Jilin-Sino-Microelectronics-SPE15S60F-E

智能功率模块

(IPM)  

Intelligent Power Module  

SPE15S60F-E  

封装

Package  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

600V/15A

三相全桥智能功率模块  

V

CES  

±

I

C  

600V  

15A  

30A  

±

I

CP  

用途  

APPLICATIONS  

●

冰箱压缩机  

●

空调压缩机  

●

低功率变频器  

●

工业缝纫机  

●

Air-conditioning compressor  

●

Refrigerator compressor  

●

Low power inverter  

●

Industrial sewing machine  

产品特性  

●

下臂

IGBT

发射极输出，内置自举二极管。  

DIP25-DBC  

●

600V/15A

三相逆变器，内置低损耗沟道栅

–

场截止型

IGBT

。  

●

IGBT

驱动：高速

600V

电平转换，电源欠压保护，  

短路（过流）保护，过温保护和温度输出。  

●

故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。  

●

输入接口：兼容

3.3V &5V

输入信号，高电平有效。  

FEATURES  

●

Lower arm IGBT emitter output, built-in bootstrap diode.  

●

600V/15A three-phase inverter with built-in low-loss trench  

gate-field stop IGB

T

.  

PIN1-PIN25  

●

IGBT drive: high-speed 600V level conversion, power supply under-voltage protection, short circuit  

(overcurrent) protection

，

Over temperature protection and temperature output.  

●

Fault signal: corresponds to short circuit (overcurrent)

、

Over temperature and Low-side power  

under-voltage fault.  

●

Input interface: compatible with 3.3V&5V input signals, high level effective.  

订货信息

ORDER MESSAGE  

产 品 信 息

Product information  

订 货 料 号  

无卤

–

条管  

无卤

–

编带  

印

记

封

装

外形  

Order number  

Halogen-Free-Tube

Halogen-Free-

Reel  

Marking  

Package  

Outline  

2A01-0563-16  

2A01-0631-16  

SPE15S60F-E  

SPE15S60F-E  

N/A  

N/A  

SPE15S60F-E  

SPE15S60F-E  

DIP25-DBC  

DIP25-DBC  

A

B

版本：

202209A  

1/19  

SPE15S60F-E  

模块示意图

Module diagram  

图

1

：模块内部电路示意图  

Fig 1: Internal circuit  

图

2

：模块引脚分布示意图  

Fig 2: Distribution of pin  

版本：

202209A  

2/18  

SPE15S60F-E  

管脚编号  

管脚名称  

管脚描述  

Pin Number  

Pin Names  

Pin Description  

无连接  

connectionless  

U

相上臂驱动电源端子  

1

2

NC  

VUFB  

VVFB  

VWFB  

UP  

U-phase upper arm drive power terminal  

V

相上臂驱动电源端子  

V phase upper arm drive power terminal  

W

相上臂驱动电源端子  

3

4

W phase upper arm drive power terminal  

U

相上臂控制信号输入端子  

U-phase upper arm control signal input terminal  

V

相上臂控制信号输入端子  

V phase upper arm control signal input terminal  

W

相上臂控制信号输入端子  

W phase upper arm control signal input terminal  

控制电源端子  

5

6

VP  

7

WP  

8

VP1  

VNC  

UN  

Control power terminal  

控制电源

GND

端子  

9

Control power GND terminal  

U

相下臂控制信号输入端子  

U-phase lower arm control signal input terminal  

V

相下臂控制信号输入端子  

V phase lower arm control signal input terminal  

W

相下臂控制信号输入端子  

W phase lower arm control signal input terminal  

控制电源端子  

10  

11  

VN  

12  

13  

WN  

VN1  

Control power terminal  

故障输出端子  

14  

15  

16  

17  

18  

19  

20  

21  

22  

23  

24  

25  

FO  

CIN  

VNC  

VOT  

NW  

NV  

NU  

W

Fault output terminal  

短路保护触发电压检测端子  

Short circuit protection trigger voltage detection terminal  

控制电源

GND

端子  

Control power GND terminal  

温度检测输出端子  

T

e

mperature detection output terminal  

W

相下臂

IGBT

发射极端子  

W phase lower arm IGBT emitter terminal  

V

相下臂

IGBT

发射极端子  

V phase lower arm IGBT emitter terminal  

U

相下臂

IGBT

发射极端子  

U phase lower arm IGBT emitter terminal  

W

相输出端子  

W phase output terminal  

V

相输出端子  

V phase output terminal  

U

相输出端子  

U phase output terminal  

逆变器直流输入端子  

V

U

P

Dc input terminal of inverter  

无连接  

NC  

connectionless  

图

3

：模块引脚功能定义表  

Fig 3: Pin function  

版本：

202209A  

3/18  

SPE15S60F-E  

最大额定值

(T

j

= 25

℃

,

除非特殊说明）  

Absolute Maximum Ratings

 

（

T

j

= 25

℃

, Unless otherwise Specified

）  

逆变部分

Inverter Part  

记号  

项目  

条件  

额定值  

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Ratings  

Units  

电源电压  

应用于

P- NU, NV, NW

 

之间  

It applies between p-nu, NV, and NW  

应用于

P- NU, NV, NW

 

之间  

V

CC  

V

CC(Surge)  

V

CES  

± I

C  

450  

500  

V

V

supply voltage  

电源电压（含浪涌）  

Supply voltage (including surge)  

It applies between p-nu, NV, and NW  

集电极

–

发射极间电压  

/

600  

V

Collector to emitter voltage  

集电极电流  

T

C

= 25°C

（

Tc

测试方法见图

4

）  

TC = 25°C (see Figure 4 for Tc test method)  

T

C

= 25°C,

 

脉冲宽度小于

1ms  

TC = 25°C, pulse width is less than 1ms  

T

C

= 25°C

，单晶片  

15  

A

Collector current  

集电极电流（峰值）  

± I

CP  

30  

A

Collector current (peak)  

集电极功耗  

P

C  

39  

W

°C  

Collector power consumption  

TC = 25°C, single chip  

结温  

(

见备注

1)  

Tj  

-40~+150  

Junction temperature  

(See note 1)  

备注

1

：

IPM

功率晶片最大额定结温为

150°C(@

表面温度

T

C

≤ 100°C)

。

然

而

,

为了确保

IPM

运行安全

，

结

温应限定于

Tj(av) ≤  

125°C (@

表面温度

Tc ≤ 100°C)

。  

Remark 1: The maximum rated junction temperature of the IPM power chip is 150°C (@surface temperature TC≤ 100°C).  

However, to

ensure safe operation of the IPM, the junction temperature should be limited to Tj(av) ≤ 125°C (@surface  

temperature Tc ≤ 100°C).  

控制部分

Control Part  

记号  

项目  

条件  

额定值  

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Ratings  

Units  

上桥臂控制电源电压  

应用于

UFB

–

U, VFB-V, WFB-W

 

之间  

V

DB  

V

D  

20  

V

Upper arm control supply voltage  

Applied between UFB-U, VFB-V, WFB-W  

控制电源电压  

应用于

VP1

–

VNC

之间

,VN1

–

VNC

之间  

Applied between VP1-VNC,VN1

–

VNC  

20  

V

V

Control supply voltage  

输入信号电压  

应用于

UP, VP, WP, UN ,VN ,WN-VNC

之间  

V

IN  

V

FO  

I

FO  

-0.5~VD+0.5  

-0.5~VD+0.5  

1.5  

Input signal voltage  

Applied between UP, VP, WP, UN, VN, WN-VNC  

故障输出电压  

应用于

FO

–

V

NC

之间  

V

Fault output voltage  

Applied between FO-VNC  

故障输出电流  

FO

端子吸入电流值  

mA  

V

Fault output current  

FO terminal sink current value  

电流检测端输入电压  

应用于

CIN

–

V

NC

之间  

V

SC  

-0.5~VD+0.5  

Input voltage of current detection terminal  

Applied between CIN-VNC  

版本：

202209A  

4/18  

SPE15S60F-E  

整个系统

Total System  

记号  

项目  

条件  

额定值  

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Ratings  

Units  

V

D

= V

DB

= 13.5 ~ 16.5V  

电源电压自己保护范围（短路）  

V

CC(PROT)  

Tj= 150°C,

 

无重复

,

时间小于

2us  

400  

V

Power supply voltage  

Tj = 150°C, no repetition, time is less than 2us  

self-protection range (short circuit)  

模块正常工作壳体温度  

Tc  

-20

℃

≤Tj ≤150°C  

-20 ~ +100  

-40 ~ +125  

°C  

°C  

Module working temperature  

贮存温度  

T

s

tg  

/

Storage temperature  

正弦波

60Hz

，

AC 1

分钟，在插脚和散热片之间  

Sine wave 60Hz, AC for 1 minute, between pin  

and heat sink  

绝缘耐压  

Viso  

1

500  

Vrms  

Insulation withstand voltage  

图

4

：壳温

T

c

测试点  

Fig 4

：

Case

T

e

mperature Measurement  

热阻

Thermal Resistance  

记号  

项目  

条件  

最小值  

典型值 最大值  

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Min.  

Typ.  

Max.  

Unit  

单个

IGBT

元件  

Rth(j-c)Q  

Rth(j-c)F  

–

–

–

3.2  

°C/W  

结点到壳的热阻  

Junction to case  

thermal resistance  

Single IGBT element  

单个

FRD

元件  

–

4.0  

°C/W  

Single FRD element  

版本：

202209A  

5/18  

SPE15S60F-E  

电气特性

(Tj=25

℃

,

除非特殊说明

)  

Electrical Characteristics

 

(TJ=25

℃

, Unless Otherwise Specified)  

逆变部分

Inverter Part  

记号  

项目  

条件  

最小值 典型值 最大值  

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Min.  

Typ.  

Max.  

Unit  

V

D

= V

DB

= 15V  

–

1.75  

2.3  

V

集电极与发射极间饱和电压  

Saturation voltage between  

collector and emitter  

V

IN

= 5V, I

C

=15A, Tj= 25°C  

V

D

= V

DB

= 15V  

V

CE(sat)  

–

–

1.95  

1.3  

–

V

V

V

IN

= 5V, IC =15A, Tj= 125°C  

FWD

正向导通电压  

V

IN

= 0V

，

I

C

=-15A, Tj = 25°C  

V

F  

1.9  

FWD forward voltage  

ns  

ns  

ns  

ns  

ns  

–

–

–

–

–

–

700  

250  

800  

60  

–

–

–

–

–

–

t

ON  

t

C(ON)  

t

OFF  

V

CC

= 300V, V

D

= V

DB

= 15V,  

开关时间（备注

2

）  

Switching time (Note 2)  

I

C

=15A  

t

C(OFF)  

t

rr  

V

IN

= 0V-5V,

 

感性负载  

175  

1200  

开通损耗

Turn-on loss  

关断损耗

Turn-off loss  

集电极到发射极漏电流  

I

C

= 15A, V

CC

= 400V, V

D

=V

DB

=  

E

on  

E

off  

uJ  

15V,R

G

= 22Ω, L = 1.0mH, Tj =  

–

210  

–

25°C  

–

–

–

–

75  

1

uA  

V

CE

= V

CES  

Tj= 25°C  

I

CES  

Collector to emitter leakage  

current  

mA  

V

CE

= V

CES

Tj= 125°C  

备注

2

：

t

ON

和

t

OFF

包括驱动

IC

内部传输延迟时间。

t

C(ON)

和

t

C(OFF)

是

IGBT

自身被内部给定门极驱动条件下的开关时间

。

详

见  

图

5

。  

Remark 2: t

ON

and t

OFF

include the internal transmission delay time of the driver IC. t

C(ON)

and t

C(OFF)

are the switching times of the  

IGBT itself driven by the internally given gate. See Figure 5 for details.  

图

5

：开关时间定义  

Fig 5: Switching Time Definition  

版本：

202209A  

6/18  

SPE15S60F-E  

控制部分

Control Part  

记号  

项目  

条件  

最小值 典型值 最大值

 

单位  

Mark  

Project  

Condition  

Min.  

Typ.  

Max.  

Unit  

V

D

静态电流  

V

D

Quiescent Current  

V

DB

静态电流  

V

D

= 15V  

V

IN

= 5V  

I

D  

VP1-VNC  

–

–

1

mA  

V

DB

= 15V

 

UFB – U, VFB – V,  

V

IN

= 5V

 

WFB – W  

I

DB  

–

–

–

550  

–

uA  

V

V

DB

Quiescent Current  

Vsc = 0V, FO

 

脚通过

10K

电  

阻上拉至

5V  

4.6  

故障输出电压  

V

FOH  

Vsc = 0V, FO pin is pulled up to  

5V through 10K resistor  

Fault output voltage  

–

–

0.5  

V

V

V

FOL  

Vsc =1V, I

FO

=1.5mA  

短路正向触发阙值  

0.445  

0.5  

0.55  

Vsc,TH+  

V

D

= 15V  

Short circuit forward trigger  

threshold  

8.0  

10.0  

8.0  

10.0  

11.0  

9.0  

11.0  

12.0  

10.0  

11.0  

触发电平

Trigger level  

复位电平

Reset level  

触发电平

Trigger level  

复位电平

Reset level  

UV

DD  

UV

DR  

电源欠压保护控制  

Power undervoltage protection  

contro  

V

UV

DBD  

UV

DBR  

9.0  

10.0  

故障输出脉冲宽度  

Fault output pulse width  

开启阙值电压  

–

–

65  

2.3  

1.4  

–

2.6  

–

uS  

V

–

T

FO  

应用于

UP,VP,WP,UN,VN,WN  

和

VNC

之间  

V

IN(ON)  

V

IN(OFF)  

Turn on threshold voltage  

关断阙值电压  

Applied between UP, VP, WP,  

UN, VN, WN and VNC  

1

Turn-off threshold voltage  

T

c

=90

℃  

T

c

=25

℃  

2.63  

0.88  

2.77  

1.13  

2.91  

1.39  

温度输出，备注

3  

V

OT  

V

T

e

mperature output, remark 3  

过温保护  

LVIC

温度  

120  

130  

140  

℃

OTt  

Over temperature protection  

LVIC temperature  

LVIC

迟滞温度  

过温保护迟滞  

LVIC

Hysteresis temperature  

—  

10  

—  

℃

OTrh  

Over temperature protection  

hysteresis  

BSD

限流电阻  

R

BSD  

75  

90  

105  

ohm  

Built-in limiting resistance  

备注

3

：

IPM

的

VOT

输出特性曲线请参考图

6

。  

Remark 3: Please refer to Figure 6 for the VOT output characteristic curve of IPM.  

版本：

202209A  

7/18  

SPE15S60F-E  

图

6.1

：

VOT

输出电压曲线  

Figure 6.1: VOT output voltage curve  

图

6.2

：

VOT

输出电路  

Figure 6.2:V

OT

output circuit  

（

1

）使用温度监测功能时，需

VOT

引脚连接下拉

5k

Ω电阻，无内部

OTP

功能；当保持

VOT

引  

脚悬空（无连接）），可以使用内部超温停机功能，内部超温停机功能是通过检测

LVIC

温升实现的，  

它并不能对功率芯片的迅速升温做出有效反应。  

(1) When using the temperature monitoring function, the VOT pin needs to be connected with the  

pull-down 5k

Ω

resistor, and there is no internal OTP function; When keep the VOT pin open (no  

connection). the internal overtemperature shutdown function can be used. The internal over  

版本：

202209A  

8/18  

SPE15S60F-E  

temperature shutdown function is realized by detecting the temperature rise of lvic, which can not  

effectively respond to the rapid temperature rise of power chip.  

（

2

）

在

3.3V

单片机等低压控制器上使用

VOT

时

，

VOT

输出在温度上升过快时

，

可

能超过控制电  

源电压

3.3V

，

如

果系统使用低压控制器

，

建

议在控制电源和

VOT

输出之间的加入钳位二极管

，

用

于防  

止过电压损坏。  

(2) When using VOT on low-voltage controllers such as 3.3V single chip microcomputer,the VOT  

output may exceed the control power supply voltage by 3.3V when the temperature rises too fast. If  

the system uses low-voltage controller, it is recommended to add clamping diode between the control  

power supply and VOT output to prevent overvoltage damage.  

推荐工作条件

Recommended Operating Conditions  

记号  

项目  

Project  

条件  

最小值 典型值 最大值  

单位  

Mark  

Condition  

Min.  

Typ.  

Max.  

Unit  

电源电压  

应用于

P

–

NU, NV, NW

 

之间  

Applied between P

–

NU, NV, NW  

应用于

VP1

–

VNC

之间，

VN1-VNC  

Applied between VP1-VNC, VN1-VNC  

应用于

VUFB

–

U, VVFB

–

V,  

VWFB-W

之间  

Vcc  

V

D  

0

300  

400  

V

V

voltage  

控制电源电压  

Control supply voltage  

–

–

15  

15  

–

–

上臂控制电源电压  

Upper arm control power  

supply voltage  

V

DS  

V

Applied between VUFB-U, VVFB-V,  

VWFB-W  

各桥臂输入对应

,

T

c

<=100

℃  

Corresponding to the input of each  

bridge arm,

T

c

<=100

℃  

-20

℃

≤

T

c

≤

+100

℃  

死区时间  

t

dead  

f

PWM  

1

–

–

us  

Dead time  

PWM

频率  

PWM frequency  

–

–

–

–

20  

–

kHz  

us  

-20

℃

≤Tj≤+150

℃  

最小输入信号脉冲宽度  

Minimum input signal pulse  

width  

ON  

1

1

PWM  

Tj  

OFF  

–

–

us  

结温  

-20  

–

125  

℃

Junction temperature  

版本：

202209A  

9/18  

SPE15S60F-E  

机械特性

Mechanical properties  

项目  

条件  

最小值  

典型值  

最大值  

单位  

Project  

Condition  

Min.  

Typ.  

Max.  

Unit  

安装扭矩

Installation torque  

设计平面度

Design flatness  

重量

weight  

螺丝钉尺寸：

M3  

见图

7  

Screw size: M3  

Figure 7  

–

-50  

–

0.69  

–

+120  

–

N·m  

um  

g

–

–

9

图

7

：平面度检测位置  

Figure 7: Flatness detection position  

应用指南

Application Guide  

保护功能时序图

Timing diagram of protection function  

图

8

：欠压保护时序图

(

低侧

)  

Figure 8: Timing diagram of undervoltage protection (low side)  

版本：

202209A  

10/18  

SPE15S60F-E  

a1:

电源电压上升：当该电压上升到欠压恢复点，在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行。  

a1: ower supply voltage rise: When the voltage rises to the undervoltage recovery point, the line will  

start running before the next undervoltage signal is executed.  

a2:

正常运行

: IGBT

 

开启并加载电流。  

a2: Normal operation: IGBT turns on and loads current.  

a3:

欠压检测点

(UVDt)

。  

a3: Undervoltage detection point (UVDt).  

a4:

不管输入是什么信号，

IGBT

都是关闭状态。  

a4: No matter what signal is input, the IGBT is off.  

a5:

故障输出开启。  

a5: Fault output is on.  

a6:

欠压恢复

(UVDr)

。  

a6: Undervoltage recovery (UVDr).  

a7:

正常运行

: IGBT

 

导通并加载负载电流。  

a7: Normal operation: IGBT is turned on and load current is loaded.  

图

9

：欠压保护时序图

(

高侧

)  

Figure 9: Timing diagram of undervoltage protection (high side)  

b1 :

 

电源电压上升：当该电压上升到欠压恢复点，在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行。  

b1: Power supply voltage rise: When the voltage rises to the undervoltage recovery point, the line will  

start running before the next undervoltage signal is executed.  

b2 :

 

正常运行

: IGBT

导通并加载负载电流。  

b2: Normal operation: IGBT is turned on and load current is applied.  

b3 :

 

欠压检测

(UVDBt)

。  

b3: Undervoltage detection (UVDBt).  

b4 :

 

不管输入是什么信号，

IGBT

都是关闭状态。  

b4: No matter what signal is input, IGBT is off.  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

b5 :

 

欠压恢复

(UVDBr)

。  

b5: Undervoltage recovery (UVDBr).  

b6 :

 

正常运行

: IGBT

导通并加载负载电流。  

b6: Normal operation: IGBT is turned on and load current is applied.  

图

10

：短路电流保护时序图（只适合于低侧）  

(

通过外部分流电阻连接

)  

Figure 10: Timing diagram of short-circuit current protection (only suitable for low side)  

(Connected via external shunt resistor)  

c1:

正常运行

: IGBT

 

导通载流。  

c1: Normal operation: IGBT conducting current.  

c2:

短路电流检测（

CIN

触发器）。  

c2: Short-circuit current detection (CIN trigger).  

c3: IGBT

 

门极被强制关断

.  

c3: IGBT gate is forcibly turned off. c4: IGBT is turned off.  

c4 : IGBT

关断。  

c4: IGBT is turned off.  

c5:

故障输出定时器开始运行

:

故障输出信号的脉冲宽度是

T

FO

=65us.

。  

c5: The fault output timer starts to run: The pulse width of the fault output signal is TFO=65 us.  

c6:

输入

“L” : IGBT

关闭。  

c6: Input “L”: IGBT is off.  

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SPE15S60F-E  

c7:

输入

“H”: IGBT

 

开通，但是故障信号作用期间，

IGBT

不导通。  

c7: Input “H”: The IGBT is turned on, but the IGBT is not turned on during the fault signal.  

c8: IGBT

 

关断。  

c8: IGBT is turned off.  

输入

/

输出接口电路

Input/output interface circuit  

图

11

：推荐的

MCU

输入输出接口电路  

Figure 11: Recommended MCU input and output interface circuit  

备注

4

：由于

PWM

的控制方式和实际应用电路的阻抗及线路板的阻抗，

RC

去耦可能会有变化。  

Note 4: Due to the PWM control method and the impedance of the actual application circuit and the  

impedance of the circuit board, RC decoupling may change.  

备注

5

：逻辑输入要和标准的

CMOS

或

LSTTL

输出相匹配。  

Note 5: The logic input must match the standard CMOS or LSTTL output.  

分流电阻接线

Shunt resistor wiring  

图

12

：旁路电阻接线注意事项  

Figure 12: Precautions for bypass resistance wiring  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

典型应用电路图

Typical application circuit diagram  

图

13

：典型应用电路  

Figure 13:

T

y

pical application circuit  

备注

6

：输入驱动高有效；

IC

内部集成有一个下拉电阻；为防止发生误动作，输入布线应尽可能短；  

当用

RC

去耦线路时，须确保输入信号达到开启和关断阙值电压范围。  

Remark 6: The input drive is highly effective; a pull-down resistor is integrated inside the IC; in order  

to prevent malfunctions, the input wiring should be as short as possible; when using RC decoupling  

lines, make sure that the input signal reaches on and off Threshold voltage range.  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

备注

7

：由于模块内置了专用

HVIC

，其控制端子可与

CPU

端子直接相连，而不需要任何光耦或变压  

器等隔离电路。  

Remark 7: Since the module has a built-in dedicated HVIC, its control terminal can be directly  

connected to the CPU terminal without any isolation circuit such as optocoupler or transformer.  

备注

8

：自举电路负极应直接连接到

U

、

V

、

W

的端。  

Remark 8: The negative pole of the bootstrap circuit should be directly connected to the U,

V

, W  

terminals.  

备注

9

：

FO

是漏极开路型，其信号线应通过一个约

10kΩ

的上拉电阻上拉到

+5V/3.3V

电源。  

Remark 9: FO is an open-drain type, and its signal line should be pulled up to a +5V/3.3V power  

supply through a pull-up resistor of about

10kΩ.  

备注

10

：为防止误保护，

A

、

B

、

C

连线应尽可能短。  

Note 10:

T

o prevent false protection, the A, B, and C wiring should be as short as possible.  

备注

11

：保护线路

R1

、

C4

的时间常数建议选取在

1.5~2uS

。关断时间可能随着布线的不同而多少有  

些变化。建议

R1

、

C4

选择小容差，温度补偿类型。  

Remark 11: The time constant of protection lines R1 and C5 is recommended to be 1.5~2uS. The  

turn-off time may vary somewhat depending on the wiring. It is recommended that R1 and C5 choose  

small tolerance and temperature compensation type.  

备注

12

：所有电容的位置尽可能的靠近

IPM

。  

Remark 12: Position all capacitors as close to IPM as possible.  

备注

13

：为了防止噪声干扰，储能电容与

P&N1

之间的引线应尽可能的短，推荐在

P&N1

端子之间加  

约

0.1

～

0.22uF

的

MLCC

低频滤波电容。  

Note 13: In order to prevent noise interference, the lead between the storage capacitor and P&N1  

should be as short as possible. It is recommended to add about 0.1

～

0.22uF of MLCC low-frequency  

filter capacitor between P&N1 terminals.  

备注

14

：

两

个

VNC

端（

9&16

脚）在

IPM

内部已连接在一起，外部任一

VNC

端子连接到

GND

，另一  

端子允许开路。  

Remark 14: The two VNC terminals (pins 9 & 16) are connected together inside the IPM, any external  

VNC terminal is connected to GND, and the other terminal is allowed to open.  

备注

15

：

如

果控制地通过

PCB

走线被连接到功率地

，

控

制信号可能会受到功率地的起伏的影响

，

推

荐  

使用单点连接。  

Remark 15: If the control ground is connected to the power ground through PCB traces, the control  

signal may be affected by the fluctuation of the power ground. It is recommended to use a single point  

connection.  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

外形封装图

Outline package drawing  

DIP25-DBC

外形

A  

单位：

mm  

图

14.1

：封装尺寸示意图  

Figure 14.1: Schematic diagram of package size  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

单位：

mm  

DIP25-DBC

外形

B  

图

14.2

：封装尺寸示意图  

Figure 14.2: Schematic diagram of package size  

版本：

202209A  

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SPE15S60F-E  

注意事项  

1.

吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理

，

无

论哪种方式

，

订

货时请与公司  

核实。  

2.

购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。  

3.

在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。  

4.

本说明书如有版本变更不另外告知。  

NOTE  

1. Jilin

 

Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales  

agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company.  

2. We

 

strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our  

product,

if there is any question, please don’t be hesitate to contact us.  

3. Please

 

do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing.  

4. Jilin

 

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sheet and is subject to change without prior notice.  

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公司地址：吉林省吉林市深圳街

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