UMW-Youtai-Semiconductor-Co—Ltd–UMW4N65F
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R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
V
DS (V)
=650V
I
D=4.0A
l
l
l
2.7 (
V
GS
= 10V)
≤
R
DS(ON)
●最
大
额
定
值 （
Tc=25
°
C
）
TO-220/220F/TO-252
●
Absolute Maximum Ratings
（
Tc=25
°
C
）
参
数
PARAMETER
号
符
SYMBOL
值
定
额
VALUE
位
单
UNIT
漏
–
源
电
压
V
DS
V
GS
650
V
V
Drain-source Voltage
栅
–
源
电
压
gate-source Voltage
±
30
漏
极
电
流
Continuous Drain Current
TC=25
℃
I
D
4.0
A
漏
极
电
流
Continuous Drain Current
TC=100
℃
I
D
2.5
16
A
A
最
大
脉
冲
电
流
Drain Current
－
Pulsed
I
DM
①
TO-220:100
TO-220F:33
耗
散
功
率
Power Dissipation
P
tot
W
最
高
结
温
Junction Temperature
存
储
温
度
Storage Temperature
单
脉
冲
雪
崩
能
量
Tj
150
°
C
°
C
T
STG
-55-150
Single Pulse Avalanche Energy
②
E
AS
128
mJ
UTD Semiconductor Co.,Limited
1
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
●电
特
性 （
Tc=25 C
）
PARAMETER
号
符
SYMBOL
条
试
测
件
TEST CONDITION
值
小
最
MIN
值
型
典
TYP
值
大
最
MAX
单
位
UNIT
漏
–
源
击
穿
电
压
BV
DSS
V
GS
=
0V,
I
D
=250
µ
A
650
V
Drain-source Breakdown Voltage
击
穿
电
压
温
度
系
数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Δ
BV
DSS/
ΔTj
I
D
=250uA, Referenced to
0.6
V/
°
C
25
°
C
栅
极
开
启
电
压
Gate Threshold Voltage
V
GS(TH)
V
GS
=V
DS,
I
D
=250
µ
A
2.0
4.0
25
V
µ
A
µ
A
S
V
DS
=650
V
,
V
GS
=0
V
,
T
j=25
°
C
漏
–
源
漏
电
流
I
DSS
Drain-source Leakage Current
V
DS
=520
V
,
V
GS
=0
V
, Tj=125
°
C
250
跨
导
Forward Transconductance
V
DS
=40V, I
D
=2.0A
③
gfs
2.5
UTD Semiconductor Co.,Limited
2
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
参
数
PAR
AMETER
号
符
SYMBOL
条
试
测
件
TEST CONDITION
值
小
最
MIN
值
型
典
TYP
值
大
最
MAX
位
单
UNIT
栅
极
漏
电
流
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
GSS
V
GS
=±30V
±100
2. 7
nA
Ω
漏
–
源
导
通
电
阻
V
GS
=10V, I
D
=2.0A
③
Static Drain-source On
Resistance
R
DS(ON)
2. 3
输
入
电
容
Input Capacitance
V
GS
=
0V,
V
DS
= 25V
F = 1.0MHZ
500
40
Ciss
Td(off)
Qg
pF
ns
关
断
延
迟
Turn -Off Delay Time
V
DD
=325
V,
I
D
=4.0A
R
G
=25Ω
③
栅
极
电
荷
Total Gate Charge
nC
nC
nC
15.8
3.5
6.0
I
D
=4.0A, V
DS
=520V
栅
源
电
荷
Gate-to-Source Charge
V
GS
= 10V
③
Qgs
栅
漏
电
荷
Gate-to-Drain Charge
Qgd
二
极
管
正
向
电
流
Continuous Diode Forward
Current
I
S
4.0
1.4
A
二
极
管
正
向
压
降
Diode Forward Voltage
Tj=25°C, Is=4.0A
V
SD
trr
V
V
GS
=0V
③
反
向
恢
复
时
间
Reverse Recovery Time
390
1.5
ns
Tj=25°C, If=4.0A
di/dt=100A/μs
③
反
向
恢
复
电
荷
Reverse Recovery Charge
Qrr
uC
●热
特
性
●
Thermal Characteristics
值
大
最
MAX
数
参
PARAMETER
号
符
SYMBOL
位
单
UNIT
TO-220F
TO-220
热
阻
结
Thermal Resistance Junction-case
热
阻
结
–
环
境
–
壳
Rth
JC
Rth
JA
1.25
3.79
℃
/W
℃
/W
62.5
62.5
Thermal Resistance Junction-ambient
注释
(Notes):
①
脉
冲
宽
度
：
以
最
高
结
温
为
限
制
Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
②
初
始
结
温
=25
o
C, V
DD
=50V, L=25mH, R
G
=25Ω, I
AS
=4.0A
Starting Tj=25
o
C, V
DD
=50V, L=25mH, R
G
=25Ω, I
AS
=4.0A
③
测
试
：
脉
冲
宽
度
≤ 300μs
空
占
，
比
≤ 2
％
Pulse
Test
: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%
UTD Semiconductor Co.,Limited
3
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
● 特
性
曲
线
图
1
输
出
特
性
曲 线
, Tc=25
℃
图
2
输
出
特
性
曲 线
, Tc=150
℃
Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25
℃
Fig2 Typical Output Characteristics, Tc=150
℃
图
3
导
通
电
阻
与
温
度
曲
线
图
4
二
极
管
正
向
电
压
曲
线
Fig3 Normalized On-Resistance Vs.Temperature
Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward
V
o
ltage
图
5
最
大
漏 极电
流
与
壳
温
曲
线
Fig5 Maximum Drain Current Vs.Case Temperature
UTD Semiconductor Co.,Limited
4
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
● 特
性
曲
线
4N65(TO-220F)
图
6-2
4N65(TO-220)
图
6-1
最
大
安
全
工
作
区
曲
线
最
大
安
全
工
作
区
曲
线
Fig6-1 Maximum Safe Operating Area
Fig6-2 Maximum Safe Operating Area
UTD Semiconductor Co.,Limited
5
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
TO-220
装
封
单
位
：
毫
米
/UNIT
：
mm
符号
SYMBOL
最
值
小
min
典
值
型
nom
最
值
大
max
符号
SYMBOL
最
值
小
min
典
值
型
nom
最
值
大
max
A
B
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
E
e
9.90
10.70
2.54
3.50
B1
b1
c
F
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
1.45
14.50
4.00
3.00
3.00
3.90
L
L1
Q
D
D1
Q1
φ
P
UTD Semiconductor Co.,Limited
6
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
TO-220F
装
封
单位
:
毫米
/UNIT
：
mm
SYMBOL
最小值
min
典型值
nom
最大值
max
符号
SYMBOL
最小值
min
典型值
nom
最
值
大
max
A
A
1
b
4.40
2.30
0.45
1.10
0.35
14.50
6.10
9.60
4.95
2.90
0.90
1.70
0.90
17.00
9.00
10.30
e
L
2.54
12.50
9.10
15.00
3.00
3.00
2.30
14.30
10.05
16.00
4.00
L
1
L
2
L
3
øp
Q
b
1
c
D
3.50
D1
E
2.80
UTD Semiconductor Co.,Limited
7
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
TO-252
装
封
械
机
尺
寸
TO-252 MECHANICAL
DATA
单
位
:
毫
米
/UNIT
：
mm
大
最
max
符
号
小
最
min
值
大
最
max
值
号
符
小
最
min
值
值
SYMBOL
SYMBOL
A
b
2.10
0.50
0.45
6.30
5.30
9.20
0.90
0.00
2.50
0.80
0.70
6.75
6.30
10.60
1.75
0.23
B
0.85
0.50
0.45
5.10
2.25
4.45
0.60
1.25
0.90
0.70
5.50
2.35
4.75
1.10
b1
C
b2
D
D1
e1
e2
L3
E
L1
L2
K
UTD Semiconductor Co.,Limited
8
R
UMW
4N65
MOS
管
N-
道
沟
功
率
Ordering information
Package
Deliverymode
Baseqty
Order code
reel
Tape and
Tube and
Tube and
UMW 4N65L
UMW 4N65
UMW 4N65F
TO-252
TO-220
TO-220F
2500
1000
1000
box
box
UTD Semiconductor Co.,Limited
9
