Wild-Goose-WGD65R550L
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WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
TO-252
2
WGD65R550L
1
Features
3
◼
Ultra Low R
DS(ON)
= 550m
Ω
@ V
GS
= 10V.
◼
Ultra Low Gate Charge, Qg=16 nC typ.
◼
Fast switching capability
◼
Robust design with better EAS performance
◼
EMI Improved Design
1.Gate (G)
2.Drain (D)
3.Source (S)
极限参数（除非特殊说明，
T
J
=25
C
）
参数值
参数
符号
单位
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
650
±30
7.0
4.4
28
V
V
T
C
=25°C
漏极电流
I
D
A
T
C
=100°C
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
A
W
耗散功率
(T
C
=25
C)
–
大于
25
C
每摄氏度减少
60
0.48
W/
C
mJ
单脉冲雪崩能量
（注
1
）
（注
2
）
（注
3
）
E
AS
dv/dt
dv/dt
T
J
261
体二极管
15
V/ns
V/ns
C
MOS
管
dv/dt
耐用性
工作结温范围
贮存温度范围
50
-55
～
+150
-55
～
+150
T
stg
C
热阻特性
参数
符号
单位
参数值
芯片对管壳热阻
R
θJC
R
θJA
C/W
C/W
2.08
62.0
芯片对环境的热阻
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
1
WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
电气参数（除非特殊说明，
T
J
=25
C
）
参数
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
g
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=650V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=3.5A
f=1MHz
最小值
典型值
—
最大值
—
单位
V
漏源击穿电压
漏源漏电流
650
—
—
1.0
±100
4.0
0.64
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
2.0
—
—
静态漏源导通电阻
栅极电阻
0.55
7.0
423
27
—
输入电容
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
V
DS
=100V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
—
—
pF
ns
f=1.0MH
Z
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
1.9
—
—
—
V
DD
=325V
，
I
D
=7.0A
，
V
GS
=10V
，
R
G
=24
—
29
—
t
d(off)
t
f
–
44
—
（注
4
，
5
）
–
26
—
Q
g
—
16
—
V
DS
=520V
，
I
D
=7.0A
，
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
Q
gs
V
GS
=10V
—
3.6
8.3
—
nC
（注
4
，
5
）
Q
gd
—
—
源
–
漏二极管特性参数
参数
连续源极电流
源极脉冲电流
二极管压降
符号
I
S
测试条件
最小值
典型值
—
最大值
7.0
28
单位
—
—
—
—
—
MO
管中源极、漏极构成的
反偏
P-N
结
A
I
SM
V
SD
—
I
S
=7.0A
，
V
GS
=0V
—
1.4
—
V
反向恢复时间
反向恢复电荷
346
2.5
ns
µC
I
S
=7.0A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µs
（注
4
）
Q
rr
—
注：
1.
2.
3.
L=79mH
，
I
AS
=2.4A,V
00V
，
R
G
=25
，开始温度
T
J
=25
C
；
V
DS
=0~400V
，
I
SD
<=7.0A
，
T
J
=25
C
；
V
DS
=0~480V
；
4.
5.
脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
基本上不受工作温度的影响。
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
2
WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
20
16
12
8
V
GS
=5.0V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
-55°C
25°C
150°C
10
1
4
注：
注：
1.250µS
脉
冲
测
试
2.V
DS
=50V
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
0
0
0.1
4
8
12
16
20
0
2
4
8
10
漏源电压 –
V
DS
(V)
栅源电压–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流、栅极电压
图
4.
体二
降
vs.
源极电流、温度
100
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
-55°C
25°C
150°C
V
G
S
=10V
V
G
S
=20V
10
1
注：
1.250µS
脉
冲
测
试
2.V
G
S
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
0
2
4
6
8
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
漏源电压–
V
SD
(V)
漏极电流–
I
D
(A)
图
6.
电荷量特性
图
5.
电容特性
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
12
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
ds
+C
gd
C
r
s
s
=C
gd
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
10
8
6
4
C
i
s
s
C
oss
C
r
s
s
注：
1. V
G
S
=0V
2. f=1MHz
2
0
注：
I
D
=7.0A
0
5
10
15
20
0
20
40
60
80
100
120
总栅极电荷 –
Q
g
(nC)
漏源电压–
V
DS
(V)
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
3
WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
典型特性曲线
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
1.2
1.1
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
注：
1. V
G
S
=10V
2. I
D
=3.5A
注：
1. V
G
S
=0V
2. I
D
=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
结温
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图
9-1.
最大安全工作区域
图
9-2.
最大安全工作区域
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
100µs
1ms
100µs
1ms
10ms
10ms
DC
DC
此
区
域
工
作
受
限于
R
D
S
(ON)
此
区
域
工
作
受
限于
R
D
S
(ON)
10
-1
10
-2
10
-1
注：
T
C
=25°C
注：
T
C
=25°C
10
-2
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
1
10
2
10
漏源电压
– V
DS
(V)
漏源电压
– V
DS
(V)
图
9-3.
最大安全工作
10
2
10
1
10
0
100µs
1ms
10ms
DC
此
区
域
工
作
受
限于
R
D
S
(ON)
10
-1
注：
1.T
C
=25°C
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
– V
DS
(V)
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
4
WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
V
GS
Qg
参数一致
10V
50K
Ω
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
V
GS
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
on
t
off
E
AS
测试电路及波形图
BV
DSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
BV
DSS
V
DD
V
DS
BV
DSS
I
AS
I
D
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
5
WGD65R550L
650V
N-Channel Power MOSFET
Package Dimension
TO-252
Unit: mm
WildGoose
S
emiconductor Rev
. A1.0
,
2
021
6
