KUU-S8550

SO

T

–

23 Plastic-Encapsulate Transistors  

S8550

TRANSISTOR (PNP)  

FE

A

T

URES  

Complimentary to S8050  

Collector current:Ic=0.5A  

MARKING:2TY  

MAXIMUM RATINGS

(TA=25

℃

unless otherwise noted)  

Symbol  

（符号）  

Parameter  

（参数名称）  

Value  

（额定值）  

Units  

（单位）  

VCBO  

Collector-Base Voltage

 

（集电极

–

基极电压）  

Collector-Emitter Voltage

 

（集电极

–

发射极电压）  

Emitter-Base Voltage

 

（发射极

–

基极电压）  

Collector Current -Continuous

 

（集电极电流）  

Collector Power Dissipation

 

（耗散功率）  

Junction Temperature

 

（结温）  

-40  

-25  

V

V

VCEO  

VEBO  

IC  

-5  

V

-0.5  

0.3  

A

PC  

W

℃

℃

Tj  

150  

Tstg  

Storage Temperature

 

（储存温度）  

-55-150  

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Tamb=25

℃

unless otherwise specified)  

Parameter  

（参数名称）  

Symbol  

（符号）  

Test conditions  

（测试条件）  

MIN  

TYP  

（最小值） （典型值） （最大值）

 

（单位）  

MAX  

UNIT  

Collector-base breakdown voltage  

集电极

–

基极击穿电压  

V(BR)CBO  

V(BR)CEO  

V(BR)EBO  

ICBO  

IC= -100

μ

A, IE=0  

IC= -1mA, IB=0  

-40  

-25  

-5  

V

V

Collector-emitter breakdown voltage  

集电极

–

发射极击穿电压  

Emitter-base breakdown voltage  

发射极

–

基极击穿电压  

IE=-100

μ

A, IC=0  

V

Collector cut-off current  

集电极

–

基极截止电流  

VCB=-30 V , IE=0  

VCE=-25V ,

 

IB=0  

VEB=-5V , IC=0  

-1  

μ

A  

μ

A  

μ

A  

Collector cut-off current  

集电极

–

发射极截止电流  

ICEO  

-10  

-1  

Emitter cut-off current  

发射极

–

基极截止电流  

IEBO  

DC current gain  

直流电流增益  

hFE  

VCE=-1V, IC= -50mA  

IC=-500mA, IB= -50mA  

IC=-500mA, IB= -50mA  

80  

400  

-0.5  

-1.2  

Collector-emitter saturation voltage  

集电极

–

发射极饱和压降  

VCE(sat)  

VBE(sat)  

V

V

Base-emitter saturation voltage  

发射极

–

基极饱和压降  

CLASSIFICATION OF

 

hFE  

Range  

80-100  

100-200  

200-400  

400-600  

1/2  

S8550  

Typical Characteristics  

2/2