JSMSEMI-S8550

S8550  

PNP半导体晶体管  

FEATURES

特

点

 

Low Frequency Power Amplifier

低頻功率放大  

Suitable for Driver Stage of Small Motor

小马达  

驱动

Complementary to S8050

与

S8050

互补  

MARKING

丝印  

C

S8550:2TY  

B

E

最大額定值

(T

a

=25

℃

)  

CHARACTERISTIC  

Symbo  

l

Rating  

Unit  

特性参数  

額定值  

单位  

符号  

Collector-Base Voltage  

集电极

–

基极电压  

V

CBO  

-40  

-25  

-5.0  

Vdc  

Vdc  

Vdc  

Collect-Emitter Voltage  

集电极

–

发射极电压  

V

CEO  

V

EBO  

Emitter-Base Voltage  

发射极

–

基极电压  

Collector Current  

Ic  

-500  

mAdc  

集电极电流  

Collector Power Dissipat

io

n  

P

C  

T

j  

225  

150  

mW  

集电极耗散功率  

Junction Temperature  

℃

结温  

Storage Temperature Range  

℃

T

stg  

-55

〜  

储存溫度  

150  

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S8550  

PNP半导体晶体管  

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

电

特性  

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如无特殊说明，溫度为

25

℃

)  

Characteristic  

Symbol  

Test Condition  

Min.  

Typ.  

Max. Unit  

特性参数  

符号  

测试条件  

最小值 典型值 最大值 单位  

Collector Cutoff Current  

μA  

μA  

—

I

CBO  

V

CB

=-30V,I

E

=0  

—

-0.1  

集电极截止电流  

Emitter Cutoff Current  

—

—

—

I

EBO  

V

EB

=-5V,I

C

=0  

I

C

=-100μA  

—

-0.1  

—

发射极截止电流  

Collector-Base Breakdown Voltage  

V

(BR)CBO  

-40  

–

25  

V

V

集电极

–

基极击穿电压  

Collector-Emitter Breakdown  

Voltage  

—

—

V

(BR)CEO  

I

C

=-10mA  

集电极

–

发射极击穿电压  

Emitter-Base Breakdown  

Voltage  

I

E

=-100μA  

—

V

(BR)EBO  

-5  

V

发射极

–

基极击穿电压  

V

CE

=-1V,  

I

C

=-  

100mA  

—

—

H

FE

(1)  

H

FE

(2)  

85  

400  

—

DC Current Gain  

—

直流电流增益  

V

CE

=-1V,  

Ic=-  

40  

500mA  

Collector-Emitter Saturation Volt

ag

e  

I

C

=-  

500mA,  

I

B

=-50mA  

—

—

V

CE(sat)  

—

—

-0.6  

-1.2  

V

V

集电极

–

发射极饱和压降  

Base

-Emitter Saturation Voltage  

I

C

=-  

500mA,  

I

B

=-50mA  

V

BE(sat)  

V

BE  

f

T  

基极

–

发射极饱和压降  

Base-Emitter Voltage  

V

CE

=-1V,  

I

C

=-  

10mA  

—

-0.8  

120  

-1.0  

—

V

基极

–

发射极电压  

Transition Frequency  

V

CE

=-5V,  

I

C

=-  

10mA  

100  

MHz  

特微频率  

Collector Output  

Capacitance  

V

CB

=-10V,I

E

=0,  

f=1MHz  

C

ob  

—

13  

30  

pF  

输出电容  

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S8550  

PNP半导体晶体管  

SOT- 23  

毫米  

英寸  

符号  

最小  

最大  

最小  

0.035  

0.000  

0.035  

0.012  

0.003  

0.110  

0.047  

0.089  

最大  

0.045  

0.004  

0.041  

0.020  

0.006  

0.118  

0.055  

0.100  

A

A1  

A2  

b

0.900  

0.0

0

0  

0.9

0

0  

0.300  

0.080  

2.800  

1.200  

2.250  

1.150  

0.100  

1.050  

0.500  

0.150  

3.000  

1.400  

2.550  

c

D

E

E1  

e

0.950 TY

P

.  

0.550 REF.  

0.037 TY

P

.  

0.022 REF.  

e1  

L

1.800  

2.000  

0.071  

0.079  

L1  

θ

0.300  

0.500  

0.012  

0.020  

0

°

 

8

°  

0

°  

8

°  

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