YONGYUTAI-2SA1015
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2SA1015
SO
T
–
23 Plastic-Encapsulate Transistors
2SA1015
TRANSISTOR (PNP)
FE
A
T
URES
Complementary to 2SC1815
MARKING:BA
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
℃
unless otherwise noted)
Symbol
（符号）
Parameter
（参数名称）
Value
（额定值）
Units
（单位）
VCBO
Collector-Base Voltage
（集电极
–
基极电压）
Collector-Emitter Voltage
（集电极
–
发射极电压）
Emitter-Base Voltage
（发射极
–
基极电压）
Collector Current -Continuous
（集电极电流）
Collector Power Dissipation
（耗散功率）
Junction Temperature
（结温）
-60
-50
V
V
VCEO
VEBO
IC
-5
V
-0.15
0.2
A
PC
W
℃
℃
Tj
150
Tstg
Storage Temperature
（储存温度）
-55-150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
（参数名称）
Symbol
（符号）
Test conditions
（测试条件）
MIN
TYP
（最小值） （典型值） （最大值）
（单位）
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
集电极
–
基极击穿电压
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC= -100
μ
A, IE=0
-60
-50
-5
V
V
Collector-emitter breakdown
voltage
集电极
–
发射极击穿电压
IC= -1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
发射极
–
基极击穿电压
V(BR)EBO
ICBO
IE=-100
μ
A, IC=0
VCB=-50 V , IE=0
VCE=-35V ,
IB=0
VEB=-5V , IC=0
V
Collector cut-off current
集电极
–
基极截止电流
-1
-10
-1
μ
A
μ
A
μ
A
Collector cut-off current
集电极
–
发射极截止电流
ICEO
Emitter cut-off current
发射极
–
基极截止电流
IEBO
DC current gain
直流电流增益
hFE
VCE=-6V, IC= -2mA
IC=-100mA, IB= -5mA
IC=-100mA, IB= -5mA
80
600
-0.3
-1
Collector-emitter saturation voltage
集电极
–
发射极饱和压降
VCE(sat)
VBE(sat)
V
V
Base-emitter saturation voltage
发射极
–
基极饱和压降
CLASSIFICATION OF
hFE
Range
80-200
200-400
400-600
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