Minos-BTA04-600B
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NON INSULATED TYPE TRIAC
BTA04
-600B
█ 器件名称
内部绝缘型双向可控硅
█ 主要用途
适合于
TTL
、
HTL
、
CMOS
电路，主要用于小功率交流开关、风扇控制、照明控制等
█ 极限值
（
T
a
=25
℃）
█ 外形图及引脚排列
T
s t g
— — 贮 存 温 度 … … … … … … … … … … … … …
–
4 0 ~ 1 2 5
℃
T
j
— — 结 温 … … … … … … … … … …
…
… …… … … … –
4
0 ~1 2 5
℃
GM
——峰值门极功耗……………………………………………
1.5W
D R M
— — 重 复 峰 值 断 态 电 压 … … … … … … … … … … … …
6
0 0 V
I
T
（
RMS
）
—
—
RMS
通态电流（
Ta=107
℃
）
…
………………………
4.0A
GM
—
—峰值门极电压…………………………………………
7
.0V
GM
——峰值门极电流……………………………………………
1.0A
P
V
V
I
I
TSM
——浪涌通态电流
(
一个周期
,50/60H
Z,
峰值
,
不重复
)
…………
25/30A
█ 电参数
（
T
a
=25
℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
最大值
单 位
测
试
条
件
I
DRM
V
TM
重复峰值断态电流
峰值通态电压
门极触发电流
门极触发电流
门极触发电流
门极触发电流
门极触发电压
不触发门极电压
1.0
1.7
5.0
5.0
5.0
10.0
1.5
mA
V
V
D
=V
DRM,
单相
,
半波
,T
J
=125
℃
I
T
=7.0A,
快速测量
V
D
=12
V
,
R
L
=10 ohm
V
D
=12
V
,
R
L
=10 ohm
V
D
=12
V
,
R
L
=10 ohm
V
D
=12
V
,
R
L
=10 ohm
V
D
=12
V
,
R
L
=10 ohm
T
J
=125
℃,
V
D
=1/2V
DRM
T
J
=125
℃,
V
D
=2/3V
DRM
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
I+
GT3
V
GT
mA
mA
mA
mA
V
V
GD
0.2
5
V
(dv/dt)c
断态电压临界
上升率
V/µ
S
(di/dt)c=-0.5A/ms
℃/W
结到外壳
mA
R
th(j-c)
I
H
热阻
3.0
10
维持电流
SHENZHEN MINOS TECHNOLOGY CO.,LTD
NON INSULATED TYPE TRIAC
BTA04
-6
00B
█ 特性曲线
图一、门极特性
图二、通态电压
门
极
电
流
（
mA
）
通
态
电
压
（
V
）
图三、门极触发电压
—–
结温
图四、通态电流
—
最大功耗
结
温
（ºC）
RMS
通态电流
（A）
图五
、
通
态电流
—
外壳温度
图六
、
浪
涌通态最大电
流
（
不重复）
RMS
通态电流
（
A
）
时间
（
CYCLES
）
SHENZHEN MINOS TECHNOLOGY CO.,LTD
NON
INSULATED TYPE TRIAC
BTA04
-6
00B
图七、门极触发电流—-结温
图八、瞬
态
热
阻
图九、门极触发特性测试电路
10Ω
10Ω
10Ω
10Ω
测试方式Ⅰ
测试方式Ⅱ
测试方式Ⅲ
测试方式Ⅳ
SHENZHEN MINOS TECHNOLOGY CO.,LTD
