Texas-Instruments-CSD17575Q3
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ZHCSCP7A
–
J
UNE 201
4
–
R
EVISED AUGUST 2014
CSD17575Q3 30V N
通道
NexFET™
功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)
1
特性
产品概要
1
•
•
•
•
•
•
•
•
低
Q
g
和
Q
gd
低
R
DS(on)
低热阻
T
A
= 25°C
V
DS
典型值
30
单位
V
漏源电压
Q
g
栅极电荷总量
(4.5V)
栅漏栅极电荷
23
nC
nC
雪崩级
Q
gd
5.4
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10V
2.6
1.9
无铅端子镀层
符合
RoHS
标准
无卤素
R
DS(on)
V
th
漏源导通电阻
阀值电压
m
Ω
1.4
V
小外形尺寸无引线
(SON) 3.3mm × 3.3mm
塑料封
装
。
数量
器件
介质
封装
出货
卷带封装
2
应用
CSD17575Q3
CSD17575Q3T
13
英寸卷带
13
英寸卷带
2500
250
SON 3.3mm x
3.3mm
塑料封装
•
用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压
转换器
(1)
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
•
已针对同步场效应晶体管
(FET)
应用进行优化
最大绝对额定值
3
说明
T
A
= 25°C
值
30
单位
V
V
DS
V
GS
漏源电压
这款
1.9m
Ω
，
30V
，
SON 3×3 NexFET™
功率
MOSFET
被设计成在功率转换应用中最大限度地降低
功率损耗。
栅源电压
±20
60
V
持续漏极电流（受封装限制）
持续漏极电流（受芯片限制），
T
C
= 25°C
时测得
I
D
182
A
顶视图
27
240
2.8
I
DM
P
D
A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
W
功率耗散，
T
C
= 25°C
108
T
J
， 运行结温和
T
stg
-55
至
150
°C
储存温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 48
，
L = 0.1mH
，
R
G
= 25
Ω
E
AS
115
mJ
D
D
(1) R
θ
JA
= 45°C/W
，这是在一块厚度为
0.060
英寸的
FR4
印刷电
路板
(PCB)
上的
1
平方英寸
2
盎司铜过渡垫片上测得的典型
值。
P0095-01
(2)
最大
R
θ
JC
= 1.5°C/W
，脉冲持续时间
≤
100
μ
s
，占空比
≤
1%
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
ZHCSCP7A
–
J
UNE 201
4
–
R
EVISED AUGUST 2014
R
DS(on)
与
V
GS
间的关系
栅极电荷
8
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= 25°C,I
D
= 25A
T
C
= 125°C,I
D
= 25A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Q
g
– Gate Charge
(nC)
V
GS
– Gate-to- Source Voltage (V)
G001
G001
2
版权
© 2014, Texas Instruments Incorporated
ZHCSCP7A
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4
–
R
EVISED AUGUST 2014
目录
1
2
3
4
5
6
7
4
修订历史记录
Changes from Original (June 2014) to Revision A
Page
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5 Specifications
5.1 Electrical
Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-to-Source Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
30
V
μ
A
nA
V
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Threshold Voltage
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 25 A
V
DS
= 3 V, I
D
= 25 A
1
100
1.8
3.2
2.3
I
GSS
V
GS(th)
1.1
1.4
2.6
m
Ω
R
DS(on)
g
ƒs
Drain-to-Source On-Resistance
Transconductance
1.9
118
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
R
g
Input Capacitance
3400
393
157
0.9
23
4420
511
204
1.8
pF
pF
pF
Ω
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Series Gate Resistance
Gate Charge Total (4.5 V)
Gate Charge Gate-to-Drain
Gate Charge Gate-to-Source
Gate Charge at V
th
Output Charge
V
GS
= 0 V, V
DS
= 15 V, ƒ = 1 MHz
Q
g
30
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
Q
gd
Q
gs
Q
g(th)
Q
OSS
t
d(on)
t
r
5.4
8.5
4.6
11.6
4
V
DS
= 15 V, I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
Turn On Delay Time
Rise Time
10
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V I
D
= 25 A
R
G
= 2
Ω
t
d(off)
t
ƒ
Turn Off Delay Time
Fall Time
20
3
DIODE CHARACTERISTICS
V
SD
Q
rr
t
rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
I
S
= 25 A, V
GS
= 0 V
0.8
15
13
1
V
nC
ns
V
DD
= 15 V, I
F
= 25 A, di/dt = 300 A/
μ
s
5.2 Thermal
Information
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
THERMAL METRIC
MIN
TYP
MAX
UNIT
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case Thermal Resistance
(1)
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
(1
)
(
2)
1.5
55
°C/W
(1)
R
θ
JC
is determined with the device mounted on a 1-inch
2
(6.45-cm
2
), Cu pad on a 1.5-inches × 1.5-inches thick FR4 PCB. R
θ
JC
is
specified by design, whereas R
θ
JA is determined by the user’s board design.
(2) Device
mounted on FR4 material with 1-inch
2
2-oz.Cu.
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GATE
Source
GATE
Source
Max R
θ
JA
= 160°C/W
when mounted on
minimum pad area of
2 oz. Cu.
Max R
θ
JA
= 55°C/W
when mounted on
1 inch
2
of 2 oz. Cu.
DRAIN
DRAIN
M0161-02
M0161-01
5.3 Typical
MOSFET Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
Figure 1. Transient Thermal Impedance
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Typical MOSFET Characteristics (continued)
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
200
200
180
160
140
120
100
80
180
160
140
120
100
80
60
60
V
GS
=10V
V
GS
=6V
V
GS
=4.5V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= −55°C
40
20
0
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
G001
G001
V
DS
= 5 V
Figure 2. Saturation Characteristics
Figure 3. Transfer Characteristics
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10000
1000
100
C
iss
= C
gd
+ C
gs
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Q
g
– Gate Charge
(nC)
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
G001
G001
I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V
Figure 4. Gate Charge
Figure 5. Capacitance
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= 25°C,I
D
= 25A
T
C
= 125°C,I
D
= 25A
0.8
0.6
0.4
−75 −50 −25
0
25
50
75 100
125 150 175
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
C
– Case Temperature (ºC)
V
GS
– Gate-to- Source Voltage (V)
G001
G001
I
D
= 250 µA
Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature
Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
6
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Typical MOSFET Characteristics (continued)
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
2
100
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.8
0.6
0.4
−75 −50 −25
0
25
50
75 100
125 150 175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T
C
– Case Temperature (ºC)
V
SD
− Source-to-Drain Voltage (V)
G001
G001
I
D
= 25 A
Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature
Figure 9. Typical Diode Forward Voltage
1000
100
T
C
= 25ºC
T
C
= 125ºC
100
10
1
10us
1ms
DC
100us
10ms
0.1
0.1
10
0.01
1
10
100
0.1
1
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
T
AV
– Time in Avalanche (mS)
G001
G001
Single Pulse
Max R
θ
JC
= 1.5°C/W
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching
80
70
60
50
40
30
20
10
0
−50 −25
0
25
50
75 100
125 150 175 200
T
C
– Case Temperature (ºC)
G001
Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature
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6
器件和文档支持
6.1 Trademarks
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
6.2 Electrostatic
Discharge Caution
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
6.3
术语表
这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。
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机械封装和可订购信息
以下页中包括机械封装和可订购信息。 这些信息是针对指定器件可提供的最新数据。 这些数据会在无通知且不对
本文档进行修订的情况下发生改变。 欲获得该数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
7.1 Q3
封装尺寸
毫米
标称值
1.000
英寸
标称值
0.039
DIM
最小值
0.950
0.000
0.280
最大值
1.100
0.050
0.400
最小值
0.037
0.000
0.011
最大值
0.043
0.002
0.016
A
A1
b
0.000
0.000
0.340
0.013
b1
c
0.310
（标称值）
0.200
0.012
（标称值）
0.008
0.150
3.200
1.650
0.150
0.300
3.200
2.350
0.250
3.400
1.800
0.250
0.400
3.400
2.550
0.006
0.126
0.065
0.006
0.012
0.126
0.093
0.010
0.134
0.071
0.010
0.016
0.134
0.100
D
3.300
0.130
D2
d
1.750
0.069
0.200
0.008
d1
E
0.350
0.014
3.300
0.130
E2
e
2.450
0.096
0.650
典型值
0.450
0.026
H
0.35
0.550
0.014
0.018
0.022
K
0.650
典型值
0.450
0.026
典型值
0.018
L
0.35
0
0.550
0.014
0.022
L1
θ
—
0
0
0
0
—
0
0
0
—
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7.2
建议
PCB
布局
巧来减少振铃
。
7.3
建议模板开口
全部尺寸单位为
mm
，除非另外注明。
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7.4 Q3
卷带信息
4.00 0.ꢀ0
ꢁ(SS ꢂNoS ꢀ1
8.00 0.ꢀ0
2.00 0.0ꢃ
+0.ꢀ0
–0.00
Ø ꢀ.ꢃ0
3.60
M0ꢀ44-0ꢀ
注释：
1. 10
链轮孔距累积容差为
±0.2
2.
每
100mm
长度的翘曲不能超过
1mm
，在
250mm
长度上不累积
3.
材料：黑色抗静电聚苯乙烯
4.
全部尺寸单位为
mm
（除非另外注明）。
5.
厚度：
0.30 ± 0.05mm
6. MSL1
260°C
（红外
(IR)
和传导）无铅
(PbF)
回流焊兼容
Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated
11
重要声明
德州仪器
(TI)
及其下属子公司有权根据
JESD46
最新标准
,
对所提供的产品和服务进行更正、修改、增强、改进或其它更改， 并有权根据
JESD48
最新标准中止提供任何产品和服务。客户在下订单前应获取最新的相关信息
,
并验证这些信息是否完整且是最新的。所有产品的销售
都遵循在订单确认时所提供的
TI
销售条款与条件。
TI
保证其所销售的组件的性能符合产品销售时
TI
半导体产品销售条件与条款的适用规范。仅在
TI
保证的范围内，且
TI
认为 有必要时才会使
用测试或其它质量控制技术。除非适用法律做出了硬性规定，否则没有必要对每种组件的所有参数进行测试。
TI
对应用帮助或客户产品设计不承担任何义务。客户应对其使用
TI
组件的产品和应用自行负责。为尽量减小与客户产品和应 用相关的风险，
客户应提供充分的设计与操作安全措施。
TI
不对任何
TI
专利权、版权、屏蔽作品权或其它与使用了
TI
组件或服务的组合设备、机器或流程相关的
TI
知识产权中授予 的直接或隐含权
限作出任何保证或解释。
TI
所发布的与第三方产品或服务有关的信息，不能构成从
TI
获得使用这些产品或服 务的许可、授权、或认可。使用
此类信息可能需要获得第三方的专利权或其它知识产权方面的许可，或是
TI
的专利权或其它 知识产权方面的许可。
对于
TI
的产品手册或数据表中
TI
信息的重要部分，仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权、条件、限制和声明的情况 下才允许进行
复制。
TI
对此类篡改过的文件不承担任何责任或义务。复制第三方的信息可能需要服从额外的限制条件。
在转售
TI
组件或服务时，如果对该组件或服务参数的陈述与
TI
标明的参数相比存在差异或虚假成分，则会失去相关
TI
组件 或服务的所有明
示或暗示授权，且这是不正当的、欺诈性商业行为。
TI
对任何此类虚假陈述均不承担任何责任或义务。
客户认可并同意，尽管任何应用相关信息或支持仍可能由
TI
提供，但他们将独力负责满足与其产品及在其应用中使用
TI
产品 相关的所有法
律、法规和安全相关要求。客户声明并同意，他们具备制定与实施安全措施所需的全部专业技术和知识，可预见 故障的危险后果、监测故障
及其后果、降低有可能造成人身伤害的故障的发生机率并采取适当的补救措施。客户将全额赔偿因 在此类安全关键应用中使用任何
TI
组件而
对
TI
及其代理造成的任何损失。
在某些场合中，为了推进安全相关应用有可能对
TI
组件进行特别的促销。
TI
的目标是利用此类组件帮助客户设计和创立其特 有的可满足适用
的功能安全性标准和要求的终端产品解决方案。尽管如此，此类组件仍然服从这些条款。
TI
组件未获得用于
FDA Class III
（或类似的生命攸关医疗设备）的授权许可，除非各方授权官员已经达成了专门管控此类使 用的特别协议。
只有那些
TI
特别注明属于军用等级或
“
增强型塑料
”
的
TI
组件才是设计或专门用于军事
/
航空应用或环境的。购买者认可并同 意，对并非指定面
向军事或航空航天用途的
TI
组件进行军事或航空航天方面的应用，其风险由客户单独承担，并且由客户独 力负责满足与此类使用相关的所有
法律和法规要求。
TI
已明确指定符合
ISO/TS16949
要求的产品，这些产品主要用于汽车。在任何情况下，因使用非指定产品而无法达到
ISO/TS16949
要
求，
TI
不承担任何责任。
产品
应用
数字音频
通信与电信
计算机及周边
消费电子
能源
放大器和线性器件
数据转换器
DLP®
产品
DSP –
数字信号处理器
时钟和计时器
接口
工业应用
医疗电子
安防应用
汽车电子
视频和影像
逻辑
电源管理
微控制器
(MCU)
RFID
系统
OMAP
应用处理器
无线连通性
德州仪器在线技术支持社区
IMPORTANT NOTICE
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1568
号，中建大厦
32
楼邮政编码：
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Copyright © 2014,
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
CSD17575Q3
Status Package
Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead/Ball Finish
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(6)
(3)
(4/5)
ACTIVE
VSON-CLIP
VSON-CLIP
DQG
8
8
2500 Pb-Free
(RoHS
Exempt)
SN
Level-1-260C-UNLIM
CSD17575
CSD17575
CSD17575Q3T
ACTIVE
DQG
250
Pb-Free (RoHS
Exempt)
SN
Level-1-260C-UNLIM
-55 to 150
(1)
The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE:
Product device recommended for new designs.
LIFEBUY:
TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND:
Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW:
Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE:
TI has discontinued the production of the device.
(2)
RoHS:
TI defines “RoHS” to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, “RoHS” products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as “Pb-Free”.
RoHS Exempt:
TI defines “RoHS Exempt” to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green:
TI defines “Green” to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3)
MSL, Peak Temp. – The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4)
There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5)
Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a “~” will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead/Ball Finish – Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead/Ball Finish values may wrap to two lines if the finish
value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:
The information provided on this page represents TI’s knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI’s liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
20-May-2019
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width
(mm) (mm) (mm) (mm) (mm)
Quadrant
(mm) W1
(mm)
CSD17575Q3
CSD17575Q3T
VSON-
CLIP
DQG
DQG
8
8
2500
250
330.0
12.4
3.6
3.6
1.2
8.0
12.0
Q1
VSON-
CLIP
330.0
12.4
3.6
3.6
1.2
8.0
12.0
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
20-May-2019
*All dimensions are nominal
Device
Package Type
Package Drawing
Pins
SPQ
Length (mm)
Width (mm)
Height (mm)
CSD17575Q3
CSD17575Q3T
VSON-CLIP
VSON-CLIP
DQG
DQG
8
8
2500
250
336.6
336.6
336.6
336.6
41.3
41.3
Pack Materials-Page 2
重要声明和免责声明
TI
均以
“
原样
”
提供技术性及可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资
源，不保证其中不含任何瑕疵，且不做任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示
担保。
所述资源可供专业开发人员应用
TI
产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任：
(1)
针对您的应用选择合适的
TI
产品；
(2)
设计、
验证并测试您的应用；
(3)
确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更，恕不另行通知。
TI
对您使用
所述资源的授权仅限于开发资源所涉及
TI
产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源，也不提供其它
TI
或任何第三方的知识产权授权
许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等，
TI
对此概不负责，并且您须赔偿由此对
TI
及其代表造成的损害。
束。
TI
提供所述资源并不扩展或以其他方式更改
TI
针对
TI
产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。
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号中建大厦
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