NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5454
| Part # | NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5454 |
Download  | NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5454 |
NTE5452 thru NTE5458
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
4 Amp Sensitive Gate, TO202
Description:
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed
to be driven directly with IC and MOS devices.
These reverse
−
blocking triode thyristors may be
switched from off
−
state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal.
They are de-
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +100
°
C), V
RRM
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30V
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50V
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Repetitive Peak Off
−
State Voltage (T
C
= +100
°
C), V
DRXM
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30V
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50V
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS On
−
State Current, I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4A
Peak Surge (Non
−
Repetitive) On
−
State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
. . . . . . . . . . .
20A
Peak Gate
−
Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1A
Peak Gate
−
Power Dissipation (I
GT
≤
I
GTM
for 3
μ
s Max), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20W
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200mW
Operating
T
e
mperature Range,
T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +100
°
C
Storage
T
e
mperature Range,
T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +150
°
C
Typical Thermal Resistance, Junction
−
to
−
Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+5
°
C/W
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
I
RRM
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
−
−
−
−
−
−
−
−
−
100
100
2.2
3
μ
A
μ
A
V
Peak Off
−
State Current
V
RRM
= Max, V
DRXM
= Max,
T
C
= +100
°
C, R
G
−
K
= 1k
Ω
I
DRXM
V
TM
Maximum On
−
State Voltage
DC Holding Current
T
C
= +25
°
C, I
T
= 4A (Peak)
−
I
HOLD
T
C
= +25
°
C
−
mA
μ
A
V
DC Gate
−
Trigger Current
DC Gate
−
Trigger Voltage
I
GT
V
GT
t
gt
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
Ω
, T
C
= +25
°
C
50
−
200
0.8
−
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
Ω
, T
C
= +25
°
C
T
C
= +25
°
C
T
o
tal Gate Controlled
1.2
μ
s
Turn
−
On Time
I
2
t for Fusing Reference
I
2
t
> 1.5msoc
−
−
−
0.5 A
2
sec
V/
μ
s
Critical rate of Applied
Forward Voltage
dv/dt R
G
−
K
= 1k
Ω
, T
C
= +100
°
C
(critical)
8
−
.380 (9.56)
A
.180 (4.57)
.132 (3.35) Dia
.500
(12.7)
.325
(9.52)
1.200
(30.48)
Ref
.070 (1.78) x 45
°
Chamf
.300
(7.62)
.050 (1.27)
.380
(9.65)
Min
K
A
G
.100 (2.54)
.100 (2.54)
