Nanjing-Zhongke-Microelectronics-Si24R2F-
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Si24R2F+
超低功耗高性能
2.4GHz GFSK
无线发射芯片
1
简介
Si24R2F+
是一颗工作在
2.4GHz ISM
频段，专为低功耗无线场合设计，集成嵌入式
发射基带的无线发射芯片。工作频率范围为
2400MHz-2525MHz
，共有
126
个
1MHz
带
宽的信道。
调制方式：
GFSK
1.1
关键特征
数据速率：
2Mbps/1Mbps/250Kbps
工作在
2.45GHz ISM
频段
内置
64
次可编程
NVM
存储器
具有超低功耗自动发射功能
具有低电压自动报警功能
集成温度报警功能
超低关断电流：
1.0uA
宽电源电压范围：
2.1-3.6V
宽数字
I/O
电压范围
:1.9-3.6V
晶振：
16MHz±10ppm
最高发射功率：
12dBm
发射电流
(2Mbps): 20mA
（
1dBm)
最高
10MHz
四线
SPI
接口
发射数据硬件中断输出
QFN20
封装
集成
NTC
温度采集功能
具有边沿计数功能
具有
BLE4.2
广播包发射功能
具有防拆卸报警功能
集成防冲突通信机制
兼容
Si24R1
和
Si24R2
发射功能
内置
3KHz RCOSC
和硬件
Watchdog
3.3V
编程电压
1
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
1.2
结构框图
TX FIFOs
Transmitter
CSN
PA
SCK
MOSI
MISO
IRQ
CE
SPI
Transmitt
RFP
RFN
GFSK/FSK
Modulator
er
Baseban
d
Regs
Map
Power
Management
RF PLL
2
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
1.3
引脚信息
CE
CSN
VCC
VSS
Si24R2F+
SCK
RFN
QFN20 4×4
MOSI
MISO
RFP
VDD_PA
图
1-1 Si24R2F +
引脚信息图
表
1.1
引脚功能描述
端口
端口名称
端口类型
功能描述
1
2
3
4
CE
DI
DI
DI
DI
芯片开启信号，防拆解控制信号
SPI
片选信号
CSN
SCK
MOSI
SPI
时钟信号，按键发射，替换发射控制信号
SPI
输入信号，按键发射，替换发射控制信号，边
沿计数
5
6
7
MISO
IRQ
DO
SPI
输出信号
DO
可屏蔽中断信号，低电平有效
电源（
+1.9 ~ +3.6V
，
DC
）
VCC
Power
3
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
8
NTC_ADC
XO
AO
NTC
测量输入
9
AO
晶体振荡器输出引脚
晶体振荡器输入引脚
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
XI
AI
VDD_
P
A
RFP
Power
RF
给内置
P
A
供电的电源输出引脚（
+1.8V
）
天线接口
1
RFN
RF
天线接口
2
VSS
Power
Power
AI
地（
0V
）
VCC
电源（
+1.9 ~ +3.6V
，
DC
）
基准电流
IREF
NTC_VB_N
NTC_VB
VDD_D
VSS
AO
NTC
低电压输出
AO
NTC
高电压输出
PO
内部数字电路电源，须接去耦电容
地（
0V
）
Power
Power
Die exposed
地（
0V
）
，
推荐与
PCB
大面积地相连
4
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
2
电气参数
2.1
极限参数
工作条件
电源电压
VDD
最小值
最大值
单位
-0.3
3.6
0
V
V
VSS
输入电压
VI
-0.3
3.6
V
输出电压
VO
VSS to VDD
VSS to VDD
100
V
总功耗
mW
温度
工作温度范围
存储温度
ESD
性能
-40
-40
+85
℃
℃
+125
HBM(Human Body Model): Class 1C
2.2
电气指标
条件：
VDD=3
V
,
VSS=0V TA=27
℃,
晶振
CL=12pF
符号
参数
最 小
典型值
最 大
单位
值
备注
值
OP
参数
VDD
电源电压范围
Shutdown
模式电
流
2.1
3.6
V
I
SHD
2
µA
Isleep
睡眠状态电流
0.7
µA
RCOSC,Watch
dog
，
A
T
R Timer
工
作，
I
STB
Standby
模式电流
Idle-TX
模式电流
TX
模 式 电 流
@12dBm
20
µA
µA
mA
I
IDLE
380
41
I
TX
@12dBm
I
TX
@7.5dBm
TX
模 式 电 流
@7.5dBm
26
mA
5
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
I
TX
@1dBm
TX
模 式 电 流
@1dBm
20
19
14
mA
mA
mA
I
TX
@-2.5dBm
I
TX
@-7dBm
TX
模式电流
@-
2.5dBm
TX
模式电流
@-
7dBm
RF
参数
F
OP
RF
频率范围
RF
信道间隔
2400
1
2525 MHz
MHz
F
CH
2Mpbs
时至少
为
2MHz
Δ
F
MOD
(2Mbps)
调制频率偏移
±330
±175
KHz
KHz
Δ
F
MOD
(1M/250Kbps)
调制频率偏移
R
GFSK
数据速率
250
-7
2000 Kbps
TX
参数
P
RF
RF
输出功率
调制带宽
12
dBm
MHz
MHz
MHz
dBm
P
BW
@2Mbps
P
BW
@1Mbps
P
BW
@250Kbps
P
RF1
2.1
1.1
0.9
调制带宽
调制带宽
1
st
邻 道 功 率
-20
-46
2MHz
P
RF2
2
nd
邻 道 功 率
4MHz
dBm
晶振参数
F
XO
晶振频率
频偏
16
MHz
ppm
Ω
Δ
F
±10
100
ESR
等效损耗电阻
6
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
3
典型应用原理图
3.1
典型应用原理图
图
3-1
典型应用原理图
表
3-1
元器件
BOM
表
器件名称
C1
数值
2.2uF
47uF
10nF
1nF
形式
描述
+/- 10%
+/- 10%
+/- 10%
+/- 5%
0603(1608)
1210C+
C2
C3
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
C4
C5
1.5pF
1pF
+/- 0.1pF
+/- 0.25pF
+/- 10%
+/- 0.25pF
+/- 5%
C6
C7
2.2nF
4.7pF
15pF
15pF
3.3nF
3nH
C8
C9
C10
C11
L1
+/- 5%
+/- 10%
+/- 10%
+/- 5%
L2
8.2nH
7
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
L3
R1
R2
R3
R4
R5
R6
RT1
10nH
22K
Ω
6.2K
Ω
1M
Ω
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
0603(1608)
HDR1X2
+/- 5%
+/- 1%
+/- 0.1%
+/- 1%
+/- 5%
+/- 1%
+/- 1%
+/- 1%
20M
Ω
1K
Ω
1K
Ω
10K
Ω
3.2 PCB
布线
下图所示
PCB
布线是上述电路典型原理图的
PCB
布线例子，这里的
PCB
板均为
FR-4
双面板
，
在
顶层和底层各有一个敷铜面
，
顶
层和底层的敷铜面通过大量过孔连接，
而在天线的下面则没有铜面。芯片底部为地，为了保证更好的
RF
性能，推荐芯片底部
Die Exposed
与
PCB
大面积地相连
。
100uF
钽电容靠近电池
，
4dBm
发射功率以上的使用
情况下可以解决纽扣电池脉冲放电电流不够的问题。
VCC
走线过长，需要在
VCC
引脚
附近接
104
电容，增强芯片抗静电能力。
图
3-2 PCB
布线图
8
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
4
封装
TOP VIEW
D
SIDE VIEW
图
4-1
顶层图
9
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
Nd
e
2
1
EXPOSED THERMAL
PAD ZONE
h
D2
图
4-2
封装尺寸
(Top View-
顶视图
)
SYMBOL
MILLIMETER
NOM
MIN
0.70
—
MAX
0.80
0.05
0.30
4.10
2.75
0.75
A
A1
b
D
D2
e
0.02
0.18
3.90
2.55
0.25
4.00
2.65
0.50BSC
2.65
2.55
3.90
2.75
4.10
E2
E
4.00
2.00BSC
Ne
10
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
2.00BSC
0.40
Nd
L
h
0.35
0.30
0.45
0.40
0.35
0.20 REF.
114×114
U
L/F
载体尺寸
(mil)
11
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
5
版本信息
版本
V1.0
V1.1
修改日期
2022/11/01
2023/08/16
修改内容
增加版本信息
更新典型应用原理图与对应
PCB
12
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
6
订单信息
封装标志
Si24R2F+
ABBCDEE
Si24R2F+:
芯片代码
A:
封装日期年代码，
5
代表
2020
年
BB:
加工发出周记，例如
42
代表是
A
年的第
42
周发出加工
C:
封装工厂代码，为
A
、
HT
、
NJ
或
WA
，也简写为
A
、
H
、
N
或
W
D:
测试工厂代码，为
A
、
Z
、或
H
EE:
生产批次代码
表
6-1
订单信息表
订单代码
Si24R2F+-Sample 4×4mm
20-pin QFN
Box/Tube
Si24R2F+
封装
包装
最小单位
5
4×4mm 20-pin QFN
Tape and reel
4K
13
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
7
技术支持与联系方式
南京中科微电子有限公司 技术支持中心
电话
：
025-68517780
地址：
南京市玄武区徐庄软件园研发三区
B
栋
201
室
市场销售
手机
：
13645157034
，
13645157035
技术支持
手机
：
13645157034
14
/
15
Rev1.1 2023/08/16
Si24R2F+
15
/
15
Rev1.1 2023/08/16
