SanRex-Corporation-SCA70AA160
| Part # | SanRex-Corporation-SCA70AA160 |
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THYRISTOR MODULE
SC
A
（
SCE
）
70AA
UL; E7610
2
（
M
）
SC
A
（
SCE
）
70AA
《
Advantages
》
《特長》
24.5
3-M5
•
Isolated package
•
I
T(
A
V
)
70A
• 絶縁型パッケージ
• 平均電流
70A
•
di/dt 140A/
µ
s
•
dv/dt 1000V/
µ
s
《
Applications
》
• 定格臨海オン電流上昇率
140A/
µ
s
• 定格臨海オフ電圧上昇率
1000V/
µ
s
《用途》
φ6.5
80
20
13
20
2.8×0.8
•
various rectifiers, Motor drives, Heater
• 各種整流器
、
モ
ーター制御
、
ヒ
ーター制御、
静止型スイッチ
controls, Static switches
（G1
）
4
（K1
）
5
（G1
）
4
（K1
）
5
69±0.5
93±1
1
3
2
3
2
1
SCA
SCE
（A2）
（K1）
（A1K2）
（A2）
（K1）
（A1K2）
（G2
）
6
Unit
単位：
mm
（K2
）
7
■
Maximum Ratings
ꢀ
最大定格
（
Unless otherwise specified Tj
＝
25
℃／指定なき場合は
Tj
＝
25
℃とする）
Ratings
ꢀ定格値
SCA70AA160
SCE70AA160
Symbol
記号
Item
項ꢀ目
Unit
単位
*Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
V
RSM
V
DRM
1600
1700
1600
V
V
V
＊定格ピーク繰返し逆電圧
*Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
＊定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak Off-state Voltage
定格ピーク繰返しオフ電圧
Symbol
記号
Item
ꢀ項ꢀ目
Conditions
ꢀ条ꢀ件
Ratings
ꢀ定格値
Unit
単位
I
T
（
AV
）
I
F
（
AV
）
*Average On-state Current
＊定格平均オン（順 ）電流
Single phase, half wave, 180
°
conduction,
180
°導通角 ケース温度
T
c
＝
101
℃
70
A
単相半波平均値
I
T
（
RMS
）
I
F
（
RMS
）
*R.M.S. On-state Current
Single phase, half wave, 180
°
conduction,
180
°導通角 ケース温度
T
c
＝
101
℃
110
A
A
＊定格実効オン（順 ）電流
単相半波実効値
I
TSM
I
FSM
½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
50/60Hz
ꢀ
½
サイクル
正弦波ꢀ波高値 ꢀ非繰返し
Value for one cycle surge current
1
サイクルサージオン電流に対する値
*Surge On-state Current
＊定格サージオン（順 ）電流
1600/1750
*I
2
t
（
for fusing
）
I
2
t
12800
A
2
s
W
＊電流二乗時間積
Peak Gate Power Dissipation
定格ピークゲート損失
P
GM
10
Average Gate Power Dissipation
P
G
（
AV
）
I
FGM
1
W
定格平均ゲート損失
Peak Gate Current
定格ピークゲート順 電流
3
A
Peak Gate Voltag
e
（
Forward
）
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
10
V
定格ピークゲート順 電圧
Peak Gate Voltag
e
（
Reverse
）
5
140
V
定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current
定格臨界オン電流上昇率
I
G
＝
100mA, V
D
＝
½V
DRM
, dI
G
/dt
＝
0.1A/
μ
s
A/
μ
s
V
*Isolation Breakdown Voltage
（
R. M. S.
）
A.C. 1minute
実効値 ，
A.C.
１分間
2500
＊絶縁耐圧
*Operating Junction
T
e
mperature
Tj
－
40
～＋
130
℃
℃
＊定格接合部温度
T
s
tg
*Storage
T
e
mperature
ꢀ＊保存温度
－
40
～＋
125
2.7
（
28
）
2.7
（
28
）
90
Recommended value
Mounting
（
M5
）取付
T
e
rminal
（
M5
）端子
1.5
～
2.5
（
15
～
25
）
1.5
～
2.5
（
15
～
25
）
Mounting
T
o
rque
締付トルク
推奨値
N
･
m
Recommended value
（
kgf
･
cm
）
推奨値
Mass
ꢀ質量
T
y
pical value
ꢀ標準値
g
（SCA70AA-S79-1303）
(
)
SCA SCE 70AA
■
Electrical Characteristics
ꢀ
電気的特性
（
Unless otherwise specified Tj
＝
25
℃／指定なき場合は
Tj
＝
25
℃とする）
Ratings
ꢀ定格値
Symbol
記号
Item
ꢀ項ꢀ目
Conditions
ꢀ条ꢀ件
Unit
単位
Min.
T
y
p. Max.
Repetitive Peak Off-state Current, max
at V
DRM
, Single phase, half wave
I
DRM
I
RRM
, Tj
＝
130
℃
20
mA
mA
V
定格ピーク繰返しオフ電圧に於て
,
単相半波
最大オフ電流
*Repetitive Peak Reverse Current, max
＊最大逆電流
at V
RRM
, Single phase, half wave
定格ピーク繰返し逆電圧に於て
,
単相半波
, Tj
＝
130
℃
20
V
TM
V
FM
*Peak On-stat
e
（
Forward
）
Voltage, max
On-State Current 210A, Inst, measurement
オン（順 ）電流波高値
210A
瞬時測定
1.7
＊最大オン（順 ）電圧
Tj
＝
25
℃
Tj
＝
130
℃
Tj
＝
25
℃
Tj
＝
130
℃
1.18
0.97
2.4
*Threshold Voltage, max
V
T
（
TO
）
V
＊最大閾値 電圧
*Dynamic Resistance, max
＊最大オン抵抗
rt
m
Ω
3.6
Gate
T
r
igger Current, max
I
GT
V
GT
I
T
＝
1A, V
D
＝
6V
100
mA
V
最大ゲートトリガ電流
Gate
T
r
igger Voltage, max
最大ゲートトリガ電圧
I
T
＝
1A, V
D
＝
6V
2.5
Non-
T
r
igger Gate Voltage, min
最小ゲート非トリガ電圧
V
GD
Tj
＝
130
℃
, V
D
＝
½V
DRM
0.25
V
T
u
rn-on Time
tgt
I
T
＝
70A, I
G
＝
100mA, V
D
＝
½V
DRM
, dI
G
/dt
＝
0.1A/
μ
s
10
μ
s
V/
μ
s
mA
mA
最大ターンオン時間
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage, min
最小臨界オフ電圧上昇率
Holding Current
代表保持電流
Latching Current
代表ラッチング電流
Exponential wave
指数関数波形
dv/dt
I
H
Tj
＝
130
℃
, V
D
＝⅔
V
DRM
,
1000
160
280
I
L
Junction to cas
e
（
per Chip
）
接合部―ケース
間
（
per Chip
）
Rt
h
（
j-c
）
Rt
h
（
c-s
）
0.25
℃
/W
℃
/W
*Thermal Impedance, max
＊最大熱抵抗
case to fi
n
（
per Chip
）
0.22
ケース─フィン
間
（
per Chip
）
*mark: Thyristor and Diode part, No mark: Thyristor part.
注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両
方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。
Maximum Forward Characteristics
最大順 特性
Gate Characteristics
100
ゲートトリガ特性
1000
Tj=25℃
Peak Forward Gate Voltag
e
（10V）
Peak Gate Pow
e
（
r
1
0W）
定格ピークゲート損失
ゲート電圧
定格ピークゲート順
電圧
Tj=130℃
オン電
10
100
流
I
T
（A）
（V）
1
最大値
Maximum
Average Gate Pow
e
（
r
1
W）
25℃
－
40℃
130℃
定格ピークゲート損失
Maximum Gate Non-Trigger Voltage
最小非トリガ電圧
10
0.1
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
100
1000
10000
1
On-state Voltage DropꢀV
TM
（V）
Gate Curre
n
（
t
m
A）
オン電圧ꢀV
TM
（V）
ゲート電
流
（
mA）
(
)
SCA SCE 70AA
Surge Forward Current Ratin
g
〈Non-Repetitive〉
2000
サージ順 電流耐
量
〈非繰返し〉
Transient Thermal Impedance
過渡熱
イ
ンピーダンス
特
性
0.3
per one Element
1800
単位
エ
レ
メ
ン
ト
当
た
り
過渡熱抵抗
0.25
サ
1600
ー
Per one element
単位
エ
レ
メ
ン
ト
当り
1400
ジ
0.2
順
1
2
電
0
0
流
1000
60Hz
0.15
ꢀ
θ
800
600
400
200
ꢀ
j-c
I
FSM
50Hz
0.1
（℃/W）
Single phase half wave
Tj =25℃ start
（A）
junction to case
接合部─
ケ
ース間
0.05
0
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
Times
Time（sec）
通電
サ
イ
ク
ル
数ꢀ
n
（cycles）
時間ꢀt（秒）
Average On-State Current vs Power Dissipation
〈Single Phase Half Wave〉
Current vs Allowable Case Temperature
〈Single Phase Half Wave〉
180
最大電力損失特性
〈単相半波〉
140
電流対最大許容ケース温度
〈単相半波〉
per one Element
per one Element
直
流
最大許容ケース温度
単位
エ
レ
メ
ン
ト
当
た
り
単位
エ
レ
メ
ン
ト
当
た
り
160
130
D.C.
2
140
120
110
100
90
360
。
電力損失
: Conduction Angle
120
θ=180゜
θ=120゜
θ=90゜
θ=60゜
θ=30゜
100
80
ꢀ
（W）
80
2
60
40
ꢀ
360
。
70
（℃）
θ=120゜
θ=90゜
θ=60゜
直
流
θ=30゜
θ=180゜
: Conduction Angle
60
D.C.
20
０
50
０
10 20 30 40 50 60 70 80 90
100 110
120 130 140
Average On-state Current
ꢀ
（
A）
平均電流
ꢀ
（
A）
０
20
40
60
80
100 120
Average On-State Current
（A）
平均電流
（A）
Output Curre
n
（
t
W
１
；
B
idirectional connection）
許容出力電
流
（W1;逆並列接続）
Output Curren
（
t
B
2
；
T
wo pulse bridge connection）
許容出力電
流
（B2;単相ブリッジ接続）
95
95
Interface Thermal Impedance:0.11℃/W per Module
Interface Thermal Impedance:
0.11℃/W per Module
Conduction Angle θ 180°
Conduction Angle θ 180°
R
th
:Heat Sink Thermal Impedance
R
th
:Heat Sink Thermal Impedance
I
D
（RMS）
500
250
100
105
110
115
120
125
130
100
105
110
115
120
125
130
I
D
（AV）
R
th
:0.5℃/W
R
th
:0.3℃/W
R
th
:0.2℃/W
R
th
:0.1℃/W
R
th
:0.05℃/W
R
R
R
R
R
th
:0.5℃/W
th
:0.3℃/W
th
:0.2℃/W
th
:0.1℃/W
th
:0.05℃/W
400
200
許容ケース温
許容ケース温
度
総損
総損
失
150
300
失
（W）
（W）
200
100
度
（℃）
（℃）
50
100
0
0
0
20 40 60
80 100
12
0
1
4
0
1
6
0
1
80
Output Curre
n
（
t
A
）
出力電
流
（
A）
0
25
50
75 100 125
0
20 40 60 80
100 120 140
Output Curre
n
（
t
A
）
出力電
流
（
A）
0
25 50
75 100
125
Ambient Temperatur
e
（℃）
Ambient Temperatur
e
（℃）
周囲温
度
（
℃）
周囲温
度
（
℃）
Output Current
（B
6
；
S
ix pulse bridge connection,W
3
；
T
hree phase bidirectional connection）
許容出力電
流
（B
6
；
三
相ブリッジ接続,W
3
；
三
相逆並列接続）
95
Interface Thermal Impedance:0.11℃/W per Module
Conduction Angle θ 180°
800
700
600
R
th
:Heat Sink Thermal Impedance
W3
I
D
（AV）
B6
100
105
110
115
120
125
130
R
th
:0.5℃/W
R
th
:0.3℃/W
R
th
:0.2℃/W
許容ケース温
度
R
R
t
t
h
h
:
:
0
0
.
.
0
1
5
℃
℃
/
/
W
W
I
D
（RMS）
総損
500
失
400
（W）
300
200
100
（℃）
0
0
20 40 60 80
10
0
1
20 14
0
1
6
0
1
80
Output Curre
n
（
t
A
）
出力電
流
（
A）
0
25
50
75 100 125
Ambient Temperatur
e
（℃）
周囲温
度
（
℃）
