KUU-BSS123

BSS123  

SOT-23

場效應晶體管

(SOT-23 Field Effect Transistors)  

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  

N

沟道增强型

MOS

场效应管  

■

MAXIMUM RATINGS

最大額定值  

Characteristic

特性參數  

Symbol

符號  

BV

DSS  

V

GS  

Max

最大值  

100  

Unit

單位  

Drain-Source Voltage  

漏極-源極電壓  

V

V

Gate- Source Voltage  

栅極-源極電壓  

+20  

Drain Current

–

continuous  

漏極電流-連續  

I

DR  

mA  

mA  

150  

Drain Current-pulsed  

漏極電流-脉冲  

I

DRM  

600  

■

THERMAL CHARACTERISTICS

熱特性  

Characteristic

特性  

Symbol  

符號  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

P

D

Total Device Dissipation

總耗散功率  

250  

mW  

A

1.8  

Derate above25

℃ 超過

25

℃遞減  

mW/

℃  

℃

/W  

R

Θ  

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻  

JA  

500  

Junction and Storage Temperature  

結溫和儲存溫度  

T

J

,

T

stg  

150

℃,

-55to+150

℃  

■

DEVICE MARKING

 

打標  

BSS123=SA  

1/3  

BSS123  

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性  

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如無特殊說明，溫度爲

25

℃

)  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

Typ  

最小值 典型值 最大值  

Max  

Unit  

單位  

Drain-Source Breakdown Voltage  

—

—

—

—

2.8  

1.5  

100  

1.0  

—

V

V

V

BV  

DSS  

漏極-源極擊穿電壓

(I  

D

=10uA,V

GS

=0V)  

Gate Threshold Voltage  

栅極開启電壓

(I

D

=1mA,V

GS

= V

DS

)  

V

GS(th)  

Diode Forward Voltage Drop  

内附二極管正向壓降

(I

SD

=200mA,V

GS

=0V)  

V

SD  

DSS  

GSS  

Zero Gate Voltage Drain Current  

零栅壓漏極電流

(V

GS

=0V, V

DS

= 60V)  

—

—

100  

n

A  

I

I

Gate Body Leakage  

栅極漏電流

(V

GS

=+20V, V

DS

=0V)  

—

—

—

—

—

3.5  

—

—

+100  

6

n

A  

Ω

Static Drain-Source On-State Resistance  

静态漏源導通電阻

(I

D

=120mA,V

GS

=10V)  

R

DS(ON)  

Input Capacitance

輸入電容  

(V

GS

=0V, V

DS

=25V,f=1MHz)  

C

40  

pF  

pF  

ISS  

Common Source Output Capacitance  

共源輸出電容

(V

GS

=0V, V

DS

=25V,f=1MHz)  

C

25  

OSS  

Turn-ON Time

开启時間  

(V

DS

=50V, I

D

=200mA, R

GEN

=25

Ω

)  

—

—

—

—

10  

20  

ns  

ns  

t

(on)  

Turn-OFF Time

关断時間  

(V

DS

=50V, I

D

=200mA, R

GEN

=25

Ω

)  

t

(off)  

1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  

2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

3.

Pulse Width<300

μ

s; Duty Cycle<2.0%.  

2/3  

BSS123  

■

DIMENSION

外形封裝尺寸  

單位

(UNIT)

：

mm  

3/3