

动态特性

Dynamic Characteristics  

输入电容  

V

DS

= 40V , I

D

=9.0A

（

note 4

）  

V

DS

=25V,  

V

GS

=0V,  

f=1.0MH

Z  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

–

–

–

1330 1760

 

pF  

181 245

 

pF  

48 65 pF  

Input capacitance  

输出电容  

Output capacitance  

反向传输电容  

Reverse transfer capacitance  

版本：

201806G  

3/11  

R

JCS640  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

Parameter  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

开关特性

Switching –Characteristics  

延迟时间

Turn-On delay time  

上升时间

Turn-On rise time  

t

d

(on)  

t

r  

V

DD

=100V,I

D

=18A,R

G

=25Ω  

V

GS

=10V  

–

–

–

–

–

–

–

54 70

 

ns  

104 162

 

ns  

（

note 4

，

5

）  

395 ns  

327  

t

d

(off)  

t

f  

延迟时间

Turn-Off delay time  

下降时间

Turn-Off Fall time  

107 145

 

ns  

47 62 nC  

栅极电荷总量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电荷

Gate-Source charge  

栅－漏电荷

Gate-Drain charge  

Q

g  

V

DS

=160V ,  

I

D

=18A  

Q

gs  

Q

gd  

8

–

–

nC  

nC  

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

22  

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain-Source  

Diode Forward Current  

I

S  

–

–

–

–

–

18  

72  

A

A

V

正向最大脉冲电流  

Maximum Pulsed Drain-Source Diode  

Forward Current  

I

SM  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain-Source

 

V

SD  

Diode Forward Current  

V

GS

=0

V

, I

S

=18A  

1.48  

反向恢复时间  

t

rr  

195  

ns  

Reverse recovery time  

V

GS

=0

V

, I

S

=18A  

dI

F

/dt=100A/μs (note 4)  

反向恢复电荷  

Q

rr  

1.48  

μC  

Reverse recovery charge  

热特

性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大值  

项

目

符

号

单 位  

Value  

Parameter  

Symbol  

Rth(j-c)  

Rth(j-A)  

Unit  

℃

/W  

℃

/W  

JCS640C/S JCS640F  

结到管壳的热阻  

0.89 2.85  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

62.5  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

注：  

Notes:  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

1

：

Pulse width limited by maximum junction temperature  

2

：

L=2.6mH, I

AS

=18A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,Starting  

T

J

=25

℃

 

2

：

L=2.6mH, I

AS

=18A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,

起始结温  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV

DSS

,

起始结温

T

J

=25

℃  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2

％  

5

：基本与工作温度无关  

3

：

I

SD

≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV

DSS

, Starting T

J

=25

℃  

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2

％  

5

：

Essentially independent of operating temperature  

版本：

201806G  

4/11  

R

JCS640  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Capacitance Characteristics  

Gate Charge Characteristics  

12  

10  

8

3

V

DS

=40V  

2.0×10  

C

=

C +C (C =shorted)  

iss  

gs  

gd ds  

C

=

C

 

+C  

gd  

V

DS

=100V  

oss  

ds  

C

C

=

C  

3

iss  

rss  

gd  

1.5×10  

6

3

1.0×10  

V

DS

=160V  

4

C

oss  

2

5.0×10  

2

Notes:  

I

D

=18A  

C

rss  

0.0  

10

0  

0

10

1  

0

10  

20  

30  

40  

50  

V

DS

D

rain-Sourc

e

V

oltag

e

[

V]  

Q

g

Toltal Gate Charge [nC]  

版本：

201806G  

5/11  

R

JCS640  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Breakdown Voltage Variation  

vs. Temperature  

On-Resistance Variation  

vs. Temperature  

1.2  

3.0  

2.5  

2.0  

1.5  

1.0  

0.5  

0.0  

1.1  

1.0  

0.9  

0.8  

Notes:  

Notes:  

1. V

GS

=0V  

2. I

D

=250μA  

1. V

GS

=10V  

2. I

D

=9A  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

-75  

-50  

-25  

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

℃

T

j

[ ]  

T

j

[

℃

]  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS640C/S  

Maximum Safe Operating Area  

For JCS640F  

Maximum Drain Current  

vs. Case Temperature  

20  

16  

12  

8

4

0

25  

50  

75  

100  

125  

150  

T

C

Case Temperature [  

℃

]  

版本：

201806G  

6/11  

R

JCS640  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS640C/S  

1

D

= 0 .

 

5  

0 .

 

2  

. 1  

0

N

1

2

3

o t

 

e s :  

0 .

 

0 5  

. 0  

0 .

 

0  

0 .

 

1  

Z

( t ) =

 

0 .

 

8 9  

℃

/ W  

/ t  

M

a x  

( t )  

θ

u

J C  

t y  

0

2

D

T

F

a c t

 

o r

 

,  

D

=

t

1

2

– T  

=

P

* Z  

M θ  

1

J M  

c

D

J C  

s i

 

n g l

 

e p

 

u l

 

s e  

P

D

M

0 .

 

0 1  

t

1

t

2

1 E –

 

5  

1 E –

 

4  

1 E –

 

3  

0 .

 

0 1  

0 .

 

1  

1

1 0  

t

1

S q u a r

 

e  

W a

 

v e

 

P u l

 

s e

 

D u r

 

a t

 

i o

 

n [

 

s e c ]  

Transient Thermal Response Curve  

For JCS640F  

1 0  

D

= 0 .

 

5  

1

0 .

 

2  

0 .

 

1  

N

1

2

3

o t

 

e s :  

Z

0 .

 

0 5  

( t ) =

 

2 .

 

8 5  

J C  

℃

/ W  

M

a x  

( t )  

θ

D

T

u t

 

y F

 

a c t

 

o r

 

,  

D

= t

 

/ t  

0 .

 

0 2  

1

2

– T

 

= P  

*

Z

θ

J M  

c

D

M

J C  

0 .

 

0 1  

0 .

 

1  

P

s i

 

n g l

 

e p

 

u l

 

s e  

D

M

t

1

t

2

0 .

 

0 1  

1 E –

 

5  

1 E –

 

4  

1 E –

 

3  

0 .

 

0 1  

0 .

 

1  

1

1 0  

t

1

S q u a r

 

e  

W a

 

v e

 

P u l

 

s e

 

D u r

 

a t

 

i o

 

n [

 

s e c ]  

版本：

201806G  

7/11  

R

JCS640  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220C  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806G  

8/11  

R

JCS640  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806G  

9/11  

R

JCS640  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-263  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201806G  

10/11  

R

JCS640  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to contact us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

网址：

HTU

UTH  

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

：

HTU

UTH  

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l: 86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411  

64678411  

Fax: 86-432-64671533  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201806G  

11/11