JUNSHINE-KWRFF100R12SWM
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KWRFF100R12SWM
1200V 100A
IGBT
模块
特征
采用最新沟槽栅场截止型
IGBT
芯片
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
100% RBSOA测试(2*I
C
)
低通态压降(
V
CE
=2.0V
)
低关断损
耗
(E
off
=6.28mJ)
高短路耐量(
>10us
)
应用领域
逆变焊机
IGBT(
逆变器
)
最大额定值
(未特殊说明时,
T
j
=25
℃)
参数
符号 条件
V
CES
额定值
1200
单位
集电极-发射极耐压
V
±20
V
GES
栅极-发射极耐压
T
C
=25
℃
T
C
=100
℃
t
P
=1ms
200
100
I
C
集电极电流
A
200
357
I
CRM
P
D
集电极重复峰值电流
耗散功率
T
C
=25
℃
,
T
vj max
=150
℃
V
GE
=15V,
V
CC
=600V,
T
j
=150
℃
W
μs
℃
t
SC
T
j
>10
短路承受时间
工作结温
-40~150
1/6
2020.08 Ver1.9
KWRFF100R12SWM
IGBT(
逆变器
)
电学特性
(未特殊说明时,
T
j
=25
℃)
参数
符号 测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
集电极-发射极击穿
电压
V
(BR)CES
V
GE
=0V,
I
C
=1mA
V
GE
=15V,
I
C
=100A
1200
–
–
V
T
j
=25
℃
T
j
=150
℃
V
CE(sat)
–
–
2.0
2.5
–
–
导通压降
V
GE(th)
I
C
=4mA,
V
CE
=
V
GE
–
–
–
–
–
–
–
–
6.1
–
–
阈值电压
I
CES
I
GES
R
Gint
C
iss
C
oss
C
rss
Q
G
V
CE
=1200V,
V
GE
=0V
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
3
集电极-发射极漏电流
栅极-发射极漏电流
内置栅电阻
输入电容
mA
nA
Ω
–
400
7.5
7216
366
197
392
–
–
–
–
V
CE
=25V
V
GE
=0V
f
=1MHz
输出电容
pF
nC
反馈电容
V
CC
=200V,
I
C
=100A,
–
栅电荷
开关特性
(感性负载)
开通延迟时间
上升时间
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
206
584
276
59
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
T
j
=25
℃
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=5.6Ω
ns
关断延迟时间
下降时间
31.7
6.28
38.0
224
546
343
134
32.7
8.71
41.4
开通损耗
E
on
E
off
E
ts
关断损耗
mJ
ns
开关损耗
开通延迟时间
上升时间
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
T
j
=150
℃
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=5.6Ω
关断延迟时间
下降时间
开通损耗
E
on
E
off
E
ts
关断损耗
mJ
开关损耗
V
GE
=15V,
V
CC
=600V,
T
j
=150
℃,
t
p
≤
10μs
I
SC
–
–
350
–
A
集电极短路电流
壳到结的热阻
–
0.35
每个
IGBT
R
thJC
K/W
2/6
2020.08 Ver1.9
KWRFF100R12SWM
二极管
(
逆变器
)
最大额定值
(未特殊说明时,
T
j
=25
℃)
参数
符号 条件
V
RRM
额定值
1200
单位
V
反向重复峰值电压
200
100
T
C
=25
℃
T
C
=100
℃
t
P
=1ms
I
F
连续正向直流电流
A
I
FRM
T
j
200
正向重复峰值电流
工作结温
-40~150
℃
二极管
(
逆变器
)
电学特性
(未特殊说明时,
T
j
=25
℃)
参数
符号 条件
最小值 典型值 最大值 单位
I
F
=100A
T
j
=25
℃
T
j
=150
℃
–
–
2.05
2.0
–
–
V
F
V
正向压降
t
rr
–
–
–
–
–
–
–
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复峰值电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复峰值电流
壳到结的热阻
225
4.00
33.0
310
8.9
–
–
–
–
–
–
–
ns
μC
A
T
j
=25
℃
V
R
=600V,
I
F
=100A
-di/dt=600A/us
Q
rr
I
rrm
t
rr
ns
T
j
=150
℃
V
R
=600V,
I
F
=100A
-di/dt=600A/us
Q
rr
I
rrm
R
thJCD
μC
A
43.0
0.5
每个二极管
K/W
模块
参数
符号 测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
V
ISOL
T
vj max
T
j
f
= 50Hz, 1minute
2500
–
–
–
V
绝缘测试电压
最大结温
–
150
150
–
℃
℃
K/W
℃
-40
–
–
工作结温
R
θCS
T
stg
M
0.03
外壳-散热器热阻
每个模块
-40
2.5
3.0
–
–
125
储存温度
Mounting Screw:M5
Mounting Screw:M6
–
–
5.0 N·m
5.0 N·m
模块安装扭距
端子联结扭矩
重量
M
G
170
–
g
3/6
2020.08 Ver1.9
KWRFF100R12SWM
输
出特性 IGBT, 逆
变
器 (典型)
output characteristic IGBT,Inverter (typical)
I
C
= f (V
CE
) V
GE
= 15 V
输出特性 IGBT, 逆变器 (典型)
output characteristic IGBT,Inverter (typical)
I
C
= f (V
CE
) T
j
= 150°C
传输特性 IGBT, 逆变器 (典型)
开关损耗 IGBT, 逆变器 (典型)
transfer characteristic IGBT,Inverter(typical)
switching losses IGBT,Inverter (typical)
I
C
= f (V
GE
) V
CE
= 20 V
E
on
= f (I
C
), E
off
= f (I
C
)
V
GE
= ±15 V, R
Gon
= 5.6
W
, R
Goff
= 5.6
W
, V
CE
= 600 V
4/6
2020.08 Ver1.9
KWRFF100R12SWM
开关损耗 IGBT, 逆变器 (典型)
switching losses IGBT,Inverter (typical)
E
on
= f (R
G
), E
off
= f (R
G
)
反偏安全工作区 IGBT,
逆变器 (RBSOA)
reverse bias safe operating area
IGBT,Inverter
I
C
= f (V
CE
)
V
GE
= ±15 V, I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V, R
Goff
= 5.6
W
, T
j
= 150°C
正向偏压特性 二极管,逆变器(典型)
forward characteristic of
Diode, Inverter (typical)
I
F
= f (V
F
)
恢复
电
荷 二极管,逆
变
器(典型)
recovered charge of
Diode, Inverter (typical)
Qrr= f (IF)
5/6
2020.08 Ver1.9
KWRFF100R12SWM
模块尺寸
(单位:mm)
3
*
M5
23
17
23
80±0.5
94±0.5
2.8X0.5
7.3 ±0.5
电路示意图
6/6
2020.08 Ver1.
9
