JSMSEMI-S9015

晶体

管

 

S

9

015(PNP)  

特点

/Features

：  

1

、

h

FE

大，

h

FE

=200

～

1000;  

2

、

h

FE

线性特性好，  

印章

/Marking

：

M6  

用途

/Applications

：  

用于低电平

、

低

噪声的前置放大器

，

与

S9014

互补。  

极限参数

/Absolute maximum ratings(

T

a

=25

℃

)  

参数

/Parameter  

符号

/ Symbol  

数值

/Value  

单位

/Unit  

集电极

–

基极电压

/Collector-Base Voltage  

集电极

–

发射极电压

/Collector-Emitter Voltage  

发射极

–

基极电压

/Emitter-Base Voltage  

集电极连续电流

/Collector Current Continuous  

集电极耗散功率

/Collector Power Dissipation  

结温

/Junction Temperature  

V

CBO  

V

CEO  

V

EBO  

I

C  

-50  

-45  

V

V

-5  

V

-0.1  

0.2  

A

P

C  

W

T

j  

150  

℃

℃

储存温度

/Storage Temperature  

T

stg  

-55

～

150  

电性能参数

/Electrical characteristics (

T

a

=25

℃

)  

参数  

符号  

V

BR(CBO)  

V

BR(CEO)  

V

BR(EBO)  

I

CBO  

测试条件  

最小值 最大值 单位  

集电极

–

基极击穿电压  

集电极

–

发射极击穿电压  

发射极

–

基极击穿电压  

集电极截止电流  

I

C

=-100

μ

A,I

E

=0  

I

C

=-100

μ

A,I

B

=0  

I

E

=-100

μ

A,I

C

=0  

V

CB

=-50V,I

E

=0  

-50  

-45  

-5  

V

V

V

-0.1  

-0.1  

μ

A  

μ

A  

发射极截止电流  

I

EBO  

V

EB

=-5V,I

C

=0  

直流电流增益  

h

FE  

V

CE

=-5V,I

C

=-1mA  

I

C

=-100mA,I

B

=-10mA  

I

C

=-100mA,I

B

=-10mA  

200 1000  

-0.3 V  

集电极

–

发射极饱和压降  

基极

–

发射极饱和压降  

特征频率  

V

CE(sat)  

V

BE(sat)  

-1  

V

f

T

V

CE

=-5V,I

C

=-10mA,f=30MHz 150  

MHz  

h

FE

分档

/Classification of h

FE  

档位

/

Rank  

L

H

范围

/Range  

200

～

450  

450

～

1000  

晶体

管

 

S

9

015(PNP)  

典型特性曲线图

/Typical Characteristics