NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5585
| Part # | NTE-ELECTRONICS–INC–NTE5585 |
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NTE5580 thru NTE5585
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
275 Amp, TO93
Features:
D
Center Fired Gate
D
All Diffused Design
D
Low Gate Current
D
Low Thermal Impedance
D
High Surge
Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Off
−
State and Reverse Voltage, V
DRM
& V
RRM
NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum RMS On
−
State Current, I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275A
Maximum Average On
−
State Current, I
T(AV)
T
C
= +88
°
C, 180
°
conduction .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A
T
C
= +80
°
C, 3 phase conduction
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A
Maximum Peak One
−
Cycle, Non
−
Repetitive Surge Current, I
TSM
50Hz .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A
60Hz .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A
Maximum I
2
t for Fusing (1.5msec), I
2
t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32,000A
2
sec
Peak On
−
State Voltage (T
J
= +25
°
C, 180
°
conduction, Rated I
T(AV)
), V
TM
. . . . . . . . . . . . . . . . .
1.7V
Maximum Thermal Resistance, Junction
−
to
−
Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14
°
C/W
Typical Turn
−
Off Time (T
J
= 125
°
C), t
q
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
250
μ
s
Rate
−
of
−
Rise of Turned
−
On Current, di/dt
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200A/
μ
s
Operating Junction
T
e
mperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +125
°
C
Maximum Reverse Recovered Charge (T
J
= +25
°
C), Q
RR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200
μ
c
Maximum Critical Rate
−
of
−
Rise of Off
−
State Voltage, dV/dt
Exponential @ Max. Rated T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200V/
μ
s
Maximum Required Gate Current to Trigger, I
GT
T
J
=
−
40
°
C .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
200mA
T
J
= +25
°
C .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
150mA
Maximum Required Gate Voltage to Trigger (T
J
=
−
40
°
to +125
°
C), V
GT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3V
Peak On
−
State Voltage, V
F
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1
Maximum Stud
T
o
rque
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300 In
−
Lbs (33.9 N
−
M)
Note 1.
V
F
= A + B
S
L
N
(I) + C
S
I + D
√
I
Where: I
MIN
= 10A
I
MA
X
= 3000A
A
B
C
D
= .523
= .022
= .0005
= .038
1.443 (36.68) Max
(Across Corners)
1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)
.643 (16.35)
For No. 6 Screw
For No. 6 Screw
.350 (8.89)
Dia Max
Cathode
Gate
(White)
Cathode
(Red)
8.100
(205.74)
Max
(
T
e
rminals
1, 2, & 3)
3.625
(92.07)
Max
1.212 (30.8) Dia Max
.156 (3.96) Max
.630 (16.0)
3/4
−
16 UNF
−
2A
(
T
e
rminal 4)
Anode
1.077 (27.35) Max
