Jilin-Sino-Microelectronics-JCS650S

N

沟道增强型场效应晶体管  

N- CHANNEL MOSFET  

R

JCS650  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

封装

Package  

ID  

28.0A  

200 V  

VDSS  

Rdson-max  

（@Vgs=10V）  

Qg-typ  

85mΩ  

103nC  

APPLIC

A

T

IONS  



High efficiency switch  

mode power supplies  



Electronic lamp ballasts  

based on half bridge  



UPS  

用途  



高频开关电源  



电子镇流器  



UPS

电源  

产品特性  



低栅极电荷  

FEATURES  



Low gate charge  



Low C

rss

(typical 81pF )  



Fast switching  



低

C

rss

(

典型值

81pF)  



开关速度快  



产品全部经过雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

器件重量  

订 货 型 号  

印

记

封

装

无卤素  

包

装

Device  

Weight  

Order codes  

Marking  

Package  

Halogen Free  

Packaging  

JCS650C-O-C-N-B  

JCS650F-O-F-N- B  

JCS650S-O-S-N- A  

JCS650S-O-S-N-B  

JCS650C  

JCS650F  

JCS650S  

JCS650S  

TO-220C  

TO-220MF  

TO-263  

否

否

否

否

NO  

NO  

NO  

NO  

条管

Tube  

条管

Tube  

卷盘

Reel  

条管

Tube  

2.06 g(typ)  

2.22 g(typ)  

1.93 g(typ)  

1.93 g(typ)  

TO-263  

版本：

201510D  

1/11  

R

JCS650  

绝对最大额定值

ABSOLUTE RATINGS

(

T

c

=25

℃

)  

数

值

Value  

JCS650C  

项

目

符

号

单 位  

Parameter  

最高漏极－源极直流电压  

Drain-Source Voltage  

Symbol  

JCS650S  

JCS650F  

Unit  

V

DSS  

200  

V

I

D  

T=25

℃  

28.0  

17.7  

28.0*  

17.7*  

A

A

连续漏极电流  

Drain Current -continuous  

T=100

℃  

最大脉冲漏极电流（注

1

）  

I

DM  

112  

112*  

A

V

Drain Current -pulse

 

（

note 1

）  

最高栅源电压  

V

GSS  

E

AS  

±30  

588  

28  

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量（注

2

）  

mJ  

A

Single Pulsed Avalanche Energy

（

note 2

）  

雪崩电流（注

1

）  

I

AR  

Avalanche Current

 

（

note 1

）  

重复雪崩能量（注

1

）  

E

AR  

dv/dt  

15.8  

5.0  

mJ  

V/ns  

Repetitive Avalanche Current

 

（

note 1

）  

二极管反向恢复最大电压变化速率（注

3

）  

Peak Diode Recovery dv/dt

 

（

note 3

）  

5.5  

P

D  

158  

50  

W

T

C

=25

℃  

-Derate  

above  

25

℃  

耗散功率  

Power Dissipation  

1.265  

0.40  

W/

℃

 

最高结温及存储温度  

Operating and Storage

T

e

mperature  

Range  

T

J

，

T

STG  

-55

～

+150  

℃

℃

引线最高焊接温度  

Maximum Lead

T

e

mperature for Soldering

 

T

L  

Purposes  

300  

*

漏极电流由最高结温限制  

*Drain current limited by maximum junction temperature  

版本：

201510D  

2/11  

R

JCS650  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTIC  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典

型

最

 

大单 位  

Parameter  

关态特性

Off –Characteristics  

漏－源击穿电压  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

BV

DSS

I

D

=250μA, V

GS

=0V  

200  

–

–

–

Drain-Source Voltage  

击穿电压温度特性  

V

ΔBV

DSS

I

D

=250μA, referenced to  

Breakdown Voltage

T

e

mperature  

Coefficient  

0.19  

–

–

V/

℃  

/ΔT

J  

25

℃  

V

DS

=200V, V

GS

=0V, T

C

=25

℃  

V

DS

=160V, T

C

=125

℃  

–

–

1

零栅压下漏极漏电流  

μA  

I

DSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

–

–

10 μA  

正向栅极体漏电流  

I

GSSF  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=30V  

V

DS

=0

V

,

V

GS

=-30V  

–

–

100 nA  

Gate-body leakage current, forward  

反向栅极体漏电流  

–

I

GSSR  

-100 nA  

Gate-body leakage current, reverse  

通态特性

On-Characteristics  

阈值电压  

V

GS(th)

V

DS

= V

GS

, I

D

=250μA  

R

DS(ON)

V

GS

=10V , I

D

=14.0A  

g

fs  

2.0  

–

4.0  

85  

–

V

mΩ  

S

Gate Threshold Voltage  

静态导通电阻  

68  

24  

–

–

Static Drain-Source On-Resistance  

正向跨导  

Forward Transconductance  

动态特性

Dynamic Characteristics  

输入电容  

V

DS

= 40V , I

D

=14.0

A

（

note 4

）  

V

DS

=25V,  

V

GS

=0

V

,  

f=1.0MH

Z  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

–

–

–

2879 3742

 

pF  

362 470

 

pF  

81 105 pF  

Input capacitance  

输出电容  

Output capacitance  

反向传输电容  

Reverse transfer capacitance  

版本：

201510D  

3/11  

R

JCS650  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS  

项

目

符

号

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

Parameter  

Symbol  

Tests conditions  

Min Typ

 

Max Units  

开关特性

Switching –Characteristics  

延迟时间

Turn-On delay time  

上升时间

Turn-On rise time  

t

d

(on)  

t

r  

V

DD

=100V,I

D

=28A,R

G

=25Ω  

V

GS

=10V  

–

–

–

–

–

–

–

28 69

 

ns  

251 494

 

ns  

（

note 4

，

5

）  

617 ns  

309  

t

d

(off)  

t

f  

延迟时间

Turn-Off delay time  

下降时间

Turn-Off Fall time  

220 412

 

ns  

103 136

 

nC  

栅极电荷总量

T

o

tal Gate Charge  

栅－源电荷

Gate-Source charge  

栅－漏电荷

Gate-Drain charge  

Q

g  

V

DS

=160V ,  

I

D

=28A  

Q

gs  

Q

gd  

16  

53  

–

–

nC  

nC  

V

GS

=10V

（

note 4

，

5

）  

漏－源二极管特性及最大额定值

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain-Source  

Diode Forward Current  

I

S  

–

–

–

–

–

28  

112  

1.4  

A

A

V

正向最大脉冲电流  

Maximum Pulsed Drain-Source Diode  

Forward Current  

I

SM  

正向最大连续电流  

Maximum Continuous Drain-Source

 

V

SD  

Diode Forward Current  

V

GS

=0

V

, I

S

=28A  

反向恢复时间  

t

rr  

218  

ns  

Reverse recovery time  

V

GS

=0

V

, I

S

=28A  

dI

F

/dt=100A/μs (note 4)  

反向恢复电荷  

Q

rr  

1.91  

μC  

Reverse recovery charge  

热特

性

THERMAL CHARACTERISTIC  

最大值  

项

目

符

号

单

位

Value  

Parameter  

Symbol  

Rth(j-c)  

Rth(j-A)  

Unit  

℃

/W  

℃

/W  

JCS650C/S JCS650F  

结到管壳的热阻  

0.79 2.48  

Thermal Resistance, Junction to Case  

结到环境的热阻  

62.5  

Thermal Resistance, Junction to Ambient  

注：  

Notes:  

1

：脉冲宽度由最高结温限制  

1

：

Pulse width limited by maximum junction temperature  

2

：

L=1.5mH, I

AS

=28A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,Starting  

T

J

=25

℃

 

2

：

L=1.5mH, I

AS

=28A, V

DD

=50

V

,

R

G

=25 Ω,

起始结温  

T

J

=25

℃  

3

：

I

SD

≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV

DSS

,

起始结温

T

J

=25

℃  

4

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2

％  

5

：基本与工作温度无关  

3

：

I

SD

≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV

DSS

, Starting T

J

=25

℃  

4

：

Pulse

T

e

st

：

Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2

％  

5

：

Essentially independent of operating temperature  

版本：

201510D  

4/11  

R

JCS650  

Capacitance Characteristics  

Gate Charge Characteristics  

3

12  

10  

8

5.0×10  

V

DS

=40V  

C

=

C +C (C =shorted)  

iss  

gs  

gd ds  

3

4.5×10  

C

=

C

 

+C  

gd  

oss  

ds  

3

C

iss  

V

DS

=100V  

4.0×10  

C

=

C  

rss  

gd  

3

3.5×10  

3

3.0×10  

3

6

2.5×10  

V

DS

=160V  

3

2.0×10  

4

3

1.5×10  

C

3

oss  

1.0×10  

2

C

2

rss  

Notes:  

I

D

=28A  

5.0×10  

0.0  

10

0  

0

10

1  

0

10  

20  

30  

40  

50  

60  

70  

80  

90 100

 

110 120  

V

DS

D

rain-Sourc

e

V

oltag

e

[

V]  

Q

g

Toltal Gate Charge [nC]  

版本：

201510D  

5/11  

R

JCS650  

Maximum Safe Operating Area  

JCS650C/S  

Maximum Safe Operating Area  

JCS650F  

版本：

201510D  

6/11  

R

JCS650  

特征曲线

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  

Transient Thermal Response Curve  

(Zthjc) For JCS650C/S  

Transient Thermal Response Curve  

(Zthjc) For JCS650F  

版本：

201510D  

7/11  

R

JCS650  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220C  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201510D  

8/11  

R

JCS650  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220MF  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201510D  

9/11  

R

JCS650  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-263  

单位

Unit

：

mm  

版本：

201510D  

10/11  

R

JCS650  

注意事项  

NOTE  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货  

时请与公司核实。  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its  

product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering ,  

please check with our company.  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公  

2. We

 

strongly recommend customers check  

carefully on the trademark when buying our  

product, if there is any question, please  

don’t be hesitate to contact us.  

司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  

3. Please

 

do not exceed the absolute  

maximum ratings of the device when circuit  

designing.  

额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知  

4. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd reserves  

the right to make changes in this  

specification sheet and is subject to  

change without prior notice.  

CONTACT  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  

联系方式  

吉林华微电子股份有限公司  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

公司地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l

：

86-432-64678411  

总机：

86-432-64678411  

传真：

86-432-64665812  

网址：

HTU

UTH  

Fax

：

86-432-64665812  

Web Site

：

HTU

UTH  

MARKET DEPARTMENT  

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  

Province, China.  

市场营销部  

地址：吉林省吉林市深圳街

99

号  

Post Code: 132013  

邮编：

132013  

T

e

l: 86-432-64675588  

64675688  

电话：

86-432-64675588  

64675688  

64678411  

64678411  

Fax: 86-432-64671533  

传真

: 86-432-64671533  

版本：

201510D  

11/11