NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5514
| Part # | NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5514 |
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NTE5514 thru NTE5516
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
20 Amp, 1/2” Press Fit
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off
−
State Voltage (T
J
= +100
°
C), V
DRM
NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
J
= +100
°
C), V
RRM
NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS On
−
State Current (T
C
= +75
°
C), I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20A
Peak Surge (Non
−
Repetitive) On
−
State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), I
TSM
. . . . . . . . . 200A
Peak Gate
−
Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20A
Peak Gate
−
Power Dissipation (I
GT
≤
I
GTM
for 3
μ
s Max), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20W
Average Gate
−
Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
Operating
T
e
mperatue Range,
T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +150
°
C
Storage
T
e
mperature Range,
T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +100
°
C
Typical Thermal Resistance, Junction
−
to
−
Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3
°
C/W
Electrical Characteristics:
(At Maximum Ratings and Specified Case
T
e
mperatures)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
Peak Off
−
State Current
I
,
T =
+100
°
C, Gate Open,
−
−
2.0 mA
DRM
J
I
V
and V
= Max. Rating
RRM
DRM
RRM
Maximum On
−
State Voltage (Peak)
Peak On
−
State Current
V
T =
+25
°
C
−
−
−
−
−
−
−
−
−
1.9
40
50
25
2.0
−
V
A
TM
C
I
TM
DC Holding Current
I
T =
+25
°
C, Gate Open
C
−
mA
mA
V
H
DC Gate
−
Trigger Current
DC Gate
−
Trigger Voltage
Gate Controlled Turn
−
On Time
I
Anode Voltage = 12V, R
= 30
Ω
, T
= +25
°
C
−
GT
L
C
V
t
Anode Voltage = 12V, R
= 30
Ω
, T
= +25
°
C
−
GT
gt
L
C
t +
t , I
= 150mA
2.5
100
μ
s
d
r GT
Critical Rate
−
of
−
Rise of
Off
−
State Voltage
Critical T =
+100
°
C, Gate Open
−
V/
μ
s
C
dv/dt
.155 (3.93) Max
Gate
Cathode
.085
(2.15)
.063 (1.6)
.767
(19.5)
Max
.380
(9.65)
Max
.475 (12.09)
Max
Anode
.505 (12.85)
Max
